二、根据设计规则画pmos版图。 设计规则：pmos

(1) nwell overlap of pdiff 0.4u (2) pdiff overlap of contact 0.9u (3) contact minimum width 0.6u (4) contact spacing 0.6u

(5) contact to gate spacing 0.6u (6) poly extension 0.6u

(7) metal overlap of contact 0.4u (8) Device length 0.6u

在CIW窗口中，选择File->New-> Cell View,然后输入以下内容 Library Name design Cell Name pmos Tool Virtuoso 这时View Name栏中自动为：layout

OK。

参照下图画pmos版图。

部分矩形的最小尺寸为（最好按最小尺寸画，虽然你可以画得稍微大一些）： nwell =5.6um*8.0um pdiff=4.8um*7.2um metal1=1.4um*6.2um

三、完成INV(inverter Cell )版图。 设计规则：inverter

[1]打开（若无，则建立）inverter单元，放置(instance)你画好的nmos和pmos版图（在Create Instance窗口，Browse选择）, 连好poly和metal1。

设：metal1最小宽度=0.8um

ndiff与nwell最小间隔=1um，本例间隔已足够。

再画一个nwell将上面metal1（vdd）覆盖（要与pmos的nwell相交叠）。

[2]、MOS衬底加电源（nwell）和地。

Instance，在pcells库中找到PTAP和NTAP，PTAP放在上图gnd金属线上，NTAP放在上图vdd金属线上。PTAP的作用是连接gnd和p衬底；NTAP的作用是连接vdd和nwell。

[3]、poly连接metal1。

Instance，在pcells库中选M1_POLY放在poly适当位置上（见上图）。

[4]、添加输入和输出PIN

1．选择Create->Pin,在Create Shape Pin 窗口Terminal Names 栏，输入：

A Y gnd vdd

然后选中Display Pin Name 按纽，如下图。

Hide

2．选择LSW窗口metal1 pin(或poly pin)为当前层，在M1_POLY上用鼠标直接画一个矩形（不要选择左边的Rectangle工具图标。若在LSW中选择poly pin为当前层，则画在poly上），此时A字符会出现，并且有一跟线连接A字符和矩形框；把A字符放到合适的位置。

3．选择metal1 pin画一个矩形在输出的合适位置，将出现的字符Y放到合适的位置。 4．同样的步骤依次放好gnd和vdd.。

Save退出inverter layout。