的宽度最小应为多少微秒（设晶闸管的擎住电流IL=15mA）？
图题2.13
解：由题意可得晶闸管导通时的回路方程：LtdiA?RiA?E dt?EL可解得 iA?(1?e?)， ? ==1
RR要维维持持晶闸管导通，iA(t)必须在擎住电流IL以上，即
50(1?e?t)?15?10?3 0.5t?150?10?6?150?s， 所以脉冲宽度必须大于150μs。
2.14单相正弦交流电源，晶闸管和负载电阻串联如图题2.14所示，交流电源电压有效值为220V。 (1)考虑安全余量，应如何选取晶闸管的额定电压？
(2)若当电流的波形系数为Kf=2.22时，通过晶闸管的有效电流为100A，考虑晶闸管的安全余量，应如何选择晶闸管的额定电流？
图题2.14
解：（1）考虑安全余量, 取实际工作电压的2倍
UT=220?2?2?622V, 取600V （2）因为Kf=2.22, 取两倍的裕量，则：
2IT(AV)?2.22?100A
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得： IT(AV)=111(A) 取100A。
2.15 什么叫GTR的一次击穿?什么叫GTR的二次击穿?
答：处于工作状态的GTR，当其集电极反偏电压UCE渐增大电压定额BUCEO时，集电极电流IC
急剧增大（雪崩击穿），但此时集电极的电压基本保持不变，这叫一次击穿。
发生一次击穿时，如果继续增大UCE，又不限制IC，IC上升到临界值时，UCE突然下降，而IC
继续增大（负载效应），这个现象称为二次击穿。
2.16怎样确定GTR的安全工作区SOA?
答：安全工作区是指在输出特性曲线图上GTR能够安全运行的电流、电压的极限范围。按基极偏量分类可分为：正偏安全工作区FBSOA和反偏安全工作区RBSOA。正偏工作区又叫开通工作区，它是基极正向偏量条件下由GTR的最大允许集电极功耗PCM以及二次击穿功率PSB，ICM，BUCEO四条限制线所围成的区域。反偏安全工作区又称为GTR的关断安全工作区，它表示在反向偏置状态下GTR关断过程中电压UCE，电流IC限制界线所围成的区域。
2.17 GTR对基极驱动电路的要求是什么？ 答：要求如下：
（1）提供合适的正反向基流以保证GTR可靠导通与关断， （2）实现主电路与控制电路隔离，
（3）自动保护功能，以便在故障发生时快速自动切除驱动信号避免损坏GTR。 （4）电路尽可能简单，工作稳定可靠，抗干扰能力强。 2.18在大功率GTR组成的开关电路中为什么要加缓冲电路?
答：缓冲电路可以使GTR在开通中的集电极电流缓升，关断中的集电极电压缓升，避免了GTR同时承受高电压、大电流。另一方面，缓冲电路也可以使GTR的集电极电压变化率流变化率
du和集电极电dtdi得到有效值抑制，减小开关损耗和防止高压击穿和硅片局部过热熔通而损坏GTR。 dt2.19与GTR相比功率MOS管有何优缺点?
答：GTR是电流型器件，功率MOS是电压型器件，与GTR相比，功率MOS管的工作速度快，开关频率高，驱动功率小且驱动电路简单，无二次击穿问题，安全工作区宽，并且输入阻抗可达几十兆欧。
但功率MOS的缺点有：电流容量低，承受反向电压小。 2.20从结构上讲，功率MOS管与VDMOS管有何区别?
答：功率MOS采用水平结构，器件的源极S，栅极G和漏极D均被置于硅片的一侧，通态电阻大，
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性能差，硅片利用率低。VDMOS采用二次扩散形式的P形区的N型区在硅片表面的结深之差来形成极短的、可精确控制的沟道长度（1~3?m）、制成垂直导电结构可以直接装漏极、电流容量大、集成度高。
2.21试说明VDMOS的安