材料物理性能-吴其胜-习题解答

《材料物理性能》 习题解答

解:

n?A?B?2B?1.6525?A???43582??A?1.5754??6 ?1.6245?A?B ?B?1.4643?102?5461?1.4643?106??5893时n?1.5754??1.617625893色散率:dnd??(B??2)'??2B??3??1.431?10?53-5.摄影者知道用橙黄滤色镜拍摄天空时,可增加蓝天和白云的对比,若相机镜头和胶卷底片的灵敏度将光谱范围限制在3900-6200A之间,并反太阳光谱在此范围内视成常数,当色镜把波长在5500A以后的光全部吸收时,天空的散射光波被它去掉百分之几呢?

[瑞利Rayleugh定律认为:散射光强与λ4成反比] 解:

11?33?5500?55006200 ??14.3%

6200111?3900?4dx39003?6200362001dx4

3-6.设一个两能级系统的能级差E2?E1?0.01eV

(1)分别求出T=102K103K,105K,108K时粒子数之比值N2/N1 (2)N2=N1的状态相当于多高的温度?

(3)粒子数发生反转的状态相当于臬的温度?

解: 1)

?E2?E1N2?ekTN1?0.01evN2 ?E2?E1?0.01ev? ?ekTN1N分别将T代入即可求出2的值分别为:0.3134,0.8905,0.9194,0.999999884N12)

N2?N1的状态相当于多高的温度?0.01ev?0.01evN2 ??ekT?当ekT?1时,所得的T即为所求

N1?T?1083)

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《材料物理性能》 习题解答

已知当N2?N1时粒子数会反转,所以当e?0.01evkT?1时,求得T<0K, 所以无法通过改变温

度来实现粒子反转

3-7.一光纤的芯子折射率n1=1.62,包层折射率n2=1.52,试计算光发生全反射的临界角θc.

解:

?c?sin?1???n2??1?1.52????sin?1.218?69.8 ????n1??1.62? 17

《材料物理性能》 习题解答

4 材料的电导性能

4-1 实验测出离子型电导体的电导率与温度的相关数据,经数学回归分析得出关系式为:

1lg??A?B

T(1) 试求在测量温度范围内的电导活化能表达式。 (2) 若给定T1=500K,ζ1=10-9(?.cm)?1

T2=1000K,ζ2=10-6(?.cm)?1

计算电导活化能的值。 解:(1)??10(A?B/T) ln??(A?B/T)ln10

??e(A?B/T)ln10=eln10Ae(ln10.B/T) =A1e(?W/kT) W=?ln10.B.k

式中k=0.84*10?4(eV/K)

(2) lg10?9?A?B/500 lg10?6?A?B/100 0 B=-3000

W=-ln10.(-3)*0.86*10-4*500=5.94*10-4*500=0.594eV 4-2. 根据缺陷化学原理推导 (1)ZnO电导率与氧分压的关系。

(2)在具有阴离子空位TiO2-x非化学计量化合物中,其电导率与氧分压的关系。

(3)在具有阳离子空位Fe1-xO非化学计量化合物中,其电导率与氧分压的关系。

(4)讨论添加Al2O3对NiO电导率的影响。 解:(1)间隙离子型:ZnO?Zni

???1/61?2e??O2 ?e???PO2

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《材料物理性能》 习题解答

1?1/4??或ZnO?Zni?e?O2 ?e??PO2

2?1/61(2)阴离子空位TiO2-x: Oo?O2?Vo???2e? ?e???PO2

21?1/6(3)具有阳离子空位Fe1-xO:O2?Oo?VFe?2h? h??P O22???(4)添加Al2O3对NiO:

Al2O3?2AlNi??VNi??3Oo

添加Al2O3对NiO后形成阳离子空位多,提高了电导率。

4-3本征半导体中,从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为:

n?Nexp(?Eg/2kT)

式中N为状态密度,k为波尔兹曼常数,T为绝对温度。试回答以下问题: (1)设N=1023cm-3,k=8.6”*10-5eV.K-1时, Si(Eg=1.1eV),TiO2(Eg=3.0eV)在室温(20℃)和500℃时所激发的电子数(cm-3)各是多少:

(2)半导体的电导率ζ(Ω-1.cm-1)可表示为

??ne?

式中n为载流子浓度(cm-3),e为载流子电荷(电荷1.6*10-19C),μ为迁移率(cm2.V-1.s-1)当电子(e)和空穴(h)同时为载流子时,

??nee?e?nhe?h

假定Si的迁移率μe=1450(cm2.V-1.s-1),μh=500(cm2.V-1.s-1),且不随温度变化。求Si在室温(20℃)和500℃时的电导率

解:(1) Si

20℃ n?1023exp(?1.1/(2*8.6*10?5*298)

=1023*e-21.83=3.32*1013cm-3

500℃ n?1023exp(?1.1/(2*8.6*10?5*773) =1023*e-8=2.55*1019 cm-3 TiO2

20℃ n?1023exp(?3.0/(2*8.6*10?5*298)

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