二级管电路习题选
1 在题1.1图所示电路中，U0电压为（ ）。 （a）12V （b）-9V （c）-3V
2 在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（ ）。
（a）D1导通，D2、D3截止 （b）D1、D2截止，D3导通 （c）D1、D3截止，D2导通
题1.1图 题1.2图
3 在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2的工作状态为（ ）。
（a）D1导通，D2、截止 （b）D1、D2均导通 （c）D1、截止，D2导通
题1.3图 题1.4图
4 在题1.4图所示电路中，D1、D2为理想元件，则电压U0为（ ）。 （a）3V （b）5V （c）2V
5 电路如题1.5图（a）所示，二极管D为理想元件，输入信号ui为图（b）所示的三角波，则输出电压u0 的最大值为（ ）。 （a）5V （b）17V （c）7V
（a） (b) 题1.5图
6 在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV,R=4KΩ,则uF等于( ).
（a）3V （b）2sinωtV （c）3+2sinωtV
题1.6图 题1.7图
7 在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压U0为（ ）。 （a）3V （b）0V （c）－12V
8 在题1.8图（1）所示电路中，二极管D为理想元件，设u1=2sinωtV,稳压二极管DZ的稳定电压为6V，正向压降不计，则输出电压u0的波形为图（2）中的波形（ ）。
(1) (2)
9 在题1.9图所示电路中，稳压二极管DZ2的稳定电压为6V，DZ2的稳定电压为12V，则输出电压U0等于（ ）。
（a）12V （b）6V （c）18V
10 在题1.10图所示电路中，稳压二极管DZ1和 DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向电压降都是0.7V。则电压U0等于（ ）。 （a）3V （b）15V （c）－3V
11 在题1.11图所示电路中，稳压二极管DZ1的稳定电压UZ1=12V,DZ2的稳定电压UZ2=6V，则电压U0等于（ ）。
（a）12V （b）20V （c）6V
12 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个级的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（a ）。
（a）发射极 （b）集电极 （c）基极 13晶体管的工作特点是（ a ）。
一、（a）输入电流控制输出电流 （b）输入电流控制输出电压 选
择题
1．在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（ ）
A、带正电 B、带负电 C、不带电 D、不能确定
2．如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为 （ ）
A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不能确定
3．在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（ ）。
A. PNP锗管 B. NPN硅管 C. NPN锗管 D. PNP硅管 4、已知某三极管的三个电极电位为6V, 2.7V, 2V, 则可判断该三极管的类型及工作状态为（ ）。
A、NPN型，放大状态 B、PNP型，截止状态 C、NPN型，饱和状态 D、PNP型，放大状态
5.已 知 某 晶 体 管 处 于 放 大 状 态， 测 得 其 三 个 极 的 电 位 分 别 为 6V、9V 和 6.3V， 则 6V所 对 应 的 电 极 为（ ）。
A. 发 射 极 B.集 电 极 C.基 极 6．二极管的反向电阻（ ）。
A．小 B．大 C．中等 D．为零
7．测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA，3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为（ ）。
A．70 B．40 C．50 D．60 8．在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（ ）
A.10V B.102 V C. 10/2 V D.20V
9．桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，此时，输出的电压约为( )
A.24V B.18V C.9V D.28.2V
10．两个硅稳压管，Uz1 = 6V，Uz2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（ ）。
A. 15 V B. 6.7 V C. 9.7 V D. 3 V 二、填空题
11.由于掺入的杂质不同，杂质半导体分为两类，一类是在Si或Ge的晶体中掺入正三价的硼，称为 或 ，在其中 是多数载流子， 是少数载流子；另一类是在Si或Ge中掺入正五价的磷，称为 或 ，在其中 是多数载流子， 是少数载流子。
12．PN结最重要的特性是____________________，它是一切半导体器件的基础。
13．晶体三极管在放大状态下，其集电极电流IC与基极电流IB的关系式为 __________ 。 14.稳压二极管主要工作在________区。在稳压时一定要在电路中加入 限流。
15.发光二极管（LED）的正向导通电压比普通二极管高，通常这 V，其反向击穿电压较低为 V，正常工作电流为 mA.
16.光电二极管在电路中要 连接才能正常工作。
17.半导体三极管按极性可分为________型和________型二类。
18. 当三极管被接成共射极放大电路时，从输出特性可划分为三个工作区域，即_______________区，_______________区和 _______________区 。则在模拟电路中，三极管一般工作在____________ 状态，而在数字电路中，三极管一般工作_______________ 和 ______________状态。
19、根据器件的工作原理，双极型三极管属于 控制型器件，而场效应三极管属
于 控制型器件。
三、综合题
1.电路如下图所示，二极管是导通还是截止，R=10K，试求出AO两点间的电压UAO？ （设二极管的正向压降是0.7V）
D+AR+10V--O8V2.如下图所示，稳压管D1、D2的稳定电压分别为8V、6V，设稳压管的正向压降是0.7V， 试求UO。
-+
R+20V+D1D2U0-
3.整流电路如图所示 ， 二极管为理想元件， 变压器原边电压有效值U1 为220V， 负载电 阻RL?750?。 变压器变比 k?N1?10.试 求:
N2(1) 变压器副边电压有效值U2;
(2) 负载电阻RL 上电流平均值 I0;
(3) 在下表列出的常用二极管中选出哪种型号的二极管合适 。
D?u1?N1N2?iO?RLuO?u2? 最 大 整 流 电 流 平 均 值 最 高 反 向 峰 值 电 压20V25V50V2AP12AP102AP416mA100mA16mA
4．整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示， 变 压 器 副
? 边 电 压 有 效 值U2?10V， 负 载 电 阻RL?500?,，
?电 容C?1000?F，当 输 出 电 压 平 均 值 UO为:
u1(1)14V; (2)12V ; (3)10V; (4)9V ; (5)4.5V 五 种 数 据 时，分 析 哪 个 是 合 理 的？ 哪 个 表 ?明 出 了故 障？ 并 指 出 原 因。（15分）
??u2D1???u2?C+RL?uO?D2
（c）输入电压控制输出电压 第1章 半导体二极管习题
选解
6.1选择正确答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
（3）设二极管的端电压为vD，则二极管的电流方程是 c 。
A. ISeD B. ISevvDVTvV C. IS(eDT－1)
（4）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 a 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （5）稳压管的稳压区是其工作在 c 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
（6）稳压二极管稳压时，其工作在(c )，发光二极管发光时，其工作在( a )。 A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 6.2将正确答案填入空内。 （1）图P6.2（a）所示电路中二极管为理想器件，则D1工作在 状态，D2工作在 状态，VA为 V。
D1
_ 3V + + D2 R 5kΩ + VA 6V _ _ + A1 1.5?k?
Vi=30V 2CW
5 _ R1 A22 V S R2 ??k?
