在电路中起着什么作用，其电容大小是否会对电路造成影响，造成了什么影响？
表3-5 电路频率特性比较 计算 仿真（100pF） 仿真（0.01μF） 测试（100pF） 测试（0.01μF）
增益（dB） 23.1 22.943 22.816 22.730 下限截频 31.459Hz 51.718Hz 33.761Hz 32.475Hz 上限截频 1.696MHz 13.881kHz 1.034MHz 30.936kHz 5. 深度负反馈频率特性分析
将发射极电阻R3和R4对调位置（即：改变交流负反馈深度，但静态工作点不变）。计算中频增益：
5.1 C4为100pF时深度负反馈电路的频率特性分析
（1）电路中C4为100pF时，Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表3-5）
（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表3-5）
（3）对比分析仿真与测试的频率特性（含R3和R4未对调前的数据）：
表3-5 100pF电路加深反馈前、后的频率特性对比
增益（dB） 下限截频 31.459Hz 33.761Hz 8.018Hz 4.056Hz 上限截频 1.696MHz 1.034MHz 1.842MHz 1.115MHz 计算（浅负反馈） 23.1 仿真（浅负反馈） 23.1 测试（浅负反馈） 22.816 计算（深负反馈） 9.23 仿真（深负反馈） 9.232 测试（深负反馈） 9.153 分析加深负反馈前后仿真与测试的指标差别，包括前后增益的变化、前后上下限截止频滤的变化等。
5.2 C4为0.01uF时深度负反馈电路的频率特性分析
（1）电路中C4为0.01uF时，Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表3-6）
（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表3-6）
（3）对比分析仿真与测试的频率特性（含R3和R4未对调前的数据）：
表3-6 0.
增益（dB） 下限截频 51.718Hz 32.745Hz 7.692Hz 上限截频 13.881kHz 30.936kHz 18.551kHz 计算（浅负反馈） 23.1 仿真（浅负反馈） 22.943 测试（浅负反馈） 22.730 计算（深负反馈） 9.23 仿真（深负反馈） 9.128 测试（深负反馈） 9.124 3.994Hz 37.189kHz 分析加深负反馈前后仿真与测试的指标差别，包括前后增益的变化、前后上下限截止频滤的变化等。
6. 计算、仿真、测试共射放大电路过程中的体会。 体会：
1、 2、 3、
实验中出现问题时，应该结合所学理论知识，静下来分析原因。比如电路的搭建过程中，电路未接通，需要仔细检查每条通路。
学会使用AD2了，体验到熟能生巧的奇妙感觉，AD2在实验过程中用得次数多了，慢慢就从生疏变得熟练了。
感觉将所学的课本知识运用到具体的实验操作过程中很好。就是还不能很好的将理论和实际进行灵活转化，需要多进行实验以训练相应能力。
附录：Multisim中晶体管模型参数修改表：
调用2N5551晶体管模型，修改晶体管的相关参数（见下表，除表中各项需要修改外，其他不变） 原2N5551编修改后2N5551模型参数 辑模型参数 传递饱和电流 IS 理想最大正向放大倍数BF 正向厄尔利电压VAF 2.511e-015(f) 3.92e-014 242.6 100 （通过万用表实际测量β） 1e30 修改目的是忽略基区调宽效应的影响 不考虑大电流时β的下降 不考虑小电流时β的下降 正向放大倍数高电流转角IKF B-E漏饱和电流 ISE 0.3458 2.511e-015(f) 1e30 0