6-9． 一P沟道铝栅极MOS晶体管具有下列参数：x0?100nm ，Nd?2?1015cm?3，
Q0?q1011cm?2，L?10?m，Z?50?m，?p?230cm2/V?S ，计算在VGS等
于－4V和－8V时的IDS，并绘出电流-电压特性（计算机解）。 6-10．一N沟道MOS晶体管具有下列参数：k0?4，x0?100nm，ZL?10，
?n?1000cm2/V?s，VTH?0.5V，计算在VG?4V时的饱和电流。
6-11．在习题6-10的MOS晶体管中，令VG?VTH?1V。
（1） 计算氧化层电容和截止频率；
（2） 若Z?10?m，及L?50?m，计算氧化层电容和截止频率。
6-12． (1) 若N沟道MOS增强型FET的源和衬底接地，栅和漏极短路，推导出描述源
-漏两极I-V特性的公式（假设VTH为常数）； (2) 用习题6-10的数据画出I-V曲线； (3) 计算 VG?VTH?1V时的Ron； (4) 若L/Z =1.0，重复（3）。
6-13． 一P沟道MOS晶体管Nd=10cm，栅氧化层厚度为100nm，若?ms??60.以及Q0?5?1015cm?2,计算阈值电压。
6-14．考虑一个长沟道MOSFET，其中L?3?m.Z?21?m,Na?5?10cm
15?315?3V，
C0?1.5?10?7F/cm2，Vm?1.5V。求VG?4V时的VDsat。若用常数比例因子
将沟道收缩到1?m，求按比例缩小后的下列参数：Z,C0,IDsat和f0。
6-15． 设计一个栅长为0.75?m的亚微米MOSFET(栅的长度是沟道长度加上2倍结深)，
若结深为0.2?m，栅氧化层厚度为20nm。最大漏电压限制为2.5V，求沟道
掺杂浓度为多少时才能使这个MOSFET具有长沟道特性。 6-16． 对于图6－30中的亚微米MOSFET
（1）求VG?2V，2V?VD?2.5V情况下的沟道电导；
（2）VD?0.75V,2V?VG?2.5V情况下的跨导； （3）解释为什么电流不随（VG?VTH)2变化； （4）根据跨导估算饱和速度。
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第七章习题
7-1． (1)计算在Ge、Si和GaAs中产生电子空穴对的光源的最大波长?； (2) 计算波长为5500nm和6800nm的光子能量。 7-2． 导出例7-1中的空穴分布公式（7-5-5）。
7-3．一厚为0.46 ?m的GaAs样品用h??2eV的单色光源照射。吸收系数为
??5?10?4cm?1，样品的入射功率为10mW。
(1) 以每秒焦耳为单位计算为样品所吸收的总能量；
(2) 以每秒焦耳为单位求电子在复合前传给晶格过剩热能的速率； (3) 计算每秒钟由于复合发射的光子数。
7-4． 假设PN二极管受到一个光源的均匀照射，所引起的电子-空穴产生速率为GL，
解二极管的扩散方程证明
??Pn?(Pn0(eV/VT?1)?GlL2pDp)e?x/Lp?GlL2pDp
7-5． 利用习题7-4的结果推导 IL?qGL(Ln?Lp)A 7-6． (1) 推导公式 7-4-3；
(2) 假设暗电流为1.5mA，光产生的短路电流为100mA,画出I-V曲线，并用图解法求出最大输出功率的负载电阻并估算占空因数（计算机计算题）。
7-7． (1)证明对于NP电池，公式（7-3-1）中的电流I0可用下式表示：
?WDnsinhpqAnp0DnLnLnLn，式中S是在欧姆接触处的表面复合I0??WpWpDnLncosh?S?sinhLnLnLnS?cosh?速度，Wp为P区宽度，其他符号表示少数载流子的参数； (2) 证明：
WpWp?qAnp0Dntanh，当（S??Ln?LnI? 0??qAnp0DncothWp，当（S??Ln?Ln
Dn)时LnDn)时Ln
27-8． 假设JL?40mA/cm，画出NP GaAs电池的开路电压与受主浓度的关系。
?其中J0?I0A由习题7-7（2） 中S< 7-9． 在?的一个小的带宽范围内平均每秒每平方厘米进入硅内的光子数为Q(?) (1)推导出波长?处的光产生电流损耗?JL(?)作为背面接触反射系数R，电池的总厚度W以及吸收系数α的函数； (2)估算在??900nm处光产生电流的损耗。假设在?50nm的带宽内Q(?)等