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第一章 常用半导体器件

§1-1 晶体二极管

一、 填空题

1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。

2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。

3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数 相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是 空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是 电子 。

4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止 。一般硅二极管的开启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。

5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路

及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于 反向击穿 区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。

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7在稳压电路中，必须串接 限流 电阻，防止 反向击穿电流 超过极限值而发生 热击穿 损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同，分为 点接触 型、 面接触 型和 平面 型。

9、二极管按用途不同可分为 普通二极管 、 整流二极管 、 稳压二极管 、

开关 、 热敏 、 发光 和 光电二极管 等二极管。 10、二极管的主要参数有 最大整流电流 、 最高反向工作电压 、 反向饱和电流 和 最高工作频率 。

11、稳压二极管的主要参数有 稳定电压 、 稳定电流 和 动态电阻 。

12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为

无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.

13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、

流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。

14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为 +5V。

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15、光电二极管的功能是将 光脉冲 信号转换为 电 信号，发光二极管的功能是将

电 信号转换为 光 信号。

16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于 二极管 挡，将黑表笔插入 com

插孔，接二极管的 负 极；红表笔插入 V,Ω 插孔，接二极管的 正 极，其显示的读数为二极管的 正向压降 。

一、 判断题

1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（√ ）

2、P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（× ）

3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（√ ） 4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（√ ）

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5、硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（√ ） 6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。（√ ）

7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（× ）

8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（× ）

9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。（ ）

10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（× ） 11、用500型万用表测试发光二极管，应选R×10K挡。（√ ）

三、选择题

1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A ）。

A．增大 B .减小 C. 不变

2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。

A .R×100或R×1K B. R ×1 C. R×10K

3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。

A. P型半导体 B. 本征半导体 C、 N型半导体 4、稳压管的稳压性能是利用（ B ）实现的。

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