《模拟电子技术》1-4章复习题
一.填空题
1．P型半导体掺入 3 价元素，多子是 空穴 ，少子是 自由电子 。
2．PN结主要特性是 单向导电性 ，即正向 导通 ，反向 偏置 。
3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结 正向偏置 ，集电结 反向偏置 。
4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的 放大 区；在数字电路中三极管一般工作在 截止 区或 饱和 区。 5.三极管是 电流 控制元件，场效应管是 电压 控制元件; 结型场效应管的栅源极之间必须加 反向 偏置电压，才能正常放大工作。
6.当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic 增大 ，发射结压降
下降 。
7.共集电极放大电路具有电压放大倍数 <1 ，输入电阻 大 ，
输出电阻 小 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 8．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入 直流负反馈 （a.直流负反馈，b.交流负反馈）。
9．集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反向输入 端，前者的极性与输出端 同相 ；后者的极性同输出端 反相 。
10．根据MOS管导电沟道的类型，可分为 N沟道 和 P沟道 型。
11、差分放大电路能够抑制 零点 漂移，也称 温度 漂移，
所以它广泛应用于 集成 电路中。
12、差分放大电路能够抑制 共模 信号，放大 差模 信号。
13．差分放大电路有一个输入端加入1V的信号，另外一个输入端加入3V的信号，这相当该差分放大电路加入 2V 的差模信号，加入（ 2V 共模信号。 二、单项选择题
1．常温下，硅二极管的开启电压约（ C ）V，导通后在较大电流下的正向压降约（ ）V；锗二极管的开启电压约（ ）V，导通后在较大电流下的正向压降约（ ）V。
A) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5 C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.2 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管是（ D ）型。
A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、
（PNP）
3．集成运放的互补输出级采用（ B ） （A）共基接法 （B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 4．两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（B ）
（A）β （B）β×β （C）2β （D）1+β 5.在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是（ B）； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 （ C ）。 （A）共基放大电路 （B）共集放大电路 （C）共射放大电路 6.当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系uC( B）uB （B）uE。 （A） > （B） < （C） = （D）≤
7．理想集成运算放大器的放大倍数Au，输入电阻Ri，输出电阻Ro分别为（ C ）
A) ?，0，? B) 0，?，??????
C) ?，?，0 D) 0，?，0
8．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ B ）
A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET B) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型 C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET D) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型 9．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大IE，电压放大倍数将（ A ） A) 增加 B) 减小 C) 不变 D) 不能确定
10．共模抑制比KCMR是（ D ）
A) 输入差模信号与共模信号之比的绝对值 B) 输入共模信号与差模信号之比的绝对值 C) 输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值 D) 差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值
11．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。
A) 提高电源电压 B) 采用恒流源差分电路 C) 减小工作点电流 D) 加大RC
12．下列说法中正确的是（ A ） A) 任何放大电路都有功率放大作用
B) 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真 C) 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈 D) 若放大电路引入电压负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变
13.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( C )。
(a) 正、反向电阻相等 (b) 正向电阻大 ，反向电阻小 (c) 反向电阻比正向电阻大很多倍 (d) 正、反向电阻都等于无穷大 14.电路如图所示，已知UCC＝12V，RC＝3k?，β＝40且忽略UBE,若要使静态时UCE＝9V，则RB 应取（ C ）。 (a) 600 k? (b) 240 k? (c) 480 k? (d) 360 k?
UCCRB++C1ui-RC+C2+uo-
15．根据图所示输出特性，可求得该场效应管在工作点Q的跨导值gm为（ C ）。
A.3mA/V B.4mA/V C.2mA/V D.5mA/V 三、 如图所示的放大电路中，UCC =12 V，RB = 300 kΩ，RC = 4 kΩ，RL = 4 kΩ，β= 40。试分析：
1. 求静态工作点； 2. 画出微变等效电路； 3. 求输入电阻和输出电阻； 4. 求电压放大倍数。
四．计算下图放大器的静态工作点及电压放大倍数，已知Ucc=12V，Rb1=20K，Rb2=10K，Re=2K ,Rc=2K，RL=6K，β=40,rbe=1K。
五．设硅稳压管D1和D2的稳定电压分别为5V和10V，正向压降均为0.7V，求：
①稳压管接法如图，求输出电压UO。 ②若两只稳压管方向均相反，求UO。 ③若D1方向不变，D2方向相反，求UO。
六．下图中三极管均为硅管，RB和RC的电阻值选取合适，从偏置情况分析判断下图中各三极管的工作状态。
1k?D1D225VUo
（1） （2） （3）
（1）UBE=1-0.5=0.5V<0.7V，发射结反偏，所以三极管工作在截止状态
（2）发射结正偏，集电结反偏，所以三极管工作在放大状态（3）发射结正偏，集电结正偏，所以三极管工作在饱和状态