+V CC (+12V)
R b 180k C 1
T
v i
R e 2k
R i
C 2
vRo
RL
o
2k
图判断题 10
即自偏压和分压式偏置电路。
11．结型场效应管通常采用两种偏置方式，
小。
（ √ ）
（ × ）
12. 在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降，输出电阻也减 13． MOS 场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以
电阻总可以视为无穷大
MOS 管组成的放大电路的输入
（ × ）
14． 场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大（
增大而减小。（ × ）
√ ），输入电阻则随漏极静态电流
15． 场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大
（ √），输出电阻也很大。 （ × ）
16．共漏放大电路电压放大倍数总是小于1（ √ ），所以不能实现功率放大。 （ × 17． 场效应管的跨导 gm=IDQ /VGSQ（ × ）还是 gm ＝ 18．增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路。 19．耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自偏压电路。 20．如果输入级是共射放大组态， 21．如果输入级是共集放大组态，
）
ID / VGS。（ √ ）
（ × ） （ × ） （ √ ） （ √ ） （ √ ） （ √ ） （ √ ） （ × ）
则输入电阻只与输入级有关。 则输入电阻还与后级有关。
22．如果输出级是共射放大组态， 则输出电阻只与输出级有关。 23．如果输出级是共集放大组态， 则输出电阻还与前级有关。 24．放大直流信号， 只能采用直接耦合方式。
25．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。 （ 1）输入级采用共集组态放大电路。 （ 2）输入级中的放大管采用复合管结构。 （ 3）输入级中的放大管采用场效应管。
27．复合管的 β值近似等于组成复合管的各晶体管的
26． 欲提高多级放大电路的输入电阻，试判断以下一些措施的正确性：
（ √ ） （ √ ） （ √ ） （ √ ）
PNP 管。
（ √ ）
值乘积。
28．一个 NPN 管和一个 PNP 管可以复合成 NPN 管也可以复合成
习题
4.1 定性判断图题 4.1 中哪些电路不具备正常的放大能力，并说明不能放大的原因。
Rc
C 2
Rc
V
CC
C2
Rc
V
CC
C 2
C 1
C 1
C 1
V CC
v i
T
v o
v i
T
R b
vo
v i
T
Rb
vo
( a )
V
BB
(b )
V BB
( c )
图题 4.1
解： （ a）不能放大，输入回路无偏置电压
（ b）能放大
（ c）不能放大， VCC 极性不正确。 4.2 放大电路及晶体管输出特性如图题
VBE 0.7V ）并用图解法确定静态工作点
4.2 所示。按下述不同条件估算静态电流 Q（标出 Q 点位置和确定 ，求 Q1； ，求 Q2； ，求 Q3； 3k
2k ，求 Q4。
2k 2k
IBQ（取
I CQ、 VCEQ 的值）。
（ 1） VCC＝12V ， Rb 150k （ 2） VCC＝12V ， Rb 110k （ 3） VCC＝12V ， Rb 150k （ 4） VCC＝8V ， Rb 150 k
， Rc ， Rc ， Rc ， Rc
R b C 1
+V CC
8 6
i c mA
125 A 100 A 75 A 50 A IB =25 A
Rc
C2
T
v i
vo
R L
4 2
v
o
4
8
12
CE V
解： I BQ
VCCVBE Rb
图题 4.2
，作出各种情况下直流负载线
8 6
VCE VCC
A A A
I CQ Rc ，得 Q 点见下图
i c mA
Q1
Q2 Q
125 100 75
4 2
3
Q4
50 A
IB =25 A
0
4
v
8
12
CE V
（ 1） Q1 ：I BQ≈ 75μA ， I CQ≈ 4mA ， VCEQ ≈ 4V （ 2） Q2 ：I BQ≈ 100μA ， I CQ≈ 5.2mA ， VCEQ≈ 1.7V （ 3） Q3 ：I BQ≈ 75μA ， I CQ≈ 3.5mA ， VCEQ≈ 1.5V （ 4） Q4 ：I BQ≈ 49μA ， I CQ≈ 2.5mA ， VCEQ≈ 3V 4.3 某晶体管输出特性和用该晶体管组成的放大电路如图题
＝ 0.6V ，电容对交流信号可视为短路。
（ 1）在输出特性曲线上画出该放大电路的直流负载线和交流负载线，标明静态工作点 Q；
（ 2）确定静态时 ICQ 和 VCEQ 的值；
（ 3）当逐渐增大正弦输入电压幅度时，首先出现饱和失真还是截止失真？ （ 4）为了获得尽量大的不失真输出电压，Rb 应增大还是减小？
4.3 所示，设晶体管的
VBEQ
.