图P6.2 (a) 图P6.2 (b)
解：截止，导通，?2.7?V。
（2）在图P6.2(b)所示电路中稳压管2CW5的参数为：稳定电压Vz???12?V，最大稳定电流IZmax???20?mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关S闭合时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别为 、 、 ；当开关S断开时，其读数分别为 、 、 。
解：12?V，12?mA，6?mA，12?V，12?mA，0?mA。
6.3 电路如图P6.3所示，已知vi＝56sinωt(v)，试画出vi与vO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 + vi _ D R + vo _ + vi _ R D1 D2 + _ vo
+ 3V _ 3V + _
6.4 电路如图P6.4所示，已知vi＝5sinωt (V)，二极管导通电压VD＝0.7V。试画出电路的传输特性及vi与vO的波形，并标出幅值。
图P6.3 图P6.4
6.5 电路如图P6.5（a）所示，其输入电压vi1和vi2的波形如图（b）所示，二极管导通电压VD＝0.7V。试画出输出电压vO的波形，并标出幅值。 vi1/V +VCC（5V） 3 R 0.3 D1 t vi1 vi2/V vo 3 D2
vi2 0.3 t
(a) (b)
图P6.5
解：uO的波形如解图P1.2所示。
解图P1.2
6.6电路如图P6.6所示，（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
R＝1kΩ VCC D1 （10±1V） D2
+ vo _
图P6.6
解（1）求二极管的电流和电压
ID?VCC?2vD(10?2?0.7)V??8.6?10?3A?8.6mA 3R1?10?VO?2VD?2?0.7V?1.4V
（2）求vo的变化范围
图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l所示，温度 T＝300 K。 rd?VT26mV??3.02? ID8.6mA当rd1=rd2=rd时，则
?vO??VCC2rd2?3.02???1V???6mV
R?2rd(1000?2?3.02?)vO的变化范围为(VO??vO)~(VO??vO)，即1.406V～1.394V。
6.7（有错） 电路如图P6.7所示，设二极管是理想的。（a）画出它的传输特性；（b）若
输入电压vI =vi=20 sinωt V，试根据传输特性绘出一周期的输出电压 vo的波形。
解 （a）画传输特性
0＜vI＜12 V时，D1，D2均截止，vo＝vI； vI≥12 V时，D1导通，D2截止
vO?12k?6k?2?vI??12V?vI?4V
(6?12)k?(6?12)k?3 －10V＜vI＜0时，D1，D2均截止，vo＝vI；
vI≤－10 V时，D2导通，D1 截止
vO?12k?6k?210?vI??(?10)V?vI?
(6?12)k?(6?12)k?33 传输特性如图解 2．4 13中 a所示。
（b）当vo＝vI=20 sinωt V时，vo波形如图解2．4．13b所示。
6kΩ + R1 R 2 R3 12k 12k D1 D2 + vi _ _ vo + 12V _ 10V + _ 图P6.7
6.8二极管电路如图6.8所示，试判断各图中的二极管是导通还是截止，并求出AB两端电压VAB，设二极管是理想的。
A D 6V 12R 5kΩ D1 A D1 D2 6V A R 5kΩ + VAB _ D2 R 5kΩ+ 15V 12V + _ VAB _ B VAB
12V (a) (b) (c)
图P6.8
B B
解:
图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故 D
处于正向偏置而导通，VAO=–6 V。 图b：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为 0V，
而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。
图c：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为 －6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO＝－6V。
6.9 二极管电路如图P6.9所示，设输入电压vi（t）波形如图 b所示，在 0＜t＜5ms的时间间隔内，试绘出vo（t）的波形，设二极管是理想的。
解 vI（t）＜6V时，D截止，vo（t）＝6V；vI（t）≥6V时，D导通
vO(t)?vI(t)?6V1?200?6V?vI(t)?3V
(200?200)?2vo（t）的波形如图P6.9(c)所示 200+ Ω+ D R 1 R2 200 vi(t) v Ω o6V _ _ vo(t)/V 8
6
t/mS t/mS
0 3 5 0 5 (a) (b) (c)
vi(t)/V 10 图P6.9
6.10写出图P6.10所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。
D 2V + R Vo1 _ 2V D + R Vo2
_ 2V R D 2V + Vo3 _ (a) (b) (c) R D 2V + Vo4 _ D 2V + R Vo5 2V _ D 2V + R Vo6 2V _ 2V (d) (e) (f)
图P6.10
解：VO1≈1.3V，VO2＝0，VO3≈－1.3V，VO4≈2V，VO5≈1.3V，
VO6≈－2V。
6.11 电路如图P6.11所示，二极管导通电压VD＝0.7V，常温下VT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；vi为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？
+ vi _ C R 500
+ 2V _ D iD
解：二极管的直流电流
ID＝（V－UD）/R＝2.6mA
其动态电阻
rD≈UT/ID＝10Ω 故动态电流有效值
Id＝Ui/rD≈1mA
6.12现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
6.13 已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图P6.13所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
R R + 10V _ 500Ω DZ +
RL 2kΩ V o1
+ 10V _ 2kΩ DZ +
RL 2kΩ V o2
_ _
(a) (b)
图P6.13
解：VO1＝6V，VO2＝5V。
6.14已知稳压管的稳定电压VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。试求图P6.14所示电路中电阻R的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流 IZM＝PZM/UZ＝25mA
电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值范围为 R?UI?UZ?0.36～1.8k? IZ+ DZ R + VI=15V _ Vo=6V _ 图P6.14
6.15 已知图P6.15所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； （2）若VI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 UO?RL?UI?3.33V
R?RL
当UI＝15V时， UO?RL?UI?5V， 没有被击穿。
R?RL UO＝5V 同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。
（2）IDZ?(UI?UZ)R?29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
R R + VI _ 1kΩ DZ +
RL 500Ω V o
100Ω IZ +
RL Vo
_
10V DZ _
6.16已知稳压二极管VZ=6V，PZ=0.12w，IZmin=2mA，当要求RL两端电压Vo稳定在6V时，求RL的变化范围。若超出这个范围，电路将出现什么情况？
6.17电路如图P6.17（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压VZ＝3V，R的取值合适，vI的波形如图（c）所示。试分别画出vO1和vO2的波形。
R 图P6.15
图P6.16
+ vI _ DZ + R vo1
+ vI _ DZ + vo2 _
vi(t)/V 6
_ 图P6.17
解：波形如解图P6.17所示
0
t
解图P6.17
解：??????RL?300??
??
晶体二极管及应用电路测试题
一.选择题(60分)
1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调到V1=10V，则电流的大小将是___。 A、I=2mA B、I<2mA C、I>2mA
2.图1.1.1中，设电路中V1=5保持不变，当温度为20°C时，测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C时， 则Vd的大小将是___。 A、Vd=0.7V B、Vd>0.7V C、Vd<0.7V
3.如图1.1.2所示的电路中，已知二极管的反向击穿电压为20V, 当V1=5V、温度为20°C时,I=2uA。若电源电压增大到10V,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2uA D、1uA
4.上题中，若电源电压保持5V不变，温度由20°C下降到10°C时，则电流I约为___。
A、10uA B、4uA C、2 uA D、1uA;
5.如图1.1.3所示电路中，D1-D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率相同，其中最暗的灯是___。 A、B B、C C、A
6.如图1.1.4所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6欧姆。当普通指针式万用表置于R*1欧姆档时，用黑表笔（带正电）接A点，红表笔（带负电接B点），则万用表的指示值为___.
A、18欧姆 B、9欧姆 C、3欧姆 D、2欧姆
7.在同一测试电路中，分别测得A,B和C三个二极管的电流如下表所示.你认为哪一个二极管的性能最好？
管号 A B C A、A B、B C、C
8.某三极管的Pcm=100mW,Icm=20mA,V(BR)CEO=15V,试问在下列哪种情况下三极管能正常工作？
A、Vce=3V,Ic=10mA B、Vce=2V,Ic=40mA C、Vce=6V,Ic=20 mA
9.已知稳压管2CW11的电压温度系数为-0.05%/°C,2Cw20为+0.095%/°C。为了减小温度对稳压值的 影响，有人把同一型号的两个稳压管正、反串联，如下图1.1.6（A）和(B)所示。也有人把把这两种不同型号的稳压 管顺向串联使用，如下图(C)所示。以下哪种方法不能起到减小电压温度系数绝对值的作用？ A、A B、B C、C
10.设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.7中电路的输出电压Vo。
A、Vo=13V B、Vo=1.4V C、Vo=5V D、Vo=0.7V
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等)
加0.5V正向电压时的电流 加反向电压时的电流 0.5mA 5mA 2mA 1uA 0.1uA 5uA
1.场效应管属于__ 控制型器件。
2.在图1.1.9所示电路中，已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V和7V,且具有理想稳压特性，求输出电压Vo=__。
3.在图1.1.10所示电路中，已知稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为6V和7V,且具有理想稳压特性，求输出电压Vo=__。
4.设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,求图1.1.11中电路的输出电压Vo=__。
5.如图1.1.8所示。试估算A点的电位为__。
晶体三极管及放大电路测试题（1）
一.选择题（60分）
1.如下图2.1.1所示的固定偏流式放大电路中，当Rc、Rb的参数分别为___时，
电路的静态工作点处在放大区。设三极管的?=100。 A、5.6千欧、10千欧 B、5.6千欧、510千欧 C、5.6千欧、1兆欧 D、100千欧、1兆欧
2.如图2.1.1所示放大电路中的Rb=100千欧，Rc=1.5千欧，三极管的?=80, 在静态时，该三极管处于___.
