11. 8086的存储器分为 ________存储体和_______存储体。
12. 衡量存储器的技术指标主要有________，_______和成本。
13. 衡量存储器的技术指标主要有存储容量，____________和___________
14. 以8086为CPU的微型计算机内存RAM区为00000H~3FFFFH，若采用8K*8的6264构成，需要__
______片芯片，若采用256K*1的21256构成，需要________片芯片。
15. 计算机需要主存储器存放当前运行的________和_______。
解答: 1. 2. 3. 4. 5.
6.
7. 单列直插，双列直插 8. 9. 10. 11. 12.
13. 14.
15. 程序、数据
四.简答题
1. 存储器的存取时间和存取周期有什么区别？
2. 地址重复是怎么回事？
3. 简述存储系统的层次结构及各层存储部件特点。
4. DRAM为什么要刷新？
5. 存储系统如何进行刷新？
6. 请给出下图中138译码器的所有译码输出引脚对应的地址范围。
7. 写出下图中138译码器指定引脚译码输出的地址范围。
8. 利用全地址译码将6264芯片接在IA-32的系统总线上，其所占地址范围为0BE000H~0BFFFF H，画出连接电路图。
解答:
1. 存取时间是指从读/写命令发出，到数据传输操作完成所经历的时间；存取周期表示两次 存储器访问所允许的最小时间间隔。存取周期大于等于存取时间。
2. 译码电路中只有部分地址线参与译码会造成地址重复，也就是一个存储单元占有多个存 储器地址。
3. 为解决容量．速度和价格的矛盾，存储系统采用金字塔型层次结构，单位价格和速度自 上而下逐层减少，容量自上而下逐层增加。
存储系统的各层存储部件自上而下依次是：CPU寄存器．高速缓存．主存存储器(RAM/ROM
)，辅助存储器如磁盘．光盘等。CPU寄存器．高速缓存器集成在CPU芯片上，对用户来说， 是透明的，它们用于暂存主存和处理器交互的数据，以减少频繁读取主存而影响处理器速度 ；主存储器则可和处理器直接交换数据，而辅助存储器必须经过主存存储器，才可与处理器 进行数据交换。
4. DRAM以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容
的容量很小，充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失，所以要不断对它进行刷新操作．即读 取原内容．放大再写入。
5. 存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址，将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际
上，刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片，所有DRAM芯片都在同
时进行一行的刷新操作。
刷新控制电路设置每次行地址增量，并在一定时间间隔内启动一次刷新操作，就能够保 证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。 6. 7.
8.
五.名词解释 1. RAM
2. ROM
3. SRAM
4. FLASH ROM
5. NVRAM
6. 完全译码
7. 部分译码
8. 系统RAM区
9. 存储容量
10. 存取速度
11. 空间局部
12. 时间局部
13. 辅助存储器
14. 地址译码
15. 虚拟存储器 解答: 1.
2.
3. SRAM是静态读写存储器芯片，它以触发器为基本存储单元，以其两种稳定状态表示逻辑0
和逻辑1。
4. Flash ROM：是一种新型的电擦除可编程ROM芯片，能够很快擦除整个芯片内容。
5. NVRAM多指带有后备电池的SRAM芯片，这种芯片采用CMOS制造工艺设计以减少用电。
6. 使用全部系统地址总线进行译码。特点是地址唯一，一个存储单元只对应一个存储器地