F2?(A?B)(C?D)?(E?F)(G?H)
?A?B?C?D?E?F?G?H
欲用扇入为2的ECL“或/或非”门需要的门 电路4个，实现电路如习题图所示。
习题 画出用I2L基本单元电路实现下述 操作的电路图及逻辑图。
F1?AB，F2?AB?CD，F3?AB?AB
解：I2L基本单元电路的任何一个输出与输入
之间都是“非”逻辑关系，可采用“线与”形式连成各种门电路。实现相应逻辑操作的电路图和逻辑图如习题图所示。
A A
B F1
A
F2
B
A B B
A
F3
C
D
B
习题图
习题 分别用两输入四与非门（74HC11）和两输入四或非门（74HC01）实现F1=ABCD和F2=A+B+C+D ，画出逻辑图。
解：首先利用还原律，将表达式变成与非—与非式和或非—或非表达式，
F1?ABCD?ABCD?ABCD
F2?A?B?C?D
由表达式画出逻辑图，如习题图所示。
A B C D & & & & F1
A B C D ≥1 ≥1 ≥1 ≥1 F2
& & ≥1 ≥1 习题图
习题 CMOS电路如习题图所示。
1. 分析电路逻辑功能，分别写出F1、F2的逻辑表达式。 2. 试说明两种电路的相同之处和不同之处。
EN UDD A & UDD F2
≥1 A F1
EN (a) (b)
习题图
?A解： 1. F1???ZEN?0?A F2??EN?1?ZEN?1
EN?02．相同之处是电路实现的都是三态门的功能。不同之处是控制电路工作的有效电平，图(a)是低电平使能，图(b)是高电平使能。
习题 试画出实现方程F=AB+C的CMOS电路图。
解：要实现的逻辑函数有三个输入端A、B、C，每个输入端都与一个NMOS和一个PMOS管相对应。A和B之间实现的是与运算，所对应的NMOS管相串联，PMOS管相并联，又C和AB之间实现的或逻辑关系，只要将他们对应的NMOS管并联，PMOS管串联相接即可。经过上述连接得到的逻辑关系是AB?C，所以在输出端必须再加一级CMOS反相器。电路图如习题图所示。
习题 习题图(a)、(b)所示为两种CMOS门电路，试分别写出各图的逻辑式，并画出逻辑图。
解：图(a)所示的电路是由一个CMOS反相器和一个CMOS传输门组成。反相器的输入端为A，输出端为A，E是传输门的控制信号端。当E为高电平时，传输门开启，将输入端
的信号传送到输出端；当E为低电平时，传输门关闭，输入信号与输出信号的联系将被切断。经上述分析可得到该电路的逻辑式为：
A B
UDD A X1 1 1 F1
UDD
B F
C A 习题图
UDD
1 B F2
(a)
=1 (b)
A E
& F1
A B
F2
(c) (d)
习题图
?AF1???ZE?1时
E?0时由逻辑式可看出该电路实际上是一个三态门。
图(b)所示电路中，分析M与A、B的逻辑关系可知，只有A、B全为低电平时，M才输出高电平，由此可得：
M?A?B?ΑB
而电路的输出F2与M、A、B有关，分析它们之间的逻辑关系可知，只要M为高电平或A和B全为高电平时，输出为低电平；而当M为低电平且A和B中有一个为低电平时，输出为高电平，由此可得
F2?M?AB?AB?AB?A?B
该电路实际上是CMOS异或门。习题图(c)、(d)给出两个电路的等效符号。
习题习题图所示电路均为CMOS电路，按照电路逻辑功能和图中所示输入状态，指出各电路的输出状态。
UDD
UDD & & F1
UIH F2
X1 UIH 1 1 =1 F3
≥1 UIL 1 UDD UIH
（a）
（b）
（c）
习题图
解：习题图(a)所示电路之中，与非门的三个输入端中有一个输入端接地，得到与非门的输出状态F1?1。
习题图(b)所示电路是一个与或非门，上面的与门的两个输入端都接高电平，输出为高电平；下面的与门有一个输入端接低电平，输出为低电平。又或非门的输入端一端为高电平，一端为低电平，输出状态F2?0。
习题图(c)所示电路是由一个传输门和一个异或门构成，由于传输门的门控制信号接低电平，所以传输门关闭。异或门的一个输入端相当于接高电平，另一个输入端相当于接低电平，其输出状态F3?0?1?1。
习题 TTL-CMOS接口电路如习题图所示，试从电平匹配的观点分析RP的作用。
UCC= UDD=5V UCC= UDD=5V RP ～ uI
& 1 uO
uI 1 1 & uO
习题图 习题图