A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、状态不定 3.如图2.1.1所示电路中，集电极电阻Rc的作用是___。
A、放大电流 B、调节IBQ
C、防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压 D、调节ICQ 4.对于图2.1.1所示电路中，当用直流电压表测得VCE=Vcc时，有可能是因为___. A、Rb开路 B、RL短路 C、Rc开路 D、Rd过小
5.如图2.1.2所示射极偏置电路中，若上偏流电阻Rb1短路，则电路中的 三极管处于___.
A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、状态不定
6.对如图2.1.1所示放大电路中，若Vcc=12V,Rc=2千欧，集电极电流Ic计算值为1mA，今用直流电压表测得VCE=8V,这说明____. A、工作正常 B、三极管c-e极间开路 C、三极管b-e极间开路 D、电容C2短路
7.如图2.1.1所示放大电路中，若仅当Rb增加时，VCEQ将____. A、增大 B、减小 C、不变 D、不定
8.如图2.1.1中，若仅当Rc减小时，VCEQ将____。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不定 9.如图2.1.1中，若仅当RL增加时，VCEQ将____。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不定。
10.如图2.1.1中，若仅当?减小时（换管子），VCEQ将____。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不定
11.如图2.1.2所示放大电路中，仅当Rb1增加时，VCEQ将____。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不定 12.如图2.1.2中，仅当Rc减小时，VCEQ将____。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不定
13.如图2.1.3所示三个放大电路中，能实现正常放大的是____。
A、A B、B C、C
14.如图2.1.1中，若测得VCE=0时，有可能是因为___。 A、Rb开路 B、RL短路 C、Rc开路 D、Rd过小
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等）
1.在图2.1.4所示共射放大电路中，三极管?=50,VBE=-0.2V。当开关 与A处相接时，三极管处于__状态。
2.接上题，开关与B相接，三极管处于__状态。 3.接上题，开关与C相接，三极管处于__状态。
4.在图2.1.1电路中，Vcc=12V,Rb=100千欧，Rc=RL=6.2千欧，
VBE=0.7V,VCE(sat)=0.3V,?=100,C1、C2 足够大，当信号电压为? =10kHz、Vi=5mV的正弦波时，耦合电容C1上的电压约为 5.接上题，C2上的电压约为__。 6.接上题，此时的电路处于__状态。
7.如图2.1.1所示放大电路中，设Vcc=12V,三极管?=50,VBE=0.7V,若要求静态电流ICQ=2mA,VCEQ=4V,则电路中的Rb=__。 晶体三极管及放大电路测试题（2） 一.选择题（60分）
1.当输入电压为正弦信号时，如果PNP管共射放大电路发生饱和失真，则基极电流Ib将___。
A、正半波削波 B、负半波削波 C、双向削波 D、不削波 2.接上题，集电极电流Ic的波形将___。
A、正半波削波 B、负半波削波 C、双向削波 D、不削波 3.接上题，输出电压Vo的波形将___。
A、正半波削波 B、负半波削波 C、双向削波 D、不削波 4.在图2.2.1放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上 一个?比原来大的三极管后，出现了失真，这个失真必定是___。 A、截止失真 B、饱和失真 C、双重失真 D、交越失真
5.上题中，若该电路原来发生了非线性失真，但在减小Rb后，失真消失了，这失真必是___。
A、截止失真 B、饱和失真 C、双重失真 D、交越失真
6.在图2.2.2所示射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区，当除去旁路电容Ce后，该电路的最大不失真输出电压幅值Vom将____。 A、增大 B、减小 C、不变（或基本不变） D、变化不定 7.在图2.2.2所示射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区， 当除去旁路电容Ce后，放大倍数Av___。
A、增大B、减小C、不变（或基本不变）D、变化不定 8.在图2.2.2所示射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区，当除去旁路电容Ce后，输入电阻Ri___。
A、增大 B、减小 C、不变（或基本不变） D、变化不定
9.对图2.2.1所示固定放大电路中，当室温升高时，其三极管的IBQ___。 A、增大 B、减小 C、不变（或基本不变） D、变化不定
10.对图2.2.1所示固定放大电路中，当室温升高时，其三极管的ICQ___。 A、增大 B、减小 C、不变（或基本不变） D、变化不定
11.对图2.2.1所示固定放大电路中，当室温升高时，其三极管的VCEQ___。 A、增大 B、减小 C、不变（或基本不变） D、变化不定
12.为了使高阻输入的放大电路(或高阻信号源)与低阻负载(或低输入电阻的放大电路)很好的配合,可以在高阻输出的放大电路和负载之间插入___。 A、共射电路 B、共集电路 C、共基电路 D、任何一种组态放大电路 二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等）
1.在图2.2.3所示射极偏置放大电路中,若在集电极串入一只直流电流表(直流电流表只能测量电流的平均值),在静态时,电流表的读数为ICQ,则Ic与ICQ的关系(大于、小于、等于)为：没有失真时Ic__ICQ。
2.在图2.2.3所示射极偏置放大电路中,若在集电极串入一只直流电流表(直流电流表只能测量电流的平均值),在静态时,电流表的读数为ICQ,则Ic与ICQ的关系(大于、小于、等于)为：输出产生饱和失真时Ic__ ICQ。
3.在图2.2.3所示射极偏置放大电路中,若在集电极串入一只直流电流表(直流电流表只能测量电流的平均值),在静态时,电流表的读数为ICQ,则Ic与ICQ的关系(大于、小于、等于)为：输出产生截止失真时Ic__ICQ。
4.在图2.2.3中,设输入信号Vi为正弦波,若输出波形的负半波被削平,则这是__失真。
5.如图2.2.4所示放大电路中，Vcc=20V,Rb1=80千欧，Rb2=20千欧，Re=3.3千欧，RC=RL=10千欧,设三极管的?=30,VBE=0.7V,rbb'=200欧姆,估算该电路最大不失真输出电压的幅值为（ICEO和VCES忽略不计）__。
6.如图2.2.4所示放大电路中，Vcc=20V,Rb1=80千欧，Rb2=20千欧，Re=3.3千欧，RC=RL=10千欧,设三极管的?=30,VBE=0.7V,rbb'=200欧姆,若要求放大电路的最大不失真幅度尽可能大，则Rb1应取__。
场效应管及基本放大电路测试题
一.选择题（60分）
1.为了把一个低阻输入的放大电路（或内阻极小的的电压源）转变为高阻输入的法放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入___。
A、共射电路 B、共极电路 C、共基电路 D、任何一种组态放大电路 2.在单级放大电路中，若输入为正弦波形，用示波器观察Vo和Vi的波形，当放大电路为共射电路时，则Vo和Vi 的相位___。 A、同相 B、反相 C、相差90° D、不定
3.在单级放大电路中，若输入为正弦波形，用示波器观察Vo和Vi的波形，当放大电路为共集电路时，则Vo和Vi 的相位___。 A、同相 B、反相 C、相差90° D、不定
4.在单级放大电路中，若输入为正弦波形，用示波器观察Vo和Vi的波形，当放大电路为共基电路时，则Vo和Vi 的相位___。 A、同相 B、反相 C、相差90° D、不定 5.即能放大电压，也能放大电流的是___组态电路。 A、共射 B、共集 C、共基 D、不定 6.即能放大电压，但不能放大电流的是___组态电路。 A、共射 B、共集 C、共基 D、不定 7.只能放大电流，但不能放大电压的是___组态电路。 A、共射 B、共集 C、共基 D、不定
8.在共射、共基和共集三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是___组态电路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定
