c）使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量叫电子亲和能

d）复合中心指的是促进复合过程的杂质和缺陷 6. 关于P型半导体的费米能级 a）

由温度和受主浓度决定

与与

的差就越小

的差就越小 与

的差变大

的叙述（ ）是正确的

b）当温度一定时，受主浓度越高， c）当受主浓度一定时，温度越高，

d）用适当波长的光均匀照射半导体时，7. 关于PN结击穿的叙述（ ）是正确的

a）雪崩击穿的击穿电压比隧道击穿的击穿电压高 b）轻掺杂的PN结易发生雪崩击穿

c）重掺杂的PN结易发生隧道击穿

d）P-i-N结的击穿电压要比一般PN结的击穿电压高 8. 下列叙述中（ ）是正确的

a）PN结的接触电势差随温度升高要减小 b）PN结的接触电势差

c）零偏压时的硅PN结微分电阻要比锗PN结的微分电阻大

d）在相同的正向电压情况下，锗PN结的微分电阻要比硅PN结的小

e）在相同的正向电流情况下，锗PN结的微分电阻要比硅PN结的大

三、填空题（共15分，每题3分） 1.在公式

中，是载流子的_________________，m*是载流子

的_________________。

2.N型硅掺砷后，费米能级向_______移动，在室温下进一步升高温度，费米能级向_______移动。

3.在同一个坐标系中画出硅和锗二极管的伏安特性为_________________

4.一维情况下，描述非平衡态半导体中空穴运动规律的连续性方程为

写出每一项的物理意义是：

① ______________________________________ ② ______________________________________ ③ ______________________________________ ④ ______________________________________ ⑤ ______________________________________ ⑥ ______________________________________ 5.MOS结构的强反型条件是 __________________ 四、解释或说明下列各名词（共15分，每小题5分）

1.有效质量 2.本征激发 3.欧姆接触和肖特基接触

五、说明以下几种效应及其物理机制，并分别写出其可能的一种应用（总分21分，每小题7分）

1.汤姆逊效应 2.霍尔效应 3.耿氏效应 六、计算题或证明题（总分59分，共 5小题）

1.（12分）一块足够厚的P型硅样品，室温下电子迁移率

，电子寿命

度

，其表面处，稳定注入的电子浓

。计算： 在距表面多远处？由表面扩散到该处的

（表面复合不计）。

，

，空穴扩散系数时，流过

的电流。 ，在273K

非平衡少子的电流密度为2.（12分）一硅

结，结两边的掺杂浓度为

，空穴寿命

，结面积

。室温下计算： 加正偏压

3.（12分）已知本征锗的电导率在310K是为时为

。一个N型锗样品，在这两个温度时，施主浓度为。试计算： 在上述两个温度时掺杂锗的电导率。（设

，

）

4.（13分）设一均匀的N型硅样品，在右半部用一稳定的光照射，如图所示。均匀产生电子空穴对，产生率为g。若样品足够长，求稳态时： 1） 样品两边的空穴浓度分布的表达式 2）画出

随的分布示意图。

5.（10分）证明爱因斯坦关系式。

综合练习题四

一、单项选择题（总分16分，每小题2分）

1.设半导体能带位于k=0处，则下列叙述（ ）正确 a）能带底的电子有效质量为正 b）能带底的电子有效质量为负 c）能带底的电子有效质量为负 d）能带底附近电子的速度为负

2. 在室温时T=300K，在本征半导体的两端外加电压U,则（ a）价带中的电子不参与导电 b）价带中的电子参与导电

）