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二、
（一）
1、当PN结外加反向电压时，PN结的空间电荷区变 。 2、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
3，在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
4、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 5、在N型半导体中，电子浓度 空穴浓度。 6．稳压二极管稳压时，工作在 状态。
7．图1所示电路中，二极管为理想元件，则AO两端电压VAO为 V。
8、正偏时二极管处于 状态，此时呈现的电阻很 。
（二）
1、已知右图所示电路中稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。 则VO为
（A.10V， B.5V， C. 6V）
R
+ 10V _ 2k? DZ +
RL Vo _ 2、稳压管的稳压区是其工作在
（A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿）
3、利用硅PN结反向击穿特性陡直的特点而制造的二极管，称为 （A）稳压二极管， （B）变容二极管，（C）发光二极管 4、本征半导体在温度升高后（ ）。
A．自由电子数目增多，空穴数目不变 B．自由电子数目和空穴数目增加相同 C．自由电子数目不变，空穴数目增多 D．自由电子数目增多，空穴数目减少 9．Ｐ型半导体中的多数载流子是 （ ） A．中子 B．质子 C．电子 D．空穴
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（三）
1、已知Vi?6sin?t(V)，若二极管的正向导通压降为0.7V，写出输出电压Vo的表达式，并画出Vo相应的波形。
+
_+R+D2VoViD1D2Vo1V_1V_
2、二极管电路如图（a）所示，设二极管为理想的。（12分）
1，试求电路的传输特性（vo～vi特性），画出vo～vi波形； 2，假定输入电压如图（b）所示，试画出相应的vo波形。
3、电路如图所示，稳压管的稳定电压VZ?8V，
正向导通压降0.7V，限流电阻R?3k?，设ui?15sin?t， 试画出uo的波形。 i u
RDzui
uo - 3 -
4、电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。设二极管是理想的。
图1
15V3KD1D2A12VO
5、电路如图5所示，D1，D2为硅二极管，当 vi?6sin?t(V)时，试用恒压降模型分析输出电压Vo的波形。画出Vi和Vo的波形，并标出幅值。（6分）
+R+
+R+ViD1D2VoVi
1VD2Vo___1V_图5
6、已知Vi?6sin?t(V)，若二极管的正向导通压降为0.7V，写出输出电压Vo的表达式，并画出Vo相应的波形。
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7、电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
8、电路如图1所示，设D1、D2为理想二极管，则输出电压Uo为 。 A．-2V， B．0V， C．6V D．12V 6V
D1 D2 ?2V 图1
+12V 5kΩ + Uo ?
三、
（一）
1、测得某放大电路中锗三极管的三个电极A、B、C对地电位分别为VA=―9V，VB=―6V，VC=―6.2V，则该BJT处于 工作区。
2、在三极管放大电路中，测得三极管三个电极A、B、C对地电位UA＝6V，UB＝
3.7V，UC＝3V，则可判断A为三极管的 极，B为三极管的 极，C为三极管的 极。
3、两级放大电路，Av1=―40，Av2=50，若输入电压vi =5mV，则输出电压vo为 V。
4、为消除固定偏流共射极放大电路中出现的饱和失真，应如何调整基极偏流电阻Rb 。
5、电压跟随器具有输入电阻 和输出电阻 的特点，常用作缓冲器。
6，双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 、集电结 。