9.在共射、共基和共集三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是___组态电路。
A、共射 B、共集 C、共基 D、不定
10.在共射、共基和共集三种基本放大电路组态中，输出电阻最大的是___组态电路。
A、共射 B、共集 C、共基 D、不定
11.某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是___。 A、P沟道结型管 B、N沟道结型管 C、耗尽型PMOS管 D、耗尽型NMOS管
12、在图2.3.1中所示的几个偏置放大电路中，能正常工作的是————。 A、A B、B C、C
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫、毫西等）
1.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路中，若希望电压放大倍数大，可选用__组态。
2.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路中，若希望负载能力强，可选用__组态。
3.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路中，若希望从信号源索取的电流小，可选用__组态。
4.如图2.3.2所示的放大电路中，已知锗三极管的?=50,要使ICQ=1.5mA,Rb应取__。
5.如图2.3.3所示电路中的三极管?=50,rbb'=200欧姆，VBE=0.7V,则该电路的最大不失真输出的电压幅值(设VCES=1V，ICEO=0)__。
6.已知如图2.3.4所示放大电路中三极管的?=60,rbe=3千欧。若电容C3断开,该放大电路的Ri为__。
7.已知如图2.3.4所示放大电路中三极管的?=60,rbe=3千欧。接上C3后,该放大电路的Ri为__。
8.已知如图2.3.5所示电路中的N沟道JEFT,IDSS=16mA,Vp=-4V,该电路的跨导gm为__。
放大器的频率响应电路测试题（1）
一.选择题（60分）
1.三级放大电路中，AV1=AV2=30dB，AV3=20dB，则总的电压增益为___。 A、180dB B、80dB C、60dB D、50dB
2.三级放大电路中，AV1=AV2=30dB，AV3=20dB，电路将输入信号放大了___倍。
A、1000 B、10000 C、100000 D、1000000 3.如图3.1.1所示电路中，若增加电容C1的容量， 则中频电压放大倍数|AVM|___。
A、增加 B、减小 C、不变或基本不变
4.如图3.1.1所示电路中，若增加电容C1的容量，则下限频率?L___。 A、增加 B、减小 C、不变或基本不变
5.如图3.1.1所示电路中，若增加电容C1的容量，则上限频率?H___。 A、增加 B、减小 C、不变或基本不变
6.如图3.1.1所示电路中，若减小电阻Rc,则放大倍数|AVM|___。 A、增加 B、减小 C、不变或基本不变
7.如图3.1.1所示电路中，若减小电阻Rc,则下限频率?L___。 A、增加 B、减小 C、不变或基本不变
8.如图3.1.1所示电路中，若减小电阻Rc,则上限频率?H___。 A、增加 B、减小 C、不变或基本不变 9.多级放大电路放大倍数的波特图是___。
A、各级波特图的叠加 B、各级波特图的乘积 C、各级波特图中通带最窄者 D、各级波特图中通带最宽者。 10.为了放大变化缓慢的微弱信号，放大电路应采用___耦合方式。 A、直接 B、阻容 C、变压器 D、光电 11.为了实现阻抗转变，放大电路应采用___耦合方式。 A、直接 B、阻容 C、变压器 D、光电
12.阻容耦合与直接耦合多级放大器之间的主要不同是___。 A、输出的信号不同 B、交流通路不同 C、直流通路不同
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等）
1.两级放大电路如图3.1.2所示，已知T1、T2的?1=?2=50，rbe1=1.6千欧,rbe2=1.3千欧，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。试计算放大器的输入电阻Ri为__。
2.两级放大电路如图3.1.2所示，已知T1、T2的?1=?2=50，rbe1=1.6千欧,rbe2=1.3千欧，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。试计算放大器的输出电阻Ro为__。
3.两级放大电路如图3.1.2所示，已知T1、T2的?1=?2=50，rbe1=1.6千欧,rbe2=1.3千欧，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。T1为__电路组态。
4.两级放大电路如图3.1.2所示，已知T1、T2的?1=?2=50，rbe1=1.6千欧,rbe2=1.3千欧，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。T2为__电路组态。
5.如图3.1.3所示为稳定工作点的两级放大电路，?1=?2=100，rbe1=2千欧,rbe2=1千欧，求电路 的RI=__；Ro=__；Av=__。
放大器的频率响应电路测试题（2）
一.选择题（60分）
1.如图3.2.1所示电路中，换一个? t较低的晶体管， 则中频电压放大倍数|AVM|___。
A、增加 B、减小 C、不变或基本不变 2.如图3.2.1所示电路中，换一个? t较低的晶体管， 则下限频率?L___。
A、增加 B、减小 C、不变或基本不变
3.如图3.2.1所示电路中，换一个? t较低的晶体管，则上限频率?H___。 A、增加 B、减小 C、不变或基本不变
4.具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止处，总的电压放大倍数下降___。
A、3dB B、6dB C、20dB D、9dB
5.直接耦合多级放大器电路与阻容耦合多级放大器电路相比，低频响应___。 A、好 B、差 C、差不多。
6.多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任意一级都___。 A、大 B、小 C、 宽 D、 窄
7.多级放大电路与单级放大电路相比，级数越多则上限频率越___。 A、大 B、小 C、 宽 D、 窄
8.多级放大电路与单级放大电路相比，级数越多则高频附加相移___。 A、大 B、大 C、宽 D、窄
9.考虑放大电路的频率失真时，若vI为正弦波时,则vo___。
A、会产生线性失真 B、会产生非线性失真 C、为正弦波 D、不会失真 10.1共射放大电路如图3.2.2所示，当Rb2在正常放大范围增加， 则中频电压放大倍数的绝对值|AVM|___。 A、增大 B、减小 C、不变
11.共射放大电路如图3.2.2所示，当Rb2在正常放大范围增加， 则输入电阻___。
A、增大 B、减小 C、不变
12.共射放大电路如图3.2.2所示，当Rb2在正常放大范围增加， 则输出电阻___。
A、增大 B、减小 C、不变
13.共射放大电路如图3.2.2所示，当Rb2在正常放大范围增加，则下限频率___。
A、增大 B、减小 C、不变
14.共射放大电路如图3.2.2所示，增加电容C1,则中频电压放大倍数的绝对值|AVM|___。
A、增大 B、减小 C、不变
15.共射放大电路如图3.2.2所示，增加电容C1,则下限频率___。 A、增大 B、减小 C、不变
16.共射放大电路如图3.2.2所示，增加电容C1,则上限频率___。 A、增大 B、减小 C、不变
17.共射放大电路如图3.2.2所示，若将一个6800pF的电容接在b,c之间,则中频电压放大倍数的绝对值|AVM|___。 A、增大 B、减小 C、不变
18.共射放大电路如图3.2.2所示，若将一个6800pF的电容接在b,c之间,则下限频率___。
A、增大 B、减小 C、不变
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等)
1.当输入信号频率f=5~40kHz时，单级放大电路的电压放大倍数均为100，而当f=500kHz时，电压放大倍数为10，试问该电路的上限频率为__。 2.单管放大电路如图3.2.4所示，已知
Ic=2.5mA,?=100,Cb'e=4pF,fT=50MHz,rbb'=50欧姆。则该放大电路的上限频率为__.
3.单管放大电路如图3.2.4所示，已知
Ic=2.5mA,?=100,Cb'e=4pF,fT=50MHz,rbb'=50欧姆。则该放大电路的下限频率为__.
4.共射单级放大电路如图3.2.3所示，已知图中Rb=470千欧，Rs=500欧姆，晶体管的?=50,rbe=2千欧，电路的中频增益20lg|Avs|=20lg|Vo/Vs|=40dB，通频带宽为10Hz~100kHz，试确定Rc的值为___.
