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B?2k??0(a2?a1)a1a2 (3)
由于a0< Φ?BS?2k??0(a2?a1)a1a22πa0 (4) 由于?是变化的,所以上述磁通量是随时间变化的,产生的感应电动势的大小为 E????t?2k?0(a2?a1)πa0??a1a2?t2?2k?0(a2?a1)πa0?a1a22 (5) 由全电路欧姆定律可知,导线环内感应电流的大小为 I?ER?2k?0(a2?a1)πa0?a1a2R2 (6) 设题图中薄圆环带正电作逆时针旋转,穿过导线圆环的磁场方向垂直纸面向外,由于薄圆环环作减角速转动,穿过导线圆环的磁场逐渐减小,根据楞次定律,导线圆环中的感应电流亦为逆时针方向,导线圆环各元段?l所受的安培力都沿环半径向外.现取对于y轴两对称点U、V,对应的二段电流元I?l所受的安培力的大小为 方向如图所示,它沿x及y方向分量分别 ?fx?BI?l?cos??BI?y ?f?BI?l (7) ?f U ?fx ?l y ?fy M ?fy??y ?l ?x V ?fx?x N ?f?Q O ?????(8) www.ks5u.com 版权所有@高考资源网 高考资源网(ks5u.com) 您身边的高考专家 ?fy?BI?l?sin??BI?x (9) 根据对称性,作用于沿半个导线圆环QMN上的各电流元的安培力的x分量之和相互抵消,即 fx??BIΔy?BI?Δy?0 π2 (10) 时,?y是正的,当?? π2 (式中?y??lcos?,当?? 时,?y是负的,故??y?0), 而作用于沿半个导线圆环QMN上的各电流元的安培力的y分量之和为 fy??BIΔx?BI?Δx?BI2a0 (11) (式中?x??lsin?,由于?在0??之间?x都是正的,故??x?2a0), 即半个导线圆环上受的总安培力的大小为BI2a0,方向沿y正方向,由于半个圆环处于平衡状态,所以在导线截面Q、N处所受(来自另外半个圆环)的拉力(即张力)F应满足、(6)两式得 2F?BI2a0.由(3) 4k?0πa0(a2?a1)?22a1a22232F?BIa0?R??0??t? (12) 由(12)式可见,张力F随时间t线性减小. 6.提示:(x+?x)=x+3x?x+3x(?x)+(?x) 将导体棒无限分小,则导体中的电动势为?=???i=K??ri? ri, 由(r+?r)3=r3+3r2?r+3r(?r)2+(?r)3略去高阶小量(?r)2和(?r)3,可得: 111 r2?r= [(r+?r)3-r3],代入上式得:?= K??(ri3-ri-13)= K? a3, 333K? a3 电流为I= = ,各小段所受安培力为?fi=BI? ri=KriI? ri, R3R 2 3 3 2 2 3 ?1122333 其力矩为?Mi=ri ?fi=KriI? ri,则M=??Mi=KI?ri? ri= KI?(ri-ri-1)= KI a= 33K2? a6 。 9R 1K? a1 摩擦力为 ?mg,由力矩平衡得:Fa=M+Mf,则F= + ?mg。 29R2 E1+E2(Ba1?1+Ba2?2)/2Ba1(a1+a2)v/2a0 R = = , R+RA1+RA2R+R1/4+R2/4R+R1/4+R2/4 O 2222 5 7.提示:I= H P匀速下降时有mgv=I(R+R1/4+R2/4),可解得 @ 高考资源网 P www.ks5u.com 版权所有 高考资源网(ks5u.com) 您身边的高考专家 mg(4R+R1+R2)a02v= 。 222Ba1(a1+a2) 8.解:如图1所示,设筒内磁场的方向垂直纸面指向纸外,带电粒子P带正电,其速率为v.P 从小孔射入圆筒中因受到磁场的作用力而偏离入射方向,若与筒壁只发生一次碰撞,是不可能从小孔射出圆筒的.但与筒壁碰撞两次,它就有可能从小孔射出.在此情形中,P在筒内的路径由三段等长、等半径的圆弧HM、MN和NH组成.现考察其中一段圆弧MN,如图2所示.由于P沿筒的半径方向入射,OM和ON均与轨道相切,两者的夹角 (1) 设圆弧的圆半径为r,则有 (2) 圆弧对轨道圆心O′所张的圆心角 (3) 由几何关系得 (4) 解(2)、(3)、(4)式得 (5) 2.P由小孔射入到第一次与筒壁碰撞所通过的路径为s=βr (6) 经历时间为 (7) P从射入小孔到射出小孔经历的时间为t=3t1 (8) 由以上有关各式得 (9) 9.解:(1)导线排的电流产生的磁场: www.ks5u.com 版权所有@高考资源网 高考资源网(ks5u.com) 您身边的高考专家 取导线排方向为x轴,垂直于导线排方向为y轴,位于x到x+?x之间的细导线可以看作“一根”通有电流I??x的长直导线, 在P点产生的磁感应强度为?B=I??xI??xk ,?Bx=k cos ?=kI???,由rr对称性知B在y方向的分量可以互相 y ?B P ? ?? x ? x x M1 O M2 抵消,则B=k?I?,两导线排产生的磁场方向夹角为120?,所以合磁场的磁感应强度仍为B0=k?I?, (2)半导体片两则的电势差: -。fB=qvB0=fE=Uq ,所以U=k?I?I0 。 I0=nqvS=nqvlab nql-ab www.ks5u.com 版权所有@高考资源网