01常用半导体器件练习题 下载本文

第1章 常用半导体器件

一.选择题

1、 半导体导电的载流子是____C____,金属导电的载流子是_____A__。 A.电子 B.空穴 C.电子和空穴 D.原子核 2、 在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体。

A. P B. N C. PN D. 电子导电 3、 纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。

A. P B. N C. PN D. 空穴导电

4、 N型半导体多数载流子是 B ,少数载流子是 A ;P型半导体中多数载流子是

A ,少数载流子是 B 。

A.空穴 B.电子 C.原子核 D.中子 5、 杂质半导体中多数载流子浓度取决于 D ,少数载流子浓度取于 B 。

A.反向电压的大小 B.环境温度 C.制作时间 D.掺入杂质的浓度 6、 PN结正向导通时,需外加一定的电压U,此时,电压U的正端应接PN结的 A ,

负端应接PN结 B 。 A.P区 B.N区

7、 二极管的反向饱和电流主要与 B 有关。(当温度一定时,少子浓度一定,反向电流几乎不

随外加电压而变化,故称为反向饱和电流。)

A.反向电压的大小 B.环境温度 C.制作时间 D.掺入杂质的浓度 8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 A 的关系曲线。

A.VD-ID B.VD-rD C.ID-rD D.f-ID

9、用万用表测量二极管的极性,将红、黑表笔分别接二极管的两个电极,若测得的电阻很

小(几千欧以下),则黑表笔所接电极为二极管的 C 。 A.正极 B.负极 C.无法确定 10、下列器件中, B 不属于特殊二极管。

A.稳压管 B.整流管 C.发光管 D.光电管 11、稳压二极管稳压,利用的是稳压二极管的 C 。

A.正向特性 B.反向特性 C.反向击穿特性 12、稳压管的稳定电压VZ是指其 D 。

A.反向偏置电压 B.正向导通电压 C.死区电压 D.反向击穿电压 13、光电二极管有光线照射时,反向电阻 A 。(反压下,光照产生光电流)

A.减少 B.增大 C.基本不变 D.无法确定 14、三极管的主要特征是具有____C____作用。

A.电压放大 B.单向导电 C.电流放大 D.电流与电压放大 15、三极管处于放大状态时____A____。

A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结正偏,集电结正偏 C.发射结反偏,集电结反偏 D.发射结反偏,集电结正偏 16、NPN三极管工作在放大状态时,其两个结的偏置为 A 。

A.UBE>0、 UBE0、 UBE>UCE D. UBE<0、 UCE>0

17、.对于PNP型三极管,为实现电流放大,各极电位必须满足___B____。

A.UC>UB>UE B.UCUC>UE D.UB

A.UC>UB>UE B.UCUC>UE D.UB

A.uCE与iB B.uCE与iC C.uBE与iC D.uBE与iB 20、输出特性曲线反映三极管____B____关系的特性曲线。

A.uCE与iB B.uCE与iC C.uBE与iC D.uBE与iB

21、场效应管三个电极中,用D表示的电极称为_____D______,用S表示的电极称为____B____,用G表示的电极称为_____A__。 A.栅极 B.源极 C.基极 D.漏极

22、场效应管的转移特性曲线反映的是______D_____之间的关系。 A. C.

vDSvCE与iD B.vBE与iB 与

iC D.

vGS与iD

23、场效应管的输出特性曲线反映的是_______B____之间的关系。 A.

vGS与iD B。

vDS与iD

C.

vDS与

iC D。

vCE与

iC

24、图3.4(a)、(b)分别代表___D_______绝缘栅场效应管。 A.P沟道增强型与N沟道耗尽型 B.N沟道增强型与N沟道耗尽型 C.N沟道耗尽型与P沟道增强型 D.P沟道耗尽型与N沟道增强型

25、场效应管的低频跨导表征_____C_____的控制作用。 A. C.

vdsvgs对对

idid B。 D。

vgsig对

vds

vds二. 填空题

1. 半导体具有 热敏特 性、 光敏特 性和 掺杂特 性。 2. 温度___升高_____将使半导体的导电能力大大增加。

3. 半导体材料中有两种载流子,即 自由电子 和 空穴 。 4. 杂质半导体按导电类型分为 P型半导体 和 N型半导体 。 5. N型半导体多子是 自由电子 ;P型半导体多子是 空穴 。 6. PN结的基本特点是具有 单向导电 性,PN结正向偏置时 导通 ,反向偏置时 截止 。

7. 二极管的伏安特性有: 正向 、 反向 和 反向击穿 特

性。

8. 二极管的反向电流随外界温度的升高而 升高 ;反向电流越小,说明二极管的单向导电性 越好 。一般硅二极管的反向电流比锗管 小 很多。 9. 二极管处于反偏时,呈现电阻__无限大______。 10. 二极管反向饱和电流IS会随___温度_____升高而增大。

11. 二极管的最高反向工作电压URM的含义是 二级管工作时允许外加的最大反向电

压 。

12. 稳压二极管通常是工作在 反向击穿 状态下的特殊二极管,发光二极管的

PN结工作在 正向 偏置状态时会发光。

13. 光电二极管又称 红远外线接收 二极管,其PN结工作在 反向偏置 状态,它

的反向电流会随光照强度的增加而 增加 。

14. 三极管是一种 电流 控制器件;而场效应管是一种 电压 控制器件。

15. 三极管具有电流放大作用的外部条件是:发射结 正向 偏置;集电结 反向

偏置。

16. 三极管起放大作用时的内部要求是:基区 很薄,参杂浓度

低 ;发射区 参杂浓度高 ;集电 结面积大 。

17. 三极管具有电流放大作用的实质,它是利用 基极 电流的变化控制 集电极

电流的变化。

18. 三极管输出特性曲线分为 截止 区、 饱和 区和 放大

区。

三极管的三个管脚电流关系是IE = IB +IC ,直流电流放大系数的定义式β= (IC - ICEO )/IB ,交流电流放大系数的定义式

= △ic / △ib 。

19. 场效应管属于___压控流型_____控制元件。

20. 绝缘栅场效应管分为___增强 ____型和____耗尽 ___型两类,各类又有__N___沟道和

___P__沟道两种。

21. 场效应管可分为____可变电阻____区、____夹断____区、___恒流_____区、____截断____

区四个区域。作为放大器件使用时,应工作在___恒流_____区。

22. 场效应管的低频跨导,表征___栅源电压______对___漏极电流______控制能力的重要参

数。

23. N沟道增强型MOS管的栅源电压为___正____时能控制漏极电流,耗尽型MOS管的栅

源电压为____正____或为___负_____时均能控制漏极电流。 24. 开启电压UT是指

vDS为定值时,使__增强型____MOS管_使漏极电流大于零所需的最小

_______的栅源电压。夹断电压UP是指

vDS为定值时,使___ 耗尽型_____MOS管__使

漏极电流为规定的微小电流________时的栅源电压。 三.问答题

1. 画出二极管的电路符号和文字符号,并说明二极管的主要特性。

2. 已知三极管的β=60,在放大电路中测得IC=8mA,求IB,IE。