模拟集成单元电路测试题（1）
一.选择题
1.OCL放大如图4.1.1所示，其中T1的偏置电路未画出。若输入为正弦电压，互补管T2,T3的饱和管压将可以忽略，T1和T2的工作方式为___。 A、甲类 B、乙类 C、甲乙类 D、丙类
2.OCL放大如图4.1.1所示，其中T1的偏置电路未画出。若输入为正弦电压，互补管T2,T3的饱和管压将可以忽略，电路中R1的作用是___。 A、充当T1的集电极负载 B、消除交越失真 C、增大输出功率 D、减小三极管的穿透电流
3.OCL放大如图4.1.1所示，其中T1的偏置电路未画出。若输入为正弦电压，互补管T2,T3的饱和管压将可以忽略，电路中D1和D2的作用是___。 A、充当T1的集电极负载 B、消除交越失真 C、增大输出功率 D、减小三极管的穿透电流
4.如图4.1.2所示的功放电路中，已知T4和T3的管子特性对称，VBE4=-VBE5=0.7V。正常工作时，输出端的直流电位Vo=___。 A、0V B、9V C、-9V D、任意
5.如图4.1.2所示的功放电路中，已知T4和T3的管子特性对称，VBE4=-VBE5=0.7V。要调整直流电位Vo,应该调整电阻___。 A、R2 B、R5 C、R7 D 、R10
6.如图4.1.2所示的功放电路中，已知T4和T3的管子特性对称，
VBE4=-VBE5=0.7V。首次接上电源调整工作点时，作为负载的扬声器(RL=8欧姆)应该___。
A、接上 B、断开 C、任意
7.如图4.1.2所示的功放电路中，已知T4和T3的管子特性对称，VBE4=-VBE5=0.7V。自举电容是___。 A、C2 B、C3 C、C4 D、C5
8.设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若用乙类OCL（即双电源）互补对称功放电路，则应选PCM至为___W的功放管两个。 A、4W B、8W C、10W D、20W
二.填空计算题(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等)
1.如图4.1.2所示的功放电路中，已知T4和T3的管子特性对称，VBE4=-VBE5=0.7V。估算三极管T3的静态功率PT3为__。
2.功率放大电路如图4.1.3所示，已知T5、T6的最小管压降为1.5V,在输出电流最大时电阻R11、R12的压降为0.5V,如果要求电路的最大输出功率为1W,则负载电阻RL为___。
3.功率放大电路如图4.1.3所示，已知T5、T6的最小管压降为1.5V,在输出电流最大时电阻R11、R12的压降为0.5V,如果要求电路的最大输出功率为1W,正弦输出电压峰值VIm的大致数值为___。
4.在如图4.1.3所示电路中，已知T5、T6的集电极最大允许耗散功率为PCM=200mW,在T5、T6的静态电流，饱和管压降以及电阻R11、R12的电压损耗可忽略不计的条件下，电路允许接入的最小负载电阻大致为___。
5.在如图4.1.4所示电路中，D1-D4为硅二极管，T1-T4为硅三极管，其中T3、T4的PCW=1W，VCES=2V,ICM=1.5A,V(BR)CEO>30V。A为理想运算放大器。试估算可能达到的最大不失真输出功率POMAX为___。
6.在如图4.1.4所示电路中，D1-D4为硅二极管，T1-T4为硅三极管，其中T3、T4的PCW=1W，VCES=2V,ICM=1.5A,V(BR)CEO>30V。A为理想运算放大器。为了获得所需的POMAX，输入正弦电压的有效值应为___。
模拟集成单元一.选择题
1.当甲类功放电路的输入功率为零时,管子的消耗功率最大。 A、正确 B、错误
2.乙类功放电路在输出功率为最大时，管子功耗最大。 A、正确 B、错误
3.在输入电压为零时，甲乙类推挽功放电路中的电源所消耗的功率是两个管子的静态电流与电源电压的乘积。 A、正确 B、错误
4.在管子的极限参数中，集电极最大允许耗散功率PCM是集电极最大电流ICM和基极开路时集电极—发射极间反向击穿电压V(BR)CEO的乘积。 A、正确 B、错误
5.OCL功率乙类互补对称电路，其功放管的最大管耗出现在输出电压幅度为0.64Vcc的时侯。 A、正确 B、错误
6.只有两个三极管的类型相同时才能组合成复合管。 A、正确 B、错误
7.复合管的类型(NPN或PNP)与组成它的最前面的管子类型相同。 A、正确 B、错误
8.只要把两个三极管组成复合管，一定可以提高管子的输入电阻。 A、正确 B、错误
电路测试题（2）
9.复合管的?值近似等于组成它的个三极管?值的乘积。 A、正确 B、错误
10.复合管的穿透电流等于组成它的各三极管穿透电流之和。 A、正确 B、错误
11.由于场效应管的栅极几乎不取电流，故两个场效应管不能组成复合管。 A、正确 B、错误
12.复合管的额定功耗是指后面管子的额定功耗。 A、正确 B、错误
13.复合管的反向击穿电压等于个三极管反向击穿电压中的较小者。 A、正确 B、错误
14.复合管的集电极最大允许电流等于后面管子的集电极最大允许电流。 A、正确 B、错误
二.填空计算题(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等)
1.OTL电路如图4.2.1所示。电容的容量足够大。设Rl=8欧姆，管子的饱和管压降|Vces|可以忽略不记，若要求最大不失真输出功率（不考虑交越失真）为9W，已知Vi为正弦电压，则电源电压至少应为___.
2.OTL电路如图4.2.1所示。电容的容量足够大。设Vcc=20V，Rl=8欧姆，|Vces|忽略不记，估算电路的最大输出功率为___.
3.变压器耦合输入、输出的推挽功率放大电路如图4.2.2所示，设三极管VCES=0V,ICEO=0,Re上的压降可以忽略不计，输出变压器的效率nT=1,变比
n=N1/N2=2。试计算复载电阻RL上能得到的最大功率POMAX为___. 4.变压器耦合输入、输出的推挽功率放大电路如图4.2.2所示，设三极VCES=0V,ICEO=0,Re上的压降可以忽略不计，输出变压器的效率nT=1,变比
n=N1/N2=2。试计算电源供给的功率Pv为___.
5.变压器耦合输入、输出的推挽功率放大电路如图4.2.2所示，设三极VCES=0V,ICEO=0,Re上的压降可以忽略不计，输出变压器的效率nT=1,变比
n=N1/N2=2。试计算放大电路的效率n为___%.
模拟集成单元电路测试题（3）
一.选择题（60分）
1.电流源电路的特点是输出电流___。 A、大 B、小 C、恒定 D、不变 2.电流源电路的特点是直流等效电阻___。 A、大 B、小 C、恒定 D、不变 3.电流源电路的特点是交流等效电阻___。 A、大 B、小 C、恒定 D、不变
4.长尾型差动放大器电路中，电阻Re的主要作用是___。
A、提高输入电阻 B、提高差模电压增益 C、提高共模抑制比 D、提高共模增益 5.放大器产生零点漂移的主要原因是___。
A、环境温度变化 B、电压增益太大 C、采用直接耦合方式 D、采用阻容耦合方式
6.多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是___。 A、输入级 B、中间级 C、输出级 D、增益最高的一级 7.多级直接耦合放大器中，零点漂移最大的一级是___。 A、输入级 B、中间级 C、输出级 D、增益最高的一级 8.差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是___。 A、增加一倍 B、为双端输入时的1/2 C、不变 D、不确定
9.基本差动放大电路中(无Re电阻)，两个单边放大器的电压增益为100。已知差模输入信号Vsd1=10mV,Vsd2=-10mV,则单端输出电压Vo2=___。 A、-1V B、1V C、-1/2V； -1/2V D、1/2V
10.差动放大电路中，当Vs1=300mV,Vs2=200mV时，分解为共模输入信号Vsc=___。 A、500mV B、100mV C、250mV D、50mV
11.差动放大电路中，当Vs1=300mV,Vs2=200mV时，分解为差模输入信号Vsd=___。
A、500mV B、100mV C、250mV D、50mV
12.差动放大电路中，当Vs1=300mV,Vs2=200mV时，分解为差模输入信号Vsd=___。 A、500mV B、100mV C、250mV D、50mV
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等)
1.集成运放中，由温度变化引起零输入对应非零输出的现象称为___. 2.差动放大电路的差模电压增益只与___方式有关。 3.在图T3管的特性
5.1.1
中，T1、
T2和
都相同，且?1=?2=?3，并很大，
VBE1=VBE2=VBE3=0.7V,求 V1-V2=___.
