1章常用半导体器件题模拟电路(第四版)清华大学出版社解_百(精)

解 :根 据 P C M =200mW 可 得 :U C E =40V 时 I C =5mA , U C E =30V 时 I C ≈ 6.67mA , U C E =20V 时 I C =10mA , U C E =10V 时 I C =20mA , 将 各 点 连 接 成 曲 线 , 即 为 临 界 过 损 耗 线 , 如 解 图 T1.5所 示 。 临 界 过 损 耗 线 的 左 边 为 过 损 耗 区 。

六 、 电 路 如 图 T1.6所 示 , V C C =15V , β=100, U B E =0.7V 。 试 问 : (1 R b =50k Ω时 , u O =? (2 若 T 临 界 饱 和 , 则 R b ≈ ? 解 :(1 R b =50k Ω时 , 基 极 电 流 、 集 电 极 电 流 和 管 压 降 分 别 为

26 b BE

BB B =-=R U

V I μA V

2mA 6. 2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β

所 以 输 出 电 压 U O =U C E =2V 。 图 T1.6 (2 设 临 界 饱 和 时 U C E S =U B E =0.7V , 所 以

Ω ≈-= == =-= k 4. 45A 6. 28mA 86. 2B BE BB b C B c CES CC C I U V R I I R U V I μβ

七 . 测 得 某 放 大 电 路 中 三 个 MOS 管 的 三 个 电 极 的 电 位 如 表 T1.7所 示 , 它 们 的 开 启 电 压 也 在 表 中 。 试 分 析 各 管 的 工 作 状 态 (截 止 区 、 恒 流 区 、 可 变 电 阻 区 , 并 填 入 表 内 。

表 T1.7

解 :因 为 三 只 管 子 均 有 开 启 电 压 , 所 以 它 们 均 为 增 强 型 MOS 管 。 根 据 表 中 所 示 各 极 电 位 可 判 断 出 它 们 各 自 的 工 作 状 态 , 如 解 表 T1.7所 示 。

解 表 T1.7

习 题

1.1选 择 合 适 答 案 填 入 空 内 。

(1在 本 征 半 导 体 中 加 入 素 可 形 成 N 型 半 导 体 ,加 入 素 可 形 成 P 型 半 导 体 。

A. 五 价 B. 四 价 C. 三 价

(2 当 温 度 升 高 时 , 二 极 管 的 反 向 饱 和 电 流 将 。

A. 增 大 B. 不 变 C. 减 小

(3 工 作 在 放 大 区 的 某 三 极 管 , 如 果 当 I B 从 12μA 增 大 到 22μA 时 , I C 从 1mA 变 为 2mA , 那 么 它 的 β约 为 。

A. 83 B. 91 C. 100

(4 当 场 效 应 管 的 漏 极 直 流 电 流 I D 从 2mA 变 为 4mA 时 , 它 的 低 频 跨 导 g m 将 。

A. 增 大 B. 不 变 C. 减 小 解 :(1 A , C (2 A (3 C (4 A

1.2 能 否 将 1.5V 的 干 电 池 以 正 向 接 法 接 到 二 极 管 两 端 ? 为 什 么 ? 解 :不 能 。 因 为 二 极 管 的 正 向 电 流 与 其 端 电 压 成 指 数 关 系 , 当 端 电 压 为 1.5V 时 , 管 子 会 因 电 流 过 大 而 烧 坏 。

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