中篇 模拟电子技术基础
第五章 半导体二极管、晶体管和场效应管
一、填空题
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 ，少数载流子为 ，定域的杂质离子带 电。
2、双极型三极管内部有 区、 区和 区，有 结和 结及向外引出的三个铝电极。 3、PN结正向偏置时，内、外电场方向 ，PN结反向偏置时，内、外电场方向 。 4、二极管的伏安特性曲线上可分为 区、 区、 区和 区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 。
6、双极型三极管简称晶体管，属于 控制型器件，单极型三极管称为 MOS管，属于 控制型器件。MOS管只有 载流子构成导通电流。
7、场效应管是利用外加电压产生的 来控制漏极电流的大小的。 二、判断正误
9、场效应管若出厂前衬底与源极相连，则漏极和源极就不能互换使用。 （ √ ） 三、选择题
1、单极型半导体器件是（ ）。
A、二极管； B、稳压管；
C、场效应管； D、双极型三极管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。
A、三价；
B、四价；
C、五价；
D、六价。
3. N型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。
A、三价；
B、四价；
C、五价；
D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ ）。
A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1KΩ，说明该二极管（ ）。
A、已经击穿；
B、完好状态； C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ ）而成。 A、多子漂移；
B、少子漂移； C、多子扩散； D、少子扩散。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（ ）。
A、截止区；
B、饱和区；
C、放大区；
D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ ）。
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A、为零； B、较小；
C、较大；
D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ ）。
A、矩形方波；
B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。
9、三极管超过（ ）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICM； C、集电极最大允许耗散功率PCM；
B、集—射极间反向击穿电压UBRCEO； D、管子的电流放大倍数?。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ ）
A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 11、场效应管是_____器件。
A、电压控制电压 B、电流控制电压 C、电压控制电流 D、电流控制电流 12、场效应管漏极电流由____的运动形成。
A、少子
B、电子
C、多子
D、两种载流子
13、稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A、正向导通区 B、反向截止区 C、反向击穿区
四、简述题
1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2、N型半导体和P型半导体有何不同？各有何特点？它们是半导体器件吗？
答：本征半导体中掺入五价杂质元素后可得到N型半导体，N型半导体中多子是自由电子，少子是空穴，定域的离子带正电；本征半导体中掺入三价杂质元素后可得到P型半导体，P型半导体中多子是空穴，少子是自由电子，定域的离子带负电。这两种类型的半导体是构成半导体器件的基本元素，但它们都不能称之为半导体器件。
3、何谓PN结？PN结具有什么特性？
答：在同一块晶体中的两端注入不同的杂质元素后，在两端分别形成P区和N区，而在P区和N区交界处因为浓度上的差别而出现扩散，扩散的结果在两区交界处形成一个干净的离子区，这个离子区就是PN结，PN结具有单向导电性：正向偏置时导通，反向偏置时截止。
4、齐纳击穿和雪崩击穿能否造成二极管的永久损坏？为什么？
答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆，只要控制使其不发生质变引起热击穿，一般就不会造成二极管的永久损坏。
5、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以
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一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
6、右图所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U0。
答：分析：根据电路可知，当ui>E时，二极管导通u0=ui，当ui u/V 10 5 0 ui u0 ωt 7、半导体二极管由一个PN结构成，三极管则由两个PN结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？ 答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，根据三极管的内部结构条件，基区很薄，只能是几个微米，若将两个二极管背靠背连接在一起，其基区太厚，即使是发射区能向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续扩散到集电区，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。 8、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？ 答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。 9、电击穿和热击穿有何不同？试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。 答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。如果上述两种击穿不加任何限制而持续增强时，由于PN结上的热量积累就会造成热击穿，热击穿过程不可逆，可造成二极管的永久损坏。 第六章 基本放大电路 一、填空题 1、基本放大电路的三种组态分别是： 放大电路、 放大电路和 放大电路。 2、放大电路应遵循的基本原则是： 结正偏； 结反偏。 3、将放大器 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 信号。使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 反馈。放大电路中常用的负反馈类型有 负反馈、 负反馈、 负反馈和 负反馈。 4、射极输出器具有 恒小于1、接近于1， 和 同相，并具有 高和 低的特点。 5、放大电路的基本分析方法有 法和 法两种。 6、对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻 越好，因为这可以减轻信号源的负荷。人们又希望放大电路的输出电阻 越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。 3 7、场效应管放大电路和双极型放大电路相比，具有输入电阻 ，噪声 和集成度 等优点，但由于跨导较小，使用时应防止栅极与源极间 短接击穿 。 8、多级放大电路通常有 耦合、 耦合和 耦合的三种耦合方式。 9、电压放大器中的三极管通常工作在 状态下，功率放大器中的三极管通常工作在 参数情况下。功放电路不仅要求有足够大的 ，而且要求电路中还要有足够大的 ，以获取足够大的功率。 10、晶体管由于在长期工作过程中，受外界 及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做 漂移。克服 漂移的最有效常用电路是 放大电路。 11、影响放大电路低频响应的主要因素是 ；影响其高频响应的主要因素为 。 12、多级放大电路的级数越多，其电压增益越 ；频带越 。 二、判断正误 4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。 （√） 5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。 （√） 7、微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。 （√） 9、共基组态的放大电路，基本上没有电流放大，但具有功率放大。 （√） 12、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。 （√） 13、放大器通常工作在小信号状态下，而功放电路是工作在极限状态下。 （√） 14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。 （√） 16、放大电路的集电极电流超过极限值ICM，就会造成管子烧损。 （√） 18、采用适当的静态起始电压，可达到消除功放电路中交越失真的目的。 （√） 19、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。 （√） 20、由于耦合电容和三极管极间电容的影响而出现的频率失真是非线性失真。（√） 三、选择题 1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（ ）。 A、直流成分； B、交流成分； C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象是（ ）。 A、直流信号； B、交流信号； C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（ ）。 A、截止失真； B、饱和失真； C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件是（ ）。 A、电阻RB； B、电阻RE； C、电阻RC。 5、功放首先考虑的问题是（ ）。 A、管子的工作效率； B、不失真问题； C、管子的极限参数。 6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（ ）。 4