4.如图5.1.2所示由结型场效应管构成的普通电流源电路，已知gm=2mS, Vp=-2V,IDSS=4mA,RL=10千欧，则Io=___.
5.如图5.1.2所示由结型场效应管构成的普通电流源电路，已知gm=2mS,Vp=-2V,IDSS=4mA,RL=10千欧，则Vo=___.
6.以电流源为负载的共射放大电路如图5.1.3所示，已知?1=50，Vcc=12V,R=56千欧，R1=100千欧,T1和T2管参数相同，rce1=rce2=rce3=200千欧，VBE=0.7V,该放大电路的输入电阻为___.
7.以电流源为负载的共射放大电路如图5.1.3所示，已知?1=50，Vcc=12V,R=56千欧，R1=100千欧,T1和T2管参数相同，rce1=rce2=rce3=200千欧，,VBE=0.7V,该放大电路的输出电阻为P___。
8.以电流源为负载的共射放大电路如图5.1.3所示，已知?1=50，Vcc=12V,R=56千欧，R1=100千欧,T1和T2管参数相同，rce1=rce2=rce3=200千欧，,VBE=0.7V,该放大电路的电压增益为___.
模拟集成单元电路测试题（4）
一.选择题（60分）
1.差动放大器由双端输出改为单端输出，共模抑制比KCMR减小的原因是___。 A、|Avd|不变，|Avc|增大 B、|Avd|减小，|Avc|不变 C、|Avd|减小，|Avc|增大 D、|Avd|增大，|Avc|减小
2.在单端输出差动放大电路中，差模电压增益Avd2=50,共模电压增益Avc=-0.5V,若输入电压Vs1=80mV，Vs2=60mV，输出电压Vo2=___。 A、-1.315V B、-0.965V C、0.965V D、1.315V
3.集成运放内部是由直接耦合方式的多极放大电路组成的，作为放大器应用，它是___。
A、能放大直流信号，不能放大交流信号 B、能放大交流信号，不能放大直流信号
C、既能放大交流信号，又能放大直流信号D、都不能放大 4.试指出图5.2.1在一般情况下，哪个电路的输出电阻可能最小 A、A B、B C、C D、D
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等)
1.如图5.2.2所示差动放大电路中，已知?=80,rbe=2千欧，输入电压Vi=20mV,电流源I=2mA，该电路的输入电流Ii=___.
2.如图5.2.3所示放大电路中，已知?1=?2=60，rbe1=rbe2=1千欧，试求单端输出时的Avd2=___。
3.图5.2.4所示是场效应管差动放大电路，已知gm=2mS,其他参数如图。该电路的Avd2=___。
4.图5.2.4所示是场效应管差动放大电路，已知gm=2mS,其他参数如图。当Vs1=10mV,Vs2=20mV时，Vo=___。
5.已知差动放大电路的差模电压增益Avd=80dB，共模抑制比为86dB,一端输入信号为
（3-0.001V）,另一端输入信号为（3-0.001V），问输出电压绝对值为___. 6.已知差动放大电路的输出电压Vo=-1000Vs1+999Vs2,该电路差模电压增益Avd=___.
7.两级直接耦合放大电路如图5.2.5所示，所有VBE=0.7V,?1=?2=50,?3=80,其他参数如图所示，求当Vs=0时，若Vo=0,则Rp=___.
负反馈技术测试题（1）
一.选择题（60分）
1.反馈放大电路的含义是___。
A、输入与输出之间有信号通路 B、电路中存在反向传输的信号通路 C、放大电路以外还有信号通路 D、电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路2.构成反馈通路的元器件是___。
A、只能是电阻元件 B、只能是三极管、集成运放等有源器件
C、只能是无源器件 D、可以是无源器件，也可以是有源器件
3.直流反馈是指___。
A、只存在于阻容耦合电路中的负反馈 B、放大直流信号时才有负反馈 C、直流通路中的负反馈 D、直接耦合电路中才存在的负反馈 4.交流反馈是指___。
A、只存在于阻容耦合电路中的负反馈 B、直流通路中的负反馈 C、放大正弦波信号才存在的负反馈 D、变压器耦合电路中的负反馈 5.负反馈所抑制的干扰和噪声是___。
A、输入信号所包含的干扰和噪声 B、反馈环内的干扰和噪声 C、反馈环外干扰和噪声 D、输出信号中的干扰和噪声 6.在放大电路中，为了稳定工作点，可以引入___。
A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流负反馈和交流负反馈 7.在放大电路中，若要稳定放大器的增益，可以引入___。
A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流负反馈和交流负反馈 8.在放大电路中，某些场合为了提高增益，可以适当引入___。
A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流负反馈和交流负反馈 9.在放大电路中，希望展宽频带，可以引入___。
A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流负反馈和交流负反馈 10.在放大电路中，如果要改变输入电阻或输出电阻，可以引入___。
A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流负反馈和交流负反馈 11.在放大电路中，为了抑制温漂，可以引入___。
A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、交流正反馈 D、直流负反馈和交流负反馈 12.如希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用___。 A、电压负反馈 B、电流负反馈 C、串联负反馈 D、并联负反馈
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等)
1.串联负反馈只有在信号源内阻很___时，其反馈效果才显著。（填大或小） 2.并联负反馈只有在信号源内阻很__时，其反馈效果才显著。（填大或小） 3.已知放大电路输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后，为了达到同样的输出时需加入信号为10mV,该电路的反馈深度为___；反馈系数为-----。 4.当电路的闭环增益为40dB时，基本放大器的增益变化10%,反馈放大器的闭环增益相应变化1%,则此时电路的开环增益为___dB。
5.若放大电路的开环时非线性失真系数为10%,在题4相同的负反馈条件下，闭环后的非线性失真系数变为___%。
6.设图6.1.1中的运放具有理想特性，试计算电压增益Vo/Vi为___。
负反馈技术测试题（2）
一.选择题（60分）
1.若希望负载变化时输出电压稳定，则应引入___。
A、电压负反馈 B、电流负反馈 C、串联负反馈 D、并联负反馈
2.如图6.2.1(a)、(b)、(c)所示三个电路图中，图___从信号源索取的电流最小。 A、(a) B、(b) C、(c)
3.如图6.2.1(a)、(b)、(c)所示三个电路图中，图___输入电阻最小。 A、(a) B、(b) C、(c)
4.如图6.2.1(a)、(b)、(c)所示三个电路图中，图___带负载能力最强。 A、(a) B、(b) C、(c)
5.图6.2.2所示电路的极间交流反馈为___。 A、电压并联正反馈 B、电流串联负反馈 C、电流并联正反馈 D、电流并联负反馈 6、图6.2.3所示电路的极间交流反馈为___。 A、电压并联正反馈 B、电流串联负反馈 C、电流并联正反馈 D、电流并联负反馈 7、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是___。 A、AF=0 B、AF=1 C、AF=无穷 D、AF=-1
8.多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是___。 A、各级电路的参数很分散 B、回路增益|AF|大 C、闭环增益大 D、放大器的级数少
