IR2092问答

? A: IR的D类芯片耗电主要包括静态功耗和驱动功耗两方面,对使用者讲,好

的PCB设计;选取低Qg肖特基寄生二极管的FET做开关;低的调制频率,都可以有效降低IC攻耗。

? Q: 如何减少失真?

? A: 失真由多种因素造成的,讲议中列举了大多数常见诱因,请查看讲议。

? Q: 输出功率和效率分别为多少?

? A: 效率94%左右,功率覆盖20~10000以上的范围。

? Q: 请你们介绍一下如何对新D类功放芯片的测试的手段及常用设备。 ? A: 和传统功放测试基本一至,差异是测量D类功放时需加入一30KHZ低通滤

波器。

? Q: 我们用的class_D比较多,我想问IR新D类功放芯片替代原有设计会对过

程和成本产生怎样的影响,这个IC现在大量生产了吗?

? A: IR的D类功放产品已经大量生产。

? Q: 贵公司的开发工具目前国内可以供货吗?

? A: 您可以向IR的代理商买演示板并要求国内交货.谢谢!

? Q: 请问与同类厂家相比,贵公司方产品有何优势? ? A: 好的音质,完善的保护,适度的成本。

? Q: 可以从网上订购贵公司产品吗?

? A: 目前我们在中国主要还是通过代理商进行销售,如您有需要还请同我们的

代理商联系.谢谢!

? Q: D类放大是否可以用于带铁心的磁性线圈的电流控制? ? A: 完全没有问题。

? Q: 在噪音对比中,噪音源是方波吧?为什么噪声源和电容并联输入mos管呢 ? A: 噪音对比?噪音源?IR方案中没有这部分电路。

? Q: 请问有否类似IR的样品提供给我们参考测试

? A: IR有样品供客户测试,请与IR办事处或各地一级代理联系。

? Q: 请问在保证可靠的前提下,死区时间可缩短到多少?

? A: 要看MOSFET和驱动IC的规格,一般理想的工程条件下,最小可以设置到

10纳秒。

? Q: 请问设计时如何保证EMC

? A: PCB布线/元件选取/位置朝向等等都是降低EMC的关键,主要内容已经在

讲议中提级,详细内容请查阅IR网站(www.Irf.com)参看相关应用笔记。

? Q: IR D类地线如何走是最好的? ? A: 直/开尔文连接

? Q: D类功放的死区多少是最好的,不大于多少是最好的?

? A: 要看MOSFET和驱动IC的规格,一般;理想的工程条件下,半桥工作的实

际死区时间越短越好,最小可以设置到10纳秒。

? Q: 我想做到4R10000W,全桥的D类功放,用你们的哪一个IC最好!不知能

不能做到,用IR的IC?

? A: IRS2113/2181/2186(BTL) IRS2213(HB)都可以达到你的要求。这些IC

都有客户在用。

? Q: 关于IR的D类功放的仿真,可以用什么软件? ? A: IR的D类功放的仿真对软件没有特殊要求。

? Q: 供电电源有没有特殊要求? ? A: 没有特殊要求。

? Q: 取至输出滤波器前的反馈如何解决输出LC滤波器对高频阻尼系数和输出

电感非线性的影响?

? A: 可以外反馈解决。由于LC网络截止频率远高于24K,L值远小于负载,通

常无需处理。

? Q: 是否已经有用于hi-fi领域的实例? ? A: 已有客户生产多年。

? Q: class-d的音色超过class-ab的依据在哪里?真正hi-fi追求pure的还

都是ab类的甚至是calss-a类,业界普遍的观点还是class-d不过是个效率高的方式。

? A: IR为提高音色/音质做了大量工作,很难用少量文字表述。请联系IR或各

地一级代理,试听IR的D类功放演示板。耳听为实。

? Q: 现有的高端手机采用了本次研讨的D类功放了吗?

? A: IR方案功率范围>10W,经济使用范围>30W,因此;无法使用在手机里。

? Q: 能否推荐一个能在射频发射电路上用的功放100mW输出,希望性价比高,

外围电路少,体积小。

? A: IR方案功率范围>10W,经济使用范围>30W。

? Q: IC的丽音效果是怎么样的,分贝又是多少? ? A: IR的IC内部无丽音处理电路。

? Q: 深圳丽特多科技公司的杨宇全提问:对于CLASS D功放,您认为是用传统

的环形变压器供电好还是开关电源供电好?对于开关电源有什么特别要求吗?

? A: 对于电源,无特殊要求,可以按传统方式使用。电源额定功率可以略小。

? Q: D类功放的载频上升沿与下降沿不对称是什么问题?

? A: 沿不对称是杂散参数对负载电流的过程响应不同造成的,不必在意。

? Q: D类功放输出失真大是由哪些原因造成的?

? A: 失真是多种原因造成的,讲议中列举了包括喇叭线在内的常见各案,请参

考。

? Q: IRS2092S芯片发热量大是什么原因?

? A: IRS2092S是高压功率驱动控制IC,每周期驱动MOSFET都会输出1A左右的

电流,适度发热是正常的。按照IR推荐的匹配接法,IC发热都会控制在合理范围内,通常IC温升不会超过10゜C

? Q: D类功放的噪声大是什么问题?

? A: IR方案的噪音是非常小的。IR演示板的输出残余噪音小于200μV。

? Q: 用IRS2092S做全频功放时应注意哪些问题?从调试中发现频率响应不理

想,比如3-18KHz下降2dB 应如何调整?

? A: 最好能选择线性度比较好的元件,调制频率选择在300~400KHz,适当匹配

LC滤波器的L/C的值,可以比较要的解决问题。推荐L选取18~22μH。如果要进一步改善平坦度,L可以取到10μH,同时;调制频率提高到400KHz左右。

? Q: 还有一个问题,IRS2092资料里有说PWM调制及咔哒声抑制,我做过之后

发现关机后还有有噪音的。

? A: 电路的过度过程不匹配,前级电源电压降落引起的电压飘逸被后级放大造

成的。调整一下时序可以解决问题。

? Q: 过流保护设置与公式对不起来。用IRS2092与IR23N1500W/4欧,过流如何

设置?

? A: 对于过流保护设置值问题:1)电流保护阀值选取:流过FET的电流包括音

频输出和LPF滤波网络电流,所以;实际要求设置值要高于音频电流峰值。我比较喜欢这样选取:功放饱和输出时的最大输出电流X1.5;2)RDSON选取:可以根据实际最高工作温度选取,通常可以取85C时的RDSON值;3)有了电流和RDSON,就可以选IC的保护值了。这里需要注意的是大电流下的FET开关波型应该是很干净的方波,如果有毛刺的话,可以适当增加栅电阻和优化退耦结构。

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