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Bit1(HLF)：XTAL
0：低频(32.768KHZ) 1：高频 Bit2(WTC)：WDT选择位 0：关闭 1
Bit3(TYP)：型号选择位 ０：EM78447B １：EM78447A Bit4(CK2)
0：二个振荡时钟为一个指令周期 1：四个振荡时钟为一个指令周期 只有当MS=1时此位方才有作用，当MS=0，HLF必须为“0 Bit5～7：未使用
第三章 EM78447单片机硬件结构
3.12.2 EM78P447A/B(OTP型)结构选择寄存器
结构选择寄存器各位说明如下: 12 MS 11 ENWDTB 10 CLKS 9 /PT 8 HLF 7 HLP 6 TYP 5～0 ＿＿ Bit12(MS)：振荡器形式选择 0：RC 1：XTAL Bit11(ENWDTB) 0：使用 WDT 1：关闭WDT Bit10(CLKS) 0：2 1：4 Bit9(/PT) 0 1 Bit8(HLF)：XTAL
0：低频(32.768KHZ) 1
只有在MS=1时，此位才有用，当MS=0时HLF必须为“0Bit7(HLP):功耗选择 0：低功耗 1：高功耗 Bit6（TYP）：0：EM78P447Ｂ 1：EM8P447A Bit5～0未使用，缺省值为000000
以上OTP结构位在OTP烧写软件中设置并烧入。
3.13. EM78447单片机电气特性
EM78447电气特性如下：绝对最大最小范围: Items Sym. Condition Temperature under bias TOTR Storage temperature TSTR Input voltage TIN Output voltage TO
直流电气特性 (TA=0℃～70℃, VDD=5.0V,VA=OV)
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Rating 0℃to70℃ -65℃to+150℃ -0.3 Vto+6.0V -0.3Vto+6.0V
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Parameter Input Leakage Current for input pins Input High Voltage Input Low Voltage Input High Threshold Voltage Sym IIL1 VTH VIL VIHT Condition VIN=VDD,VSS RESET,TCC,INT RESET,TCC,INT OSCI OSCI IOH=-11.0mA IOL=9.0mA IOL=14.0mA Min. Typ. Max. ±1 0.8 VDD 0.15 VDD 1.5 0.4 0.4 Unit μA V V V V V V V V V μA μA mA 第三章 EM78447单片机硬件结构
2.0 0.85 VDD VSS 3.5 2.4 Input Low Threshold Voltage VILT Clock Input High Voltage Clock Input Low Voltage Output High Voltage (Port 5,6,7) Output Low Voltage (Port 5,6) Output Low Voltage (Port 7 only) Pull-high current VIHX VILX VOH1 VOL1 VOL2 IPH Pull-high active,input -50 pin at Vss Power down current ISB All input and I/O pins at VDD,output pin floating, WDT enabled Operating supply surrent ICC1 RESET=’High’, Fosc=4MHz (MS=”1”,HLF=”1”,CK2=”0”),output pin floating Operating supply current ICC2 RESET=’High’, Fosc=10MHz (MS=”1”,HLF=”1”,CK2=”0”),output pin floating Operating supply curret ICC3 RESET=’High’, (VDD=3.25V Fosc=32.768KHz (MS=”1”,HLF=”0”,CK2=”0”),output pin floating, WDT disabled 交流电气特性(TA =0℃～70℃, VDD =5.0V, VSS =0V) Parameter Symbol Condtition Min. Input CLK duty cycle Dclk 45 XTAL Type 100 Instruction cycle time (CK2=”0”) Tins RC Type 500 TCC input period Ttcc (Tins+20)/N* Watchdog timer period Twdt Ta=25℃ Device reset hold period Tdrh Ta=25℃ *N=预分频器系数 -100 -240 10 2 5 mA 30 uA Typ. Max. Unit 50 55 % DC ns DC ns ns 18 ms 18 ms 第 38 页