祝宁华

祝宁华 (97年度百人计划入选者，98年度国家杰出青年基金获得者) 男，研究员，博士生导师。1990年毕业于电子科技大学，获工学博士学位，1990年到中山大学做博士后，1992年晋升副教授，1994年晋升教授。1994年至1995年在香港城市大学任研究员，主持和参加了三个研究项目。1996年至1998年在德国慕尼黑西门子公司，客座科学家(洪堡研究员)。参加了10Gb/s半导体激光器模块和40Gb/s电吸收调制器模块从研究开发到批量生产的全过程工作。现任半导体所研究员，国家光电子工艺中心副主任。主要从事光波导调制器及微波集成电路的理论与实验研究，高速半导体激光器和调制器及模块的研究开发。主持中科院重点, \重大, \课题。实验室设备良好，经费充足。完成的\研究成果经财政部确认评估价值为1107万元，目前正在进行成果产业化。作为第一作者在IEEE JQE，IEEE PTL, IEEE MTT和OQE等国外知名刊物上发表论文四十多篇。1998年与香港城市大学建立联合光子学实验室，任副主任，联合培养硕士和博士生，可授香港城市大学或中国科学院学位，在港生活费每月14,500港币以上。现招聘博士后，招收博士生及硕博连读

杨辉

杨辉 （98年度国家杰出青年基金获得者）

男，1961年12月4日生，1982年于北京大学电子学系获学士学位，并考入中国科学院半导体所研究生，1985年获硕士学位，1992年获博士学位，1993-1996年在德国柏林Paul-Drude-Institute for Solid state electronics 做博士后和客座研究员。曾任中国科学院半导体所副所长，研究员，北京邮电大学客座教授，Honorary Professor of The University of Hong Kong, 国家863计划光电子主题专家组成员，曾获国家杰出青年基金。主要从事III-V族化合物半导体的材料生长，物理分析，以及器件研究。目前成功的研制出世界上第一只立方相GaN蓝色发光二极管器件(Hui Yang et at., Appl. Phys. Lett., 74, 2498, 1999)。Laser Focus World 杂志1999年第六期曾在Newsbreaks栏目攥文报道该结果。半导体蓝色发光器件具有广泛的应用前景，如全色大屏幕显示，新型高效节能固体冷光源，下一代DVD的核心光头等。该研究领域是目前国际上的热点。近5年来在国际著名期刊发表40多篇论文，提出了立方相GaN材料生长的外延异质成核模型，首次发现立方相GaN的三种表面再构并提出相应表面原子再构模型，提出了新型高效P-型掺杂的反应原子共掺杂原理。1992年曾在国内首次用MOCVD技术生长出高质量GaAs/AlGaAs量子阱材料及低域值激光器，使当时国内MOCVD材料生长技术和量子阱激光器研制水平同时都上了一个台阶，达到当时的国际水平。曾两次获中国科学院科学技术进步二等奖。

牛智川

牛智川，男，1963年4月生。1996年获得中国科学院半导体研究所理学博士学位。曾留学德国、美国。现任中科院半导体所研究员，博士生导师，半导体超晶格国家重点实验室—新型光电材料分子束外延课题组长。中科院“百人计划”、基金委“国家杰出青年科学基金”、人事部“新世纪百千万人才工程国家级人选（首批）”、“国务院政府特殊津贴”获得者。中国真空学会纳米与表面第五届学术委员会委员，中国真空学会第六届理事会理事，中国电子学会半导体与集成技术第七届委员会委员。

研究领域为半导体低维材料外延生长、受限光电子体系量子效应、高性能光电器件及新型量子器件制备。目前研究方向有：InAs量子点非经典光电效应及单光子量子器件；GaAs基InGaAsNSb材料与光电器件；异变纳米结构半导体多结高效太阳能电池、InAs/GaSb超晶格光电探测器件等。利用高指数面图形衬底各向异性，用原子氢辅助分子束外延生长出AlGaAs/GaAs量子点列阵；发现液滴分子束外延GaAs/AlGaAs非应变和InGaAs/GaAs应变量子环形成现象；提出InAs量子点的亚单原子层循环变温外延技术，大幅度提高均匀性，实现低、高密度量子点可控生长；研制成功1.31微米InAs量子点室温连续激光器，液氮温度电驱动InAs量子点单光子发射器件；研究

GaInAs(N,Sb)/GaAs长波长材料，提出电子结构模型阐明含Sb元素稀N材料发光机制，发明真空气源瞬态开关控制技术突破外延生长难题；研制成功1.31微米垂直腔面发射激光器、1.55微米谐振腔增强探测器、国际上首次报道

1.59微米室温连续激射激光器；研究了InGaAs/GaAs大In组分异变量子阱材料，提出In组分线性变化生长技术，首次实现低阈值1.33微米异变量子阱激光器，采用Sb诱导生长1.58 微米InGaAs/GaAs量子阱激光器实现室温激射。提出GaAs基AlSb成核和GaSb厚膜两步外延法，生长出了高质量GaSb/GaAs异变材料，国内首次报道2-5微米InAs/GaSb超晶格光导红外探测器。在Nature，Applied Physics Letter, Physics Review B.等发表论文80多篇。研究成果受到英国III-Vs Review，Compound Semiconductor, 美国Technique Insights, Laser Focus World等权威评价。获2006年度北京市科学技术奖基础类二等奖1项（排名第1）。有多名研究生获得中科院优秀奖和冠名奖。与瑞典、英国、俄罗斯等多个著名课题组开展了广泛国际合作，联合培养的博士生曾获得国家优秀留学生奖。

刘育梁

刘育梁 （2000年入选中国科学院\百人计划\）

男，1966年生，1993于西安交通大学电子工程系获得博士学位。1993-1995年在中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室从事博士后研究。1995-2000年在深圳华为技术有限公司从事产品开发管理、产品战略规划和市场开拓等工作，历任中央研究部总体技术办副总工程师、中央研究部总裁助理及对外合作部总经理等职。2000年入选中国科学院\百人计划\。现为中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师、半导体集成技术工程中心副主任、中国科学院微系统中心战略专家委员会委员、微细加工光学技术国家重点实验室学术委员会委员。他目前也是上海交通大学、长春理工大学和太原重型机械学院兼职教授。

刘育梁研究员的主要研究方向是：1、用于下一代智能光网络的半导体光子芯片及其混合集成子系统。2、大规模光纤传感网络的关键技术及其工业应用。

吴南健