锗的带隙宽度测量实验报告

电压降:

a:晶体的长度 即可测得未掺杂的锗晶体的电导率:

三、实验器材

未掺杂的锗晶体,霍尔效应基础设备,CASSY传感器,CASSY Lab 软件,可控电流发生器,电源,支架,导线若干。 四、实验数据

以上测了3组数据,取A平均值A=-1865,由公式:

得到Eg=0.74eV。 五、实验结果与分析

Eg=0.74eV,

文献引用值

Eg(0K)=0.74eV,Eg(300k)=0.67eV。

误差分析:1.实验材料锗长期暴露在空气中,导致部分锗被氧化,使得实验材料不纯,造成误差。

2.实验仪器的精度有限,造成实验误差。 实验建议:提供更加纯的锗做实验,提高实验器材的精度。

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