2009年，三星开发出世界第一款40 纳米 DRAM、世界功率最低的 1GHz移动CPU内核、世界最薄的 3mm LED 电视面板和世界第一个0.6mm 8 芯片封装，并批量生产了世界第一款 40 纳米 DDR3 DRAM。
2010年，三星开始批量生产20nm级、64GB、3 bit NAND 闪存并推出高速512GB SSD，它利用了具有最新切换模式的DDR NAND内存。
2011年，三星电子宣布，斥资100亿美元打造的新芯片生产线已开始量产。三星开发出行业内第一款30nm级1GB DDR4 DRAM和生产世界第一款 64GB MLC NAND闪存；它还生产出世界上第一款20nm级2GB DDR3 DRAM以及开发出世界上第一款30nm级4GB LPDDR3 DRAM。
2012年，三星尝试研究行业内第一款依靠DDR4内存技术的16G 服务器模块；三星开始大量生产智能手机和平板电脑用的最快的嵌入式NAND内存和行业内最高密度（128GB）嵌入式NAND内存；它宣布通过30nm 级工艺已生产出行业第一款2GB LPDDR2手机DRAM；并引进先进的内存存储解决方案供纤薄智能机和平板电脑使用。
2013年，三星研发出世界第一款4GB LPDDR3手机DRAM,使用的是20nm 级的工艺；同年，它开始大量生产PCI-Express SSD（固态硬盘）。
?
海力士
进入21世纪，海力士也迎头赶上，在存储器集成电路领域大有超越三星的趋势。不过，海力士在发展和更新DRAM的同时，也开始不断开发SRAM等其他类型的存储器。
2001年，现代电子更名为海力士，完成与现代集团的最终分离。同年开发出世界上速度最快的128MB DDR SDRAM。
2002年，海力士开发1G DDR DRAM模块并在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM；它还开发出0.10微米、512MB 的DDR。
2003年，海力士宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世并宣布在世界上首次发表DDR500。同年，海力士采用0.1微米工艺技术投入生产超低功率256M SDRAM。
2004年，海力士与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议，并成功开发出NAND闪存和超高速DDR SDRAM 550MHz。
2005年，海力士成为世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM的企业，并在业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM 14
2006年，海力士在业界最先发表60nm 1GB DDR2 800MHz基础模块并开发出世界最高速的200MHz 512MB Mobile DRAM。
2007年，海力士开发出以“晶圆级封装15 (Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模块。
2008年，海力士引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM16，开发出世界最高速Mobile LPDDR2。同年在世界上最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM。
2009年，海力士成为世界上最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证的企业。同年开发出低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1GB DDR2 DRAM。本年海力士最先开发出44nm DDR3 DRAM。海力士半导体公司(HynixSemiconductor)近日宣布,已使用最细微技术研发出全球密度最高内存芯片。海力士这种崭新的“DDR3DRAM”(DDR3动态随机存取内存)芯片采用的技术,能让内部线路相距仅40奈米,细微度是目前产品的1/5。海力士表示,这项新产品的生产效率较现有芯片提升50%,因为比现有制程耗费更少能源和成本。海力士说,将从今年第三季开始量产。海力士发言人说:“海力士成为成功应用40奈米级技术至DDR3DRAM芯片的全球首家厂商。研发出此新芯片,将有助于海力士在快速变迁的内存芯片市场继续维持领先地位。”
2010年，海力士开发出20nm Class 64Gb NAND Flash和全球首个2Gb移动低功耗DDR2 DRAM。同年，它申请了“半导体存储装置的数据对齐电路和方法”的专利。12月30日消息，据国外媒体报道，全球第二大内存芯片厂商海力士半导体星期三称，它已经开发出一种新的基于30纳米技术的内存芯片。这个里程碑式的事件可能会帮助海力士渡过全球半导体市场的衰退。海力士在声明中说，它开发出了使用30纳米技术的全球第一个4GB DDR3内存。这种新的芯片主要面向高端服务器和PC市场，提供比目前采用40纳米技术制作的内存芯片更快的速度并且将效率提高70%。海力士在明年第一季度还将生产采用30纳米技术的其
14
DIMM: Dual Inline Memory Modules,即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条，DIMM提供了64位
的数据通道，因此它在奔腾主板上可以单条使用。
1516
晶圆级封裝:（WLP）是一项先进的封裝技术，其所有的步骤都需在切片前的晶圓级完成，这样封装后的尺寸不会比晶片本身大。 RDIMM：即Registered DIMM，表示控制器输出的地址和控制信号经过Reg寄存后输出到DRAM芯片，控制器输出的时钟信号经过PLL后到达各DRAM芯片。
它小容量的DRAM内存芯片。这种最新产品的生产将在未来几个月之内实施。专家说，此举表明海力士正在从40至50纳米技术向30至40纳米技术过渡。采用高级的技术，芯片厂商能够显著降低生产成本和得到更多的利润。
2011年，海力士开发出30nm Class 2Gb高性能DDR4 DRAM；并利用TSV17技术开发40nm Class 16Gb DDR3 DRAM。全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体称，它已开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。海力士在声明中称，通过使用一种名为TSV（硅通孔技术）的新技术，海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技术相比以前的技术具有速度更快和耗电量更省的优势。
2012年，海力士开发出低压4Gb Graphics DDR3并设立闪存解决方案设计中心。
?
韩国科学界
2009年，韩国科学家开发出一种全新的晶体管，其反应速度和能源效率比现有晶体管更快更好，令不需启动过程的电脑有望实现。这种全新的晶体管叫“自旋场效应晶体管”，韩国科学技术研究院自2002年开始研究自旋晶体管，投入了约800万美元的研究资金。它已在美国、日本和其他国家为这项技术申请了专利权。这项微电子学新突破刊登在《科学》杂志上。
2011年，韩国高级科学技术研究院（KAIST）研究组研制出近似日光的白色LED并将其研究成果刊登在了材料领域的尖端期刊《新型材料》（Advanced Materials）上。
2013年，韩国蔚山科技大学崔京振（音）教授共同研究小组研发出全球最早利用化合物半导体纳米线的晶圆级大面积合成技术。
17
TSV:在半导体微电子领域，代表硅通孔技术。在3D IC封装及MEMS封装过程中，由于要使用到多层芯片互联，因此需要打穿整个芯片的孔来实现电学连接.目前比较流行的两种方法为先通孔(via first)与后通孔(via last)。