第二篇 Silvaco软件使用指南

Figure 42: 查看Mesh 和Xj.

为查看沟道中的一个正在掺杂的轮廓在Tonyplot选Tools ... Cutline in。如图43的一个弹出菜单出现了。在MOSFET 中画一个竖直线，你看到的结果如图44。

Figure 43: Creating a Cutline to View Doping Profile.

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Figure 44: Output of Cutline.

为看到Phosphorous 及Boron 掺杂浓度，点击掺杂轮廓窗口(刚才出来的，右边的窗口)，有一根白色线围绕它。然后在Tonyplot中的Plot… Display 则一个弹出菜单如图45出现.选择Boron和Phosphorous ，并点击apply. 你看到的结果如图46

Figure 45: 选择查看Boron 和Phosphorus 的掺杂浓度.

Figure 46: 看Boron和Phosphorous掺杂浓度.

到Tools... Ruler 围绕poly silicon栅画一个方框来测量所画的MOSFET的栅长。

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Figure 47: Using the ruler to measure the as drawn Gate Length.

为测量在零偏压下的有效沟道长度，使用cutline 工具横跨沟道画一个水平线尽可能地接近栅氧化层。从结处画一个标尺如图48，你会得到一个约0.4 mircons 的沟道长度。

Figure 48: Effective Channel length.

3.3 查看电学仿真结果

输入命令后，在几分钟后VG与VD及ID的图如图50. VT, KN 和theta 均从run deck窗口的曲线中抽取(Figure 49).

Figure 49: 抽取的NMOS 参数.

Atlas Report表明仅使用2分钟的实际时间(Figure 52).降低了间距并再次运行仿真 (Figure 53) 。仿真时间上升，但精度保持相同。再次绘制，你会看到网格更细了。有时你想读图上一个指定的点，可以通过Tools...HP4145来做。你可以移动光标到每一数据点。你也可以画线来抽取在饱和区的一个MOSFET曲线的X向横截面。 (Lambda).

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Figure 50: VG, vs. ID (VD=.1V).

Figure 51: Using the HP4145 function to view individual points.

Figure 52: Time used.