+V CC
(+6V)
C 2
i C mA 6
60 A
Rb 270k
Rc
5
50 A
1.5k
v o
RL 1.5k
4 3
40 A 30 A
T
C 1
2
20 A
v i
1 o
1234
IB =10 A
v
5
6
CE V
V
解：（ 1） I BQ
V
BEQ
图题 4.3
6 0.6 270
CC
A 20
，直流负载线
V
CE
VCC I CQ Rc 6 1.5I CQ ，
Rb
作图如下，得 I CQ≈ 2mA ， VCEQ≈ 3V 。
交流负载线方城为
iC
1
vCE RL
1 RL
(VCEQ
ICQRL )
即
iC (
1 vCE 0.75
4.5 )(
mA
)
0.75
作出交流负载线如下图
i C mA 6 5 4
交流负载线
60 A
50 A 40 A 30 A
Q
直流负载线
3 2 1 0
20 A IB=10 A
1
2
3
4
5
v
6
CE V
（ 2） I CQ≈2mA ， VCEQ ≈ 3V
（ 3）交流负载线上 Q 点到截止区的距离比 Q 点到饱和区的距离短， 所以首先出现截止 失真。
（ 4）减小 Rb，使 IBQ 增加。 4.4 已知图题 4.4 所示电路中的晶体管
β ＝50，bb '
r
100 ，调整 R b 使静态电流 ICQ=0.5mA ，
C1、 C2 对交流信号可视为短路。
（ 1）求该电路的电压放大倍数 Av ；
β
（ 2）若晶体管改换成 ＝ 100 的管子，其它元件（包括
1 2 ，约增大一倍） 化？（基本不变，约减小到原来的
β
（ 3）若晶体管改换成 ＝ 200 的管子，情况又如何？
Rb ）都不变， Av 将发生什么变
Rb
+VCC (+12V)
Rc 8.2k
C 1
T
C 2
RL
v o
v i
8.2k
图题 4.4
解：（ 1） r
r
be
b b
(1
) 26(mV )
50 4.1 2.75
I EQ (mA)
100 51 26
2.75k
0.5
Av
RL
75
rbe
（ 2） Rb 不变， I BQ 基本不变，所以 rbe 基本不变，因此 Av 约增大一倍。
β
（ 3） Rb 不变， I BQ 基本不变， 增加 4 倍， I CQ 增加 4 倍， VCEQ 进入饱和区，晶体管
饱和，失去正常放大能力。
4.5 已知图题 4.5 所示电路中晶体管
况下晶体管工作在什么状态。
(1) Rb＝ 10 k ， Rc＝ 1k (2) Rb＝510 k
， Rc＝5.1k
＝50， rbb ' 100 ，VBEQ＝ 0.7V 。判断在下列两种情
如果工作在线性放大状态，则进一步计算静态工作点
I BQ 、ICQ、VCEQ 以及电压放大倍数
Av 、输入电阻 Ri 、输出电阻 Ro （设电容 C1、 C2 对交流信号可视为短路） 。
R c
Rb C 1
C 2
+ VCC (+12V)
T
v i
vo
图题 4.5
解： （1） IBQ
V
CC
V
BEQ
12
Rb
0.7
1.13 mA
10
I CQ
I
BQ
56.5mA I CQ Rc
VCE 饱和
(2) I BQ
VCC
12 56.5 1 44.5V
VCC VBEQ 12 0.7
Rb
510
22 A
I
CQ
βI BQ
1.1mA
VCE VCC I CQ Rc 12 1.1 5.1 6.4V