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(2) GND:地
(3)P0口：P0口是一组8位漏极开路型双向I/O口，也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时，每位能吸收电流的方式驱动8个TTL逻辑门电路，对端口P0写“1”时可作为高阻抗输入端用。在访问外部数据存储器或程序存储器时，这组口线分时转换地址(低8位)和数据总线复位，在访问期间激活内部上拉电阻。
(4) P1口:P1是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口，P1的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTE逻辑门电路。对端口写“1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口。作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(ILL)。与AT89C51不同之处是，P1.0和P1.1还可分别作为定时/计数器2的外部计数输入(P 1.0/T2)和输入(P 1.1/T2EX ),参见表3.1。Flash编程和程序校验期间，P1接收低8位地址。
表3.1 P1.0和P1.1的第二功能
引 脚 号 功能特性 P1.0 P1.1 T2（定时/计数器2外部计数脉冲输入），时钟输出 T2EX（定时/计数2捕获/重装载触发和方向控制） (5)P2口:P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O口，P2的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口P2写“1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口，作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(ILL)。在访问外部程序存储器或16位地址的外部数据存储器(例如执行MOVX @DPTR指令)时，P2口送出高8位地址数据。在访问8位地址的外部数据存储器(如执行MOVX @RI指令)时，P2口输出P2锁存器的内容。 （6）P3口:P3口是一组带有内部上拉电阻的8位双向I/O口。P3口输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对P3口写入“1”时，它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时，被外部拉低的P3口将用上拉电阻输出电流(ILL)。P3口除了作为一般的I/O口线外，更重要的用途是它的第二功能，如表3.2所示。 (7) RST:复位输入。当振荡器工作时，RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。
表3.2 P3口的第二功能
端口引脚 P3.0 P3.1 P3.2 第二功能 RXD（串行输入口） TXD（串行输出口） INT0（外中断0） 5
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P3.3 P3.4 P3.5 P3.6 P3.7 INT1（外中断1） T0（定时/计数0） T1（定时/计数1） WR（外部数据存储器写选通） RD（外部数据存储器读选通） （8）EA/VPP:外部访问允许。欲使CPU仅访问外部程序存储器(地址为
EA端必须保持低电平(接地)。0000H-FFFFH ) 。需注意的是:如果加密位LB1被编程，
复位时内部会锁存EA端状态。如EA端为高电平(接VCC端)，CPU则执行内部程序存储器中的指令。Flash存储器编程时，该引脚加上+12V的编程允许电源VPP，当然这必须是该器件是使用12V编程电压VCC 。
（9）XTAL1:振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输入端。 （10）XTAL2:振荡器反相放大器的输出端。
（11）数据存储器：89C51有256个字节的内部RAM,80H-FFH高128个字节与特殊功能寄存器(SFR)地址是重叠的，也就是高128。字节的RAM和特殊功能寄存器的地址是相同的，但在物理上它们是分开的。当一条指令访问7FH以上的内部地址单元时，指令中使用的寻址方式是不同的，也即寻址方式决定是访问高128字节。RAM还是访问特殊功能寄存器。如果指令是直接寻址方式则为访问特殊功能寄存器。 （12）中断：89C51共有6个中断向量:两个外中断（INT0和INT1），3个定时器中断(定时器0, 1, 2)和串行口中断。
（13）时钟振荡器:89C51中有一个用于构成内部振荡器的高增益反相放大器，引脚XTAL1和XTAL2分别是该放大器的输入端和输出端。这个放大器与作为反馈元件的片外石英晶体或陶瓷谐振器一起构成自激振荡器，振荡电路参见图3.2所示。外接石英晶体（或陶瓷谐振器）及电容C1、C2接在放大器的反馈回路中构成并联振荡电路，对外接电容C1、C2虽然没有十分严格的要求，但电容容量的大小会轻微影响振荡频率的高低、振荡器工作的稳定性、起振的难易程度及温度稳定性，如果使用石英晶体，我们推荐电容使用30pF士10pF，而如果使用陶瓷谐振器，建议选择40pF士l0pF。用户也可以采用外部时钟。采用外部时钟的电路如图3.3图所示。这种情况下，外部时钟脉冲接到XTAL1端，即内部时钟发生器的输入端，XTAL2则悬空。
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图3.2 内部振荡电路 图3.3 外部振荡电路
由于外部时钟信号是通过一个2分频触发器后作为内部时钟信号的，所以对外部时钟信号的占空比没有特殊要求，但最小高电平持续时间和最大的低电平持续时间应符合产品技术条件的要求。
3.2 ADC0832介绍和时序使用
ADC0832 是美国国家半导体公司生产的一种 8 位分辨率、双通道 A/D 转换
芯片。由于它体积小，兼容性强，性价比高而深受单片机爱好者及企业欢迎，其目前已经有很高的普及率。
ADC0832 具有以下特点：
8 位分辨率； 双通道 A/D 转换；
输入输出电平与 TTL/CMOS 相兼容； 5V 电源供电时输入电压在 0~5V 之间； 工作频率为 250KHZ，转换时间为 32μS； 一般功耗仅为 15mW；
8P、14P—DIP（双列直插）、PICC 多种封装；
商用级芯片温宽为0°C to +70°C，工业级芯片温宽为?40°C to +85°C； 芯片接口说明： CS CH0 CH1
选使能，低电平芯片使能。
输入通道 0，或作为 IN+/-使用。 输入通道 1，或作为 IN+/-使用。
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GND DI DO CLK
参考 0 电位（地）。 号输入，选择通道控制。 号输出，转换数据输出。 片时钟输入。
VCC/REF 源输入及参考电压输入（复用）。
图3.4 ADC0832封装
图3.5 ADC0832 与单片机的接口电路
ADC0832 为 8 位分辨率 A/D 转换芯片，其最高分辨可达 256 级，可以适应
一般的模拟量转换要求。其内部电源输入与参考电压的复用，使得芯片的模拟电压输入在 0~5V 之间。芯片转换时间仅为 32μS，据有双数据输出可作为数据校验，以减
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