１９ ．某半导体存储器容量１５KB ，其中固化区８KB ，可选EPROM 芯片为４K × ８ ；可随机读／写区７KB ，可选SRAM 芯片有：４K × ４ 、２K × ４ 、１K × ４ 。地址总线A１５ ～ A０ （A０ 为最低位） ，双向数据总线D７ ～ D０ （D０ 为最低位） ，R／W控制读／写，MREQ为低电平时允许存储器工作信号。请设计并画出该存储器逻辑图，注明地址分配、片选逻辑、片选信号极性等。
２０ ．某机地址总线１６ 位A１５ ～ A０ （A０ 为最低位） ，访存空间６４KB 。外围设备与主存统一编址，I／O 空间占用FC００ ～ FFFFH 。现用２１６４ 芯片（６４K × １）构成主存储器，请设计并画出该存储器逻辑图，并画出芯片地址线、数据线与总线的连接逻辑以及行选信号与列选信号的逻辑式，使访问I／O 时不访问主存。动态刷新逻辑可以暂不考虑。
解：存储器逻辑图如图５-２６ 所示，为简单起见，在图中没有考虑行选信号和列选信
号，行选信号和列选信号的逻辑式可参考下题。
在６４KB 空间的最后１KB 为I／O 空间，在此区间CS无效，不访问主存。
２１ ．已知有１６K × １ 的DRAM 芯片，其引脚功能如下：地址输入A６ ～ A０ ，行地址选择RAS ，列地址选择CAS ，数据输入端DIN ，数据输出端DOUT ，控制端WE 。请用给定芯片构成２５６KB 的存储器，采用奇偶校验，试问：需要芯片的总数是多少？ 并请： （１） 正确画出存储器的连接框图。 （２） 写出各芯片RAS和CAS形成条件。
（３） 若芯片内部采用１２８ × １２８ 矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
解：（１） 需要的芯片数＝ １２８ 片，存储器的连接框图如图５-２７ 所示。
（３） 若芯片内部采用１２８ × １２８ 矩阵排列，设芯片的最大刷新间隔时间为２ms ，则相 邻两行之间的刷新间隔为：
刷新间隔＝ 最大刷新间隔时间÷ 行数＝ ２ms ÷ １２８ ＝ １５ ．６２５μs
可取刷新间隔１５ ．５μs 。２２．并行存储器有哪几种编址方式？ 简述低位交叉编址存储器的工作原理。
解：并行存储器有单体多字、多体单字和多体多字等几种系统。 多体交叉访问存储器可分为高位交叉编址存储器和低位交叉编址存储器。低位交叉
编址又称为横向编址，连续的地址分布在相邻的存储体中，而同一存储体内的地址都是不
连续的。存储器地址寄存器的低位部分经过译码选择不同的存储体，而高位部分则指向
存储体内的存储字。如果采用分时启动的方法，可以在不改变每个存