6. 试解释强电场作用下GaAs的负阻现象。
7. 稳定光照下，半导体中的电子和空穴浓度维持不变，半导体处于平衡状态下吗？为什么？
8. 爱因斯坦关系是什么样的关系？有何物理意义？
9. 怎样才能使得n型硅与金属铝接触才能分别实现欧姆接触和整流接触？
综合练习题二
一、选择填空
1.Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体起施主作用的缺陷是（ ）。
A. 正离子填隙 B. 正离子缺位 C.负离子填隙 2.下列哪个参数不能由霍尔效应确定（）
A. 迁移率μ B. 载流子浓度 C. 有效质量m* 3.非平衡电子的扩散电流密度
扩的方向是（ ）。
A.流密度Sn的方向 B.电子扩散方向 C.电子浓度梯度方向
4. 有效陷阱中心的能级接近（）能级。
A.禁带中心能级 B.施主或受主能级 C.费米能级 5.在强电离区，N型半导体的费米能级位于（）
A.高于施主能级 B.低于施主能级 C.等于施主能级 6.在强电场下，随电场的增加，GaAs中载流子的平均漂移速率是（） A.增加 B.减少 C.不变
7.直接复合时，小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命τd主要决定于（ ）。 A.
B.
C.
8.N型半导体的霍尔系数随温度的变化
A. 从正变到负 B. 从负到正 C. 始终为负 9.有效复合中心的能级接近（）能级。
A.禁带中心能级Ei B.施主或受主能级 C.费米能级EF 10.对于某n型半导体构成的金－半阻挡层接触，加上正向电压时，随着电压增加，阻挡层的厚度将逐渐（）。
A. 变宽 B. 不变 C. 变窄
综合练习题三
一、单项选择题（总分16分，每小题2分）
1. 若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（ ） a） 不含施主杂质 b）不含受主杂质 c）本征半导体 d）处于绝对零度
2. 半导体中载流子扩散系数的大小决定于其中的（ ） a） 散射机构 b） 能带结构 c） 复合机构 d） 晶体结构
3. 在温室条件下，1cm3的硅中掺入浓度为1016/cm3的N型杂质，则其电导率将增加（ ）倍
a） 一百万 b） 一千万
c）十万 d）无法确定 4. 硅中掺金工艺主要用于制造（ ）器件 a） 大功率 b） 高反压 c） 高频 d）低噪声
5. 现有一材料的电阻率随温度增加而先下降后上升，该材料是（ ） a）金属 b）本征半导体
c）掺杂半导体 d）高纯化合物半导体 6. MOS器件的导电沟道是（ ）层 a）耗尽 b）反型 c）阻挡 d）反阻挡
7. 有效的复合中心能级通常都是靠近（ ） a）Ec b）Ev c）Ei d）Ef
8. 反向的PN结空间电荷区中不存在（ ）电流 a）少子 b）漂移 c）产生 d）复合
二、多项选择题（总分24分，每小题3分） 1. 以下的叙述中（ ）不属于空穴的特征 a）空穴浓度等于价带中空状态浓度 b）空穴所带的正电荷等于电子电荷
c）空穴的能量等于原空状态内电子的能量的负值 d）空穴的波矢与原空状态内电子的波矢相同
2. 关于电子的费米分布函数f(E)，叙述正确的是（ ） a）是能量为E的一个量子状态被电子占据的几率 b）电子在能量为E的状态上服从泡利原理
c）当EC-EF〉〉kT时，费米分布可用波尔兹曼分布近似 d）服从费米分布的半导体是简并的 3. 关于 a）流过 b）
结的叙述中（ ）是正确的
结的正向电流成分中空穴电流占优势
结的耗尽区宽度主要在N型侧
结的反向电流成分中没有复合电流
结的反向击穿电压
c）流过
d）降低N区的掺杂浓度可以提高
4. 下面四块半导体硅单晶，除掺杂浓度不同外，其余条件均相同，由下面给出的数据可知：电阻率最大的是（ ），电阻率最小的是（ ） a） c）
b） d）
，
5. 下列叙述正确的是（ ）
a）非平衡载流子在电场作用下，在寿命时间内所漂移的距离叫牵引长度
b）非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离称为扩散长度