c）基本能级位于禁带中央的下方 d）基本能级位于禁带中央的上方
3. 在制造半导体高速开关器件时，认为地掺入金，其目的是（ ） a）减少关断时间 b）增加电流放大倍数 c）提高击穿电压 d）增加少子寿命 4. 关于载流子浓度法是（ ）
a）仅适用于本征半导体 b）仅适用于p型半导体 c）仅适用于n型半导体 d）以上三种情况都适用 5. 由（ ）散射决定的迁移率正比于 a）电离杂质 b）声子波 c）光子波 d）电子间的
6. 关于半导体中非平衡载流子的寿命，下列叙述不正确的是( )。 a）寿命与材料类型有关 b）寿命与材料的表面状态有关 c）寿命与材料的纯度有关 d）寿命与材料的晶格完整性有关
7. 若pn结空间电荷区中不存在复合电流，则pn结一定在（ ）工作状态。
a）反向 b）正向 c）击穿 d）零偏压
8. 在同样的条件下，硅二极管的反向饱和电流要比锗二极管的要（ ）。
,对同一材料，在一定温度时，正确的说
a）大 b）小 c）相等 d）无法判断 二、多项选择题（总分24分，每小题3分） 1. 关于霍耳效应，下列叙述正确的是（ ）。 a）n型半导体的霍耳系数总是负值。
b）p型半导体的霍耳系数可以是正值，零或负值。 c）利用霍耳效应可以判断半导体的导电类型。 d）霍耳电压与样品形状有关。 2. 下列（ ）不属于热电效应。 a）塞贝克效应 b）帕耳帖效应 c）汤姆逊效应 d）帕斯托效应
3. 半导体pn结激光的发射，必须满足的条件是（ ）。 a）形成粒子数分布反转 b）共振腔
c）至少达到阈值的电流密度 d）pn结必须处于反向工作状态 4. 若
，则正确的是（ ）。
a）金属与n型半导体接触形成阻挡层 b）金属与p型半导体接触形成反阻挡层 c）金属与n型半导体提接触形成反阻挡层 d）金属与p型半导体接触形成阻挡层
5. 下列结构中，（ ）可以实现欧姆接触。 a）金属-n+-n b）金属-p+-p c）金属-p-p+ d）金属-n-n+ 6. 下列关于p+n结的叙述中，（ ）是正确的。 a）p+n结的结电容要比相同条件的pn结结电容大 b）流过p+n结的正向电流中无产生电流成分 c）p+n结的开关速度要比一般pn结的开关速度快 d）p+n结的反向击穿电压要比一般pn结的低 7. 对于硅pn结的击穿电压，叙述正确的是（ ）。 a）击穿电压>6.7V时，为雪崩击穿 b）击穿电压<4.5V时，为隧道击穿 c）隧道击穿电压的温度系数为正值 d）雪崩击穿电压的温度系数为负值 8. 在理想MIS结构中，下列结论（ ）正确。 a）平带电压为零 b）体表面势为零
d）无外加电压时，半导体表面无反型层也无耗尽层 三、填空题（共15分，每题3分）
1.在晶体中电子所遵守的一维薛定谔方程，满足此方程的布洛赫函数为 。
2. 硅掺磷后，费米能级向 移动，在室温下进一步提高温度，费米能级向 移动。
c）无外加电压时，半导
3. 画出硅的电阻率随温度的变化关系示意图。 。
4.写出p型半导体构成的理想MIS结构形成下列状态所满足的条件： ① 多子堆积 ② 多子耗尽
③ 反型 ___________________________________
5. 暖电子通常指的是它的温度 晶格温度。而热电子指的是电子的温度 晶格温度。
四、解释或说明下列各名词（共15分，每小题5分） 1. 空穴
2. 准费米能级 3. pn结的雪崩击穿
五、说明以下几种效应及其物理机制，并分别写出其可能的一种应用（总分21分，每小题7分） 1.霍耳效应
2.半导体的光声伏特效应 3.pn结的电容效应
六、计算题或证明题（总分59分，共 5小题) 1.（12分）计算硅p+n+结在
时的最大接触电势差。
，n区电阻率为
。
2.（12分）设硅p+n结的p区电阻率为0.0110
，电子迁移率为100
，空穴迁移率为300
求：（1）接触电势差 （2）势垒高度 （3）势垒宽度