9.一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈，则___。 A、一定会产生高频自激 B、可能会产生高频自激 C、一般不会产生高频自激 D、一定不会产生高频自激
10.反馈放大电路如图6.2.4所示，试用瞬时（变化）极性法判断图中的极间反馈极性和组态。
A、电压串联负反馈 B、电流串联负反馈 C、电压并联负反馈 D、电流并联负反馈 11.电电路图
路如图6.2.5所示，设集成运放A具理想特性。试判断中的反馈极性和组态（类型）。
A、电压串联负反馈 B、电流串联负反馈 C、电压并联负反馈 D、电流并联负反馈
12.电路如图6.2.6所示，设集成运放A具理想特性。试判断电路图中的反馈极性和组态（类型）。
A、电压串联负反馈 B、电流串联负反馈 C、电压并联负反馈 D、电流并联负反馈
13.电路如图6.2.7所示，设集成运放A具理想特性。试判断电路图中的反馈极性和组态（类型）。
A、电压串联负反馈 B、电流串联负反馈 C、电压并联负反馈 D、电流并联负反馈
14.电路如图6.2.8所示，设集成运放A具理想特性。试判断电路图中的反馈极性和组态（类型）。
A、电压串联负反馈 B、电流串联负反馈 C、电压并联负反馈 D、电流并联负反馈
15.信号源内阻很大，希望取得较强的反馈作用，则宜采用___。 A、电压负反馈 B、电流负反馈 C、串联负反馈 D、并联负反馈
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等)
1.放大电路如图6.2.9所示，若运放A允许的最大共模输入电压为13V,则Rc允许的最小值为__。
2.已知放大电路的输出噪声电压是电路内部产生的，与输入信号无关，现要将该电路的信噪比提高20dB，问应引入反馈深度为___Db的负反馈。 3.某放大电路的频率特性如图6.2.10所示，该电路的下限频率为___。 4.某放大电路的频率特性如图6.2.10所示，若希望通过电压串联负反馈能使通频带展宽为1Hz~50MHz,问所需的反馈深度为___dB。 5.接上题条件，问所需反馈系数为___。 6.接上题条件，闭环电压增益为___。
集成运算放大器及应用测试题（1）
一.选择题（60分）
1.___比例运算电路中,运放的反相输入端为虚地点。 A、同相 B、反相
2.___比例运算电路中，运放的两个输入端对地电压基本上等于输入电压。 A、同相 B、反相 3.___比例运算电路的输入电阻很大。 A、同相 B、反相 4.___比例运算电路的输入电阻很小。 A、同相 B、反相
5.___比例运算电路的输入电流基本上等于流过反馈电阻的电流。 A、同相 B、反相
6.___比例运算电路的输入电流几乎等于零。 A、同相 B、反相
7.流过___求和电路反馈电阻的电流等于各输入电流的代数和。 A、同相 B、反相
8.___比例运算电路的特例是电压跟随器，它具有Ri很大和Ro很小的特点，常用作缓冲器。
A、同相 B、反相
9.如图7.1.1所示，设运放是理想器件，输出电压约为___。 A、-2.5V B、-7.5V C、-10V D、-12.5V
10.如图7.1.1所示，设运放是理想器件，电阻Rp的值约为___。 A、1k B、1.4k C、5k D、1.9k
11.电路如图7.1.2所示，设A1,A2均为理想运放，则该电路的电压增益Av=Vo/Vi=___。
A、20 B、-20 C、21 D、1
12.___在f=0和f=无穷时，电压增益都等于零。
A、低通滤波器 B、高通滤波器 C、带通滤波器 D、带阻滤波器
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等）
1.用理想运放组成的电路如图7.1.3所示,试求Av1=Vo1/VI=___。
2.电路如图7.1.4所示，运放A使理想的，已知R2=5千欧，R3=1千欧，C1=0.047μF,C2=100μF,若输入信号为中频正弦交流信号，当Vi=0.1V时,Vo=___。
3.电路如图7.1.4所示，运放A使理想的，已知R2=5千欧，R3=1千欧，C1=0.047μF,C2=100μF,若实际运放要考虑输入端平衡，则电阻R1的阻值应为___。
4.回转器电路如图7.1.5所示，设A1,A2为理想运放，若R1=R2=1千欧，要求得到L=0.1H的电感值，问电容C应为___ μF 。
5.用理想运放组成的电路如图7.1.3所示,试求Av2=Vo2/VI=___。
集成运算放大器及应用测试题（2）
一.选择题（60分）
1.在理想情况下，___在f=0和f=无穷时的电压增益相等，且不为零。 A、低通滤波器 B、高通滤波器 C、带通滤波器 D、带阻滤波器 2.在理想情况下，___在f=无穷时的电压增益就是它的通带电压增益。 A、低通滤波器 B、高通滤波器 C、带通滤波器 D、带阻滤波器 3.___在f=0和f=无穷时，电压增益都等于零。
A、低通滤波器 B、高通滤波器 C、带通滤波器 D、带阻滤波器 4.有用信号频率低于10Hz,可选用___。
A、低通滤波器 B、高通滤波器 C、带通滤波器 D、带阻滤波器 5.有用信号频率低于1000Hz,可选用___。
A、低通滤波器 B、高通滤波器 C、带通滤波器 D、带阻滤波器 6.希望抑制50Hz的交流电源干扰，可选用___。
A、低通滤波器 B、高通滤波器 C、带通滤波器 D、带阻滤波器 7.电路如图7.2.1所示，由A1，A2组成的平衡对称结构___。 A、可以使Vo1,Vo2中不再含有从Vi1,Vi2传递来的共模信号 B、按1:1把Vi1,Vi2中的共模信号传到第二级输入端 C、将输入共模信号的一部分传到第二级的输入端 D、Vo1,Vo2含有比Vi1,Vi2大得多的共模信号 8.电路如图7.2.1所示，对于A1,A2的性能参数___。
A、匹配 B、要求尽可能一致 C、只要求大致匹配 D、可以差别很大
9.从抑制输入共模信号传到输出端的角度看，起关键作用的是运算放大器___。 A、A1 B、A2 C、A3
10.在通常情况下，电路输出电压的温度漂移主要取决于运算放大器___。 A、A1 B、A2 C、A3
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等)
1.利用理想运放组成的二极管检测电路如图7.2.2所示，设Vi=15V,R=1.5千欧和Vo=-0.67V,试用虚短和虚断的概念计算流过二极管的电流Id=___。 2.一放大器电压增益可由开关S控制的电路如图7.2.3所示，当开关S闭合时，AVF=Vo/VI=___。
3.应用运放测量电阻的原理电路如图7.2.4所示，其中电压表用于显示电阻值，满量程为10V(取电流为1mA)，Rx为被测电阻。为了得到不同的量程，接入三个基准电阻R1,R2和R3,基准电压为1.5V,设运放为理想器件。当要求Rx=1兆欧达到满量程时，R1=___。
4.利用理想运放组成的二极管检测电路如图7.2.2所示，设Vi=15V,R=1.5千欧和Vo=-0.67V,试用虚短和虚断的概念计算流过二极管的电流Id=___。 5.应用运放测量电阻的原理电路如图7.2.4所示，其中电压表用于显示电阻值，满量程为10V(取电流为1mA)，Rx为被测电阻。为了得到不同的量程，接入三个基准电阻R1,R2和R3,基准电压为1.5V,设运放为理想器件。当要求Rx=10千欧达到满量程时，R2=___。
6.应用运放测量电阻的原理电路如图7.2.4所示，其中电压表用于显示电阻值，满量程为10V(取电流为1mA)，Rx为被测电阻。为了得到不同的量程，接入三个基准电阻R1,R2和R3,基准电压为1.5V,设运放为理想器件。当要求Rx=100欧达到满量程时，R3=___。
综合测试题（1）
一.选择题（60分）
1.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12千欧的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为__。 A、10千欧 B、2千欧 C、4千欧 D、3千欧
2.某共射放大电路如图8.1.1所示，其中Rb=470千欧，Rc=2千欧，若已知Ic=1mA，VCE=7V,VBE=0.7V ,rbe =1.6千欧，?=50，则说明__.
