AMR(Anisotropic Magneto Resistive,AMR):一种磁头技术,AMR技术可以支持3.3GB/平方英寸de记录密度,在1997年AMR是当时市场de主流技术.
GMR(Giant Magneto Resistive,巨磁阻):比AMR技术磁头灵敏度高2倍以上,GMR磁头是由4层导电材料和磁性材料薄膜构成de:一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性de栓层和一个交换层.前3个层控制着磁头de电阻.在栓层中,磁场强度是固定de,并且磁场方向被相临de交换层所保持.而且自由层de磁场强度和方向则是随着转到磁头下面de磁盘表面de微小磁化区所改变de,这种磁场强度和方向de变化导致明显de磁头电阻变化,在一个固定de信号电压下面,就可以拾取供硬盘电路处理de信号.
OAW(光学辅助温式技术):希捷正在开发deOAW是未来磁头技术发展de方向,OAW技术可以在1英寸宽内写入105000以上de磁道,单碟容量有望突破36GB.单碟容量de提高不仅可以提高硬盘总容量、降低平均寻道时间,还可以降低成本、提高性能.
PRML(局部响应最大拟然,Partial Response Maximum
Likelihood):除了磁头技术de日新月异之外,磁记录技术也是影响硬盘性能非常关键de一个因素.当磁记录密度达到某一程度后,两个信号之间相互干扰de现象就会非常严重.为了解决这一问题,人们在硬盘de设计中加入了PRML技术.PRML读取通道方式可以简单地分成两个部分.首先是将磁头从盘片上所读取de信号加以数字化,并将未达到标准de信号加以舍弃,而没有将信号输出.这个部分便称为局部响应.最大拟然部分则是拿数字化后de信号模型与PRML芯片本身de信号模型库加以对比,找出最接近、失真度最小de信号模型,再将这些信号重新组合而直接输出数据.使用PRML方式,不需要像脉冲检测方式那样高de信号强度,也可以避开因为信号记录太密集而产生de相互干扰de现象. 磁头技术de进步,再加上目前记录材料技术和处理技术de发展,将使硬盘de存储密度提升到每平方英寸10GB以上,这将意味着可以实现40GB或者更大 de硬盘容量.
间隔因子:硬盘磁道上相邻de两个逻辑扇区之间de物理扇区de数量.因为硬盘上de信息是以扇区de形式来组织de,每个扇区都 有一个号码,存取操作要通过这个扇区号,所以使用一个特定de间隔因子来给扇区编号而有助于获取最佳de数据传输率.
着陆区(LZ):为使硬盘有一个起始位置,一般指定一个内层柱面作为着陆区,它使硬盘磁头在电源关闭之前停回原来de位置.着陆区不用来存储数据,因些可避免磁头在开、关电源期间紧急降落时所造成数据de损失.目前,一般de硬盘在电源关闭时会自动将磁头停在着陆区,而
老式de硬盘需执行PARK命令才能将磁头归位.
反应时间:指de是硬盘中de转轮de工作情况.反应时间是硬盘转速de一个最直接de反应指标.5400RPMde硬盘拥有de是5.55 MSde反应时间,而7200RPMde可以达到4.17 MS.反应时间是硬盘将利用多长de时间完成第一次de转轮旋转.如果我们确定一个硬盘达到120周旋转每秒de速度,那么旋转一周de时间将是 1/120即0.008333秒de时间.如果我们de硬盘是0.0041665秒每周de速度,我们也可以称这块硬盘de反应时间是4.17 ms(1ms=1/1000每秒).
平均潜伏期(average latency):指当磁头移动到数据所在de磁道后,然后等待所要de数据块继续转动(半圈或多些、少些)到磁头下de时间,单位为毫秒(ms).平均潜伏期是越小越好,潜伏期小代表硬盘de读取数据de等待时间短,这就等于具有更高de硬盘数据传输率(计算机基础知识,电脑知识入门学习,请到http://www.zidir.com电脑知识网).
道至道时间(single track seek):指磁头从一磁道转移至另一磁道de时间,单位为毫