17-18华南农业大学期末考试试卷半导体物理A

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1. 什么是负微分电阻现象?

2. pn结热平衡时势垒高度qVD的大小与中性p区和n区的费米能级(Efn和Efp)的关系是什么? 3. 简并度和状态密度的区别是什么?

4. n型半导体材料处于非平衡状态时,准费米能级相对平衡费米能级的位置如何? 5. 导带电子浓度与温度的关系曲线分为低温部分电离区、强电离区、高温本征激发区、等等。一般而言,实际器件工作在那个区域?

6. AlGaAs和GaAs形成的量子阱结构中阱材料是那个?

7. 设GaAs为p型半导体,如果AlGaAs和GaAs形成的异质结为反型异质结,则AlGaAs掺杂类型是什么?

8. 同金属相比,半导体中的霍尔效应为什么容易测到?

9. 自旋向上和自旋向下的电子对何种场反应不相同(从电场、磁场、重力场选)?

10. 电子自旋可由什么实验证实(从斯特恩-盖拉赫实验、光电效应、密立根油滴实验选)? 11. 肖特基整流二极管和pn结整流二极管的速度那个快? 12.功函数和亲和能是如何定义的(大小等于多少)? 13. 广义欧姆定律的数学表达式是什么?

14.产生白光LED常用的方法有三种:第一种,红光LED+蓝光LED+绿光LED;第二种,蓝光LED+黄光荧光粉。请问第三种是什么?

15. 利用MOS结构产生2DEG时,要求半导体是什么导电类型?

16. 光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应(光伏效应)。请问那些光电效应是外光电效应?

17. 可见光的波长大致在什么范围(用纳米表示)? 18. 非挥发性半导体存储器的基本单元是什么?

19. pn结二极管正向偏置时,其正向导通电流由多子决定还是由少子决定? 20. 硅中掺入百万分子之一的砷,则砷的掺杂浓度是多少?

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