A、Av=Vo/Vi=VCE/VBE=7/0.7=10 B、Av=Vo/Vi=-IcRc/VBE=-1*2/0.7=-3 C、Av=Vo/Vi=-IcRc/IbRi=-62.5 D、Av=Vo/Vi=-?Rc/rbe=-62.5
3.为了提高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入__。
A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路 4.在考虑放大电路的频率失真时，若Vi为正弦波，则Vo__。 A、有可能产生相位失真 B、有可能产生幅度失真和相位失真 C、一定会产生非线性失真 D、不会产生非线性失真
5.工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在__
A、开环或正反馈状态 B、深度负反馈状态 C、放大状态 D、线性工作状态
6.多级负反馈放大电路在下列情况下容易引起自激
A、回路增益|AF|大 B、反馈系数太小 C、闭环放大倍数很大 D、放大器的级数少
7.某电路有用信号频率为2kHz,可选用___。
A、低通滤波器 B、高通滤波器 C、带通滤波器 D、带阻滤波器
8.某传感器产生的是电压信号(几乎不能提供电流），经放大后希望输出电压与信号成正比，这放大电路应选__。
A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈
9.LC正弦波振荡电路如图8.1.2所示，___。 A、该电路由于无选频网络不能产生正弦波振荡
B、该电路由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 C、该电路由于满足条件能产生正弦波振荡 D、该电路由于满足条件能产生正弦波振荡
10.图8.1.3所示电路出现故障，经测量得知VE=0,Vc=Vcc,故障得可能原因是___。
A、Rc开路 B、Rc短路 C、Re短路 D、Rb1开路
11.与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放得主要优点是___。 A、不用输出变压器 B、不用输出端大电容 C、效率高 D、无交越失真 二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等)
1.在三极管多级放大电路中，已知Av1=20,Av2=-10,Av3=1，总得的电压增益Av=___。
2.在差动放大电路中,若Vs1=-8mV,Vs2=10mV,则输入差模电压Vsd为___mV。 3.单相桥式整流电路中,若输出电压V=30V,则输出电压Vo为___V。
4.如图8.1.4所示电路中,静态时Vo为零.三极管为硅管,VBE=0.7V,?=100,试计算Rc的值为___。
5.如图8.1.5所示电路中,已知v1=10mV,v2=30mV,求vo=___.
6.如图8.1.6所示差动放大电路中，调零电位器RP的动端处在中点位置,已知?1=?2=50,VBE1=VBE2=0.7V, 其他参数如图所示.求静态工作点IB=____。 7.如图8.1.6所示差动放大电路中，调零电位器RP的动端处在中点位置,已知?1=?2=50,VBE1=VBE2=0.7V,其他参数如图所示.当Vs1=Vs2=-10mV时,求Vo=___。 8.在差动放大电路中,若Vs1=-8mV,Vs2=10mV,若差模电压增益Avd=-10,共模电压增益Avd=-0.2,则差动放大电路单端输出电压Vo1=__mV.
综合测试题（2）
一.选择题（60分）
1.有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的__.
A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小 2.共模抑制比KCMR越大，表明电路__。
A、放大倍数稳定 B、交流放大倍数越大 C、抑制温漂能力越强 D、:输入信号中的差模成分越大
3.多级放大电路与组成它的各个单极放大电路相比，其通频带__。 A、变宽 B、变窄 C、不变 D、与各单级放大电路无关
4.一个放大电路的对数幅频特性如图8.2.1所示，当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为__。 A、43dB B、40dB C、37dB D、3dB
5.双端输入，双端输出差动放大电路如图8.2.2所示，已知静态时，Vo=Vc1-Vc2=0,设差模电压增益|Avd|=100，共模电压增益为Avc=0，Vi1=10mV,Vi2=5mV,则输出电压|Vo|为___。
A、125mV B、1000mV C、250mV D、500mV
6.对于如图8.2.3所示的复合管，假设ICEO1和ICEO2分别表示T1,T2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流ICEO=___。
A、ICEO=ICEO2 B、ICEO=ICEO1+ICEO2 C、ICEO=ICEO1 D、ICEO=ICEO2+(1+?2)ICEO1
7.某仪表放大电路，要求Ri大，输出电路稳定，应选___。
A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈
8.在图8.2.4所示电路中，处于导通工作状态的二极管是___。 A、D1导通 B、D2导通 C、D1和D2均不导通 D、D1和D2均导通 9.考虑二极管的正向压降为0.7V,输出电压Vo=___。 A、Vo=-14.3V B、Vo=-0.7V C、Vo=-12V D、Vo=-15V
二.填空计算题（40分）(注:答案清使用加上中文单位。如：欧姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫兹、千赫等) 1.双极型三极管是___控制器件。
2.三极管工作在放大区时，发射结需___便置。
3.在双端输入，单端输出的差动放大电路中，共模抑制比越大，表明电路对___信号的抑制能力越强。
4.两级放大电路如图8.2.6所示，已知三极管的VBE=0.6V,rbb'=300欧姆，?1=?2=50,计算静态工作点ICQ1=___。 5.场效应管是___控制器件。
6.结型场效应管的栅源极之间必须加___便置电压，才能正常工作。
7.两级放大电F路如图8.2.6所示，已知三极管的VBE=0.6V,rbb'=300欧姆，?1=?2=50,计算静态工作点，ICQ2=___。
【附考试样题】
《模拟电子技术》考试样题
一、填空题（每空1分，共20分）
1、P型半导体中的多数载流子是（ ），N型半导体中的多数载流子是（ ）。 2、二极管具有（ ）特性，三极管具有（ ）作用。 3、当三极管发射结（ ），集电结（ ）时，三极管工作在放大状态。 4、在晶体管构成的三种基本放大电路中，输入电阻最大的是（ ）放大电路，没有电流放大作用的是（ ）放大电路。 5、理想运算放大器的两个重要结论是（ ）和（ ）。
6、放大电路引入负反馈后能够 （ ）增益的稳定性，（ ）通频带。 7、在放大电路中引入（ ）能够提高输入电阻，引入（ ）能减小输出电阻。 8、在高频运用时，晶体管的电流放大倍数β随频率升高而下降，当β下降为 0.707β0时对应的频率称为（ ），当β值下降到等于1时对应的频率称为（ ）。 9、有源滤波电路有低通、（ ）、（ ）、带阻等形式。
10、常用的正弦波振荡电路（ ）、（ ）和石英晶体振荡电路等。 二、选择题（每题2分，共20分）
1、当温度升高后，二极管的正向电压（ ），反向电流（ ）。
A、 增大 B、减小 C、基本不变
2、用万用表的“R×1K” 档和“R×100”档测量同一个二极管的正向电阻，两次测得的值分别是R1和R2，则二者相比，（ ）。
A、 R1＞R2 B、R1＝R2 C、R1＜R2 D、说不定哪个大
3、对放大电路的晶体管测量，各极对地的电压为UB=2.7V,UE=2V,UC=6V,则该管为( )。
A、NPN硅管 B、PNP锗管 C、NPN锗管 D、PNP硅管
4、测得放大电路中的IB=30μA时,IC=2.4mA,IB=40μA时,IC=3mA,则该管的交流
电流放大系数为（ ）。 A、80 B、60 C、75 D、100 5、造成晶体管永久损坏的是（ ）。
A、工作电流大于ICM B、工作电压超过U（BR）CEO C、工作电流超过允许的耐热值
6、甲类放大电路的导通角为（ ），乙类放大电路的导通角为（ ）。
A、大于180°小于360°B、等于180° C、等于360° D、小于180° 7、下面关于负反馈对放大电路性能的影响的说法正确的是（ ）。
A、提高增益的稳定性 B、减小失真 C、扩展通频带 D、以上都是 8、差分放大电路的共模抑制比KCMR值越大，表明电路抑制共模信号的能力越（ ）。
A、 强 B、弱 C、不确定 D、无影响
9、RC振荡电路和LC振荡电路相比较，前者产生的频率比后者（ ）。 A、 高 B、低 C、没法比
10、在变压器次级输出电压U2相等的情况下，半波整流电路的输出电压为（ ），桥式整流电路的输出电压为（ ）。 A、0.45U2 B、0.9U2 C、U2 D、1.4U2 三、判断分析题（15分）
1、电路如图2.3.3所示，试判断反馈组态和极性。
2、电路如图3.2所示，试判断反馈类型。
CC+U