微星H61主板BIOS设置 - 图文

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开启/关闭 OC Genie按钮,默认是关闭。这是一键超频功能,在H61主板上没有作用。 内存频率设置

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回车弹出频率选择菜单。H61也不支持内存超频,默认的频率最高是1333MHz。

开启/关闭XMP,默认是关闭。XMP在H61主板上也不起作用(可点击放大)

DRAM时序模式

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这里的设置有Auto/Link/Unlink,Auto就是按内存的SPD参数自动设置,Link/Unlink是手动设置,Link是双通道用同一个时序设置,Unlink是2个通道分开设置时序。当设置了Link/Unlink后,下面的Advanced DRAM Configuration变为可操作的,以便于手动设置内存时序。

内存时序设置

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第一梯队的六个参数

这6个参数是最重要的,可以在CPU-Z里面看到。其中CL、RCD、RP是JEDEC标准排名前三的重要参数。

Command Rate:命令速率,也称之为CR,Command Mode。设置参数有1T/2T/3T。这个选项是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。延迟时间以周期为单位。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto设置即可,让BIOS自己去设置。

t CL:参数范围5-15T。CL就是CAS# Latency,列地址选通潜伏时间,指的是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。

tRCD:参数范围4-15T。RCD就是RAS# to CAS# Delay,行地址到列地址的延迟时间,数值越小,性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时,需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。JEDEC规范中,它是排在第二的参数,降低此延时,可以提高系统性能,如果该值设置太低,同样会导致系统不稳定。

tRP:参数范围4-15T。RP就是Row# precharge Delay,内存行地址选通脉冲预充电

时间。也叫做“内存行地址控制器预充电时间”,预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP用来设定在另一行能被激活之前,RAS需要的充电时间。tRP参数大会导致所有的行激活延迟过长,参数小可以减少预充电时间,从而更快地激活下一行。该参数的大小取决于内存颗粒的体质,参数小将获取最高的性能,但可能会造成行激活之前的数据丢失,内存控制器不能顺利地完成读写操作,从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。 这3个参数是JEDEC规范中最重要的参数,参数值越低,内存读写操作越快,但稳定性下降,相反数值越高,读写速度降低,稳定性越高。

tRAS:参数范围10-40T。RAS就是Row# active Delay,内存行地址选通延迟。即“内存行有效至预充电的最短周期”,调整这个参数要根据实际情况而定,并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长,系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期,则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短,则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输,这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能,应尽可能降低tRAS的值,但如果发生内存错误或系统死机,则应该增大tRAS的值。

tRFC:参数范围48-200T。RFC就是Refresh Cycle Time,刷新周期时间。它是“SDRAM行刷新周期时间”,它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即:REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好,它比tRC的值要稍高一些。

DRAM参数的第二梯队

tWR:参数范围5-16T。WR就是Write Recovery Time,写恢复延时。该值指的是在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前,必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前,写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的,过低的tWD虽然提高了系统性能,但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中,就发生了预充电操作,会导致数据的丢失及损坏。

tWTR:参数范围4-15T。WTR就是Write to Read Delay,写到读延时。这个参数设定向DDR内存模块的同一个单元中,在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高,降低了读性能,但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能,但系统会不稳定。

tRRD:参数范围1-15T。RRD就是Row to Row Delay,行到行延迟。也称为RAS to RAS delay ,表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即:REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。延迟越低,表示下一个bank能更快地被激活,进行读写操作。然而,由于需要一定量的数据,太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况,需将此值设定较高的时钟参数。

tRTP:参数范围4-15T。RTP就是DRAM READ to PRE Time,内部读取到预充电命令时间。这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小,系统运行很快,但不稳定。

tFAW:参数范围4-63T。FAW就是DRAM FOUR ACT WIN Time,内存四项动作成功时间。该选项通常设置为Auto即可,对性能以及稳定性影响不大。

tWCL:参数范围5-15T。WCL就是Write CAS Latency,写指令到行地址控制器延时。SDRAM内存是随机访问的,这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址,大多数情况下,数据通常写入距离当前列地址最近的页面。这个参数和tCL(CAS-Latency)是相对

的,tCL是“读”的延迟,tWCL是“写”的延迟。

tCKE:参数范围3-15T。CKE是时钟有效信号(Clock Enable),在这里这个参数叫做CKE Minimum Plus Width,就是CKE最小脉冲宽度。 tRTL:参数范围24-64T。RTL就是DRAM Round Trip Latency,在一个UCLK(NB Clock)内往返读取若干单元之间的最小延迟。

高级通道1时序配置

这个梯队是读写通道1内存的特殊参数(可点击放大)

tRRDR:Read-Read Different Rank,same DIMM。这个参数的含义是在同一个DIMM(就是同一条内存)内,读取不同RANK的延迟。

tRRDD:Read-Read Different Rank。这个参数的含义是读取不同RANK的延迟(包括了所有DIMM)。

tWWDR:Write-Write Different Rank,same DIMM。这个参数的含义是在同一个DIMM(就是同一条内存)内,写不同RANK的延迟。

tWWDD:Write-Write Different Rank。这个参数的含义是写不同RANK的延迟(包括了所有DIMM)。

tRWDRDD:Read-Write Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上读-写不同的RANK的延迟。

tWRDRDD:Write-Read Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上写-读不同的RANK的延迟。

tRWSR:Read-Write Same Rank。这个参数的含义是读-写同一个RANK的延迟。 JEDEC的DDR3时序表

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