《电力电子技术》课程复习题 解答参考
绪论部分:
1． 简要评述电力电子学与信息电子学的差异与联系。 2． 电力电子技术的基础与核心分别是什么。 第1章部分:
一，教材P.42中的全部习题。
提示：对第3．题，（a）???/4，T = 2?，平均值Id1?0.27Im，有效值I1?0.48 Im；（b）???/4，T = ?。对第4．题，这里IT(av)?100A，该晶闸管可通过电流的有效值为I?KfIT(av)?1.57?100?157(A)，要利用第3．题的结果；Id1?89.7A，Im1?330A。 二，补充题：
1．画图说明二极管的反向恢复时间与软度因子是如何定义的。（P13）
2．分别画出晶闸管SCR与TRIAC、功率晶体管GTR、功率MOSFET、IGBT器件的输出伏安特性图，在图中相应位置上标明能表示这些器件各自重要特性参数的名称。（略）
3．给出电力电子器件的安全工作区SOA有什么意义，画图表示功率晶体管GTR的SOA区。 答：限定了电力电子器件电压、电流和功率等各方面在安全工作时的范围。GTR的SOA区见P26。
4．GTO器件的关断增益是怎样定义的。（P23）
5．抗饱和电路在GTR恒流驱动电路中的主要作用是什么。
答：P35。抗饱和电路可使GTR导通时处于临界饱和状态，减小导通时的饱和深度
可以减小储存的载流子，从而缩短储存时间，加快关断速度。
6．虽然都是电力电子器件，但我们说与晶闸管相比功率晶体管不是真正的开关器件，这句话的含义是什么。
答：理想的开关器件是工作于开关状态的，比较（P17）SCR的伏安特性和（P24）
GTR的输出特性，可看出GTR多了一放大区，当GTR工作于放大区时，流过集电极电流的大小是受基极电流控制的，所以与晶闸管相比功率晶体管不是真正的开关器件。 7．写出功率MOSFET的四个工作模式的定义。（P27）
8．功率MOSFET管中的体二极管在使用中会出现什么问题，如何防止。
答：功率MOSFET管在使用时，若VDS?0V，则出现逆向导通。若要使其逆向不导通
可加入一个二极管与功率MOSFET管串联使用，二极管串接方向与体二极管方向相反。 9．IGBT管的擎住效应在使用中会出现什么问题，如何防止。
答：集电极电流过大、电压过高或duCEdt过大都可能引发擎住效应。在使用IGBT
时应防止集电极电流和电压过大，同时在IGBT的集电极C和发射集E两端并联接入一个电容，也可考虑适当增大串接于IGBT栅极的电阻以适当减慢MOSFET的关断过程，如此以减小关断时的duCEdt。
10． 功率MOSFET的导通电阻是怎样定义的。
答：MOSFET导通电阻指GS极加正压的静态电阻，Rds(on)?Vds Ids11．电力电子器件的功率损耗包含哪些部分，为什么在较高功率应用场合要使用散热器。 答：通态损耗和断态损耗；开通损耗和关断损耗（即开关损耗）。导通时器件上有一定的通态压降，阻断时器件上有微小的断态漏电流流过，尽管数值都很小，但分别与数值
较大的通态电流和断态电压相作用，就形成了电力电子器件的通态损耗和断态损耗；电力电子器件由断态转为通态（开通过程）或由通态转为断态（关断过程）的转换过程中产生的损耗，分别成为开通损耗和关断损耗，总称开关损耗。
在较高功率应用场合，各类损耗也会相应较大，为了保证电力电子器件不至于因
损耗散发的热量导致温度过高而损坏，需要安装散热器。
12．GTR器件与快恢复二极管FRD的最重要开关参数分别是什么。
答：若考虑器件最能体现自身特性的参数，则GTR为二次击穿功率PSB，FRD为反向
恢复时间trr。
13．从稳态特性与动态特性两方面说明电力电子开关器件与机电式电磁开关电器的各自最主要优缺点。
答：1）稳态特性主要考虑导通和阻断。机电式电磁开关电器性能更好；电力电子开关器件导通时有导通压降，阻断时有漏电流。2）动态特性主要考虑开通和关断。电力电子开关器件性能更好；机电式电磁开关电器开关速度慢，有可能产生电弧。 14．晶闸管的电路模型是什么；电路模型中含有晶闸管的器件又是什么器件。 答：双晶体管模型（图略）；IGBT。
15．结构上达林顿管与IGBT都是复合型器件，但两者有何区别。
答：达林顿管是由两个晶体管构成；IGBT是由MOSFET和PNP晶体管构成。 16．可以用快速熔断器进行过电流保护的电力电子器件是什么器件。 答：快速熔断器的响应时间约为10ms，用快速熔断器能够起到有效过流保护的电力电子器件是SCR和二极管（低频应用场合）。 17．缓冲电路的用处是什么。（P39）
18．什么是单极型半导体器件和双极型半导体器件，列出单极型器件的名称。
答：参与导电的载流子只有一种（电子或空穴）的器件称为单极型半导体器件；参与导电的载流子既有电子又有空穴的器件称为双极型半导体器件。单极型器件：Power MOSFET。
第2章部分:
一，教材P.97---99中的第2.---13. 题, 第16.---17.①题，第18.---19. 题, 第22.---26. 题, 第29.---30. 题的全部习题。
提示：对第2．题，写出正、负半波的磁链增量之差的积分表达式来说明；对第3．题，L为极大，即电感电流连续，且为恒流状态，② Ud?80V，Id=I2?40A；对第5．题，半控桥中的两个二极管可以起续流二极管的作用；对第7．题，当a相触发脉冲消失，则整流电路只对b、c相整流 ，电路变为两相整流电路。对第11．题，Ud?58.5V， IdVT =Id /3?3.9A；对第13．题，对照第11．题来理解、列式可简单地得出答案；对第17．①题，Ud?257.4V；对第22．题，要考虑负载是恒流性质这个电路条件来简化解题。 二，补充题：
1．在电阻性负载、大电感性负载、大电感加有输出续流二极管性负载这三种典型负载条件下，对SCR单相全控桥、三相半波、三相全控桥电路三种典型整流电路，列表分别填写：电路输出直流电压、电流，SCR的最大移相范围、导通角、承受的最大正、方向电压、电流平均值、电流有效值；输入变压器的最大功率（??0）；输入电流的最低次谐波频率等各数学表达式（包括原始积分表达式）。
分析：本题主要考察不同情况下整流电路的工作原理，各电压电流波形；明确平均值、有
效值的定义，在此基础上求解电路相关参数。详见本文档尾页附录。
2．单相桥式全控整流电路，接电阻性负载，要求电路输出的直流平均电压Ud从20～100V连续可调，负载平均电流均能达到20A,考虑最小控制角为30度。试计算SCR导通角的变化范围，要求的电源容量及功率因数，并选择SCR。提示：αmin =30，αmax =129o；S=119*42.8VA；cosφ(αmax)=0.36。
解：
1）由 Ud?0.9U21?cos? ，在最小控制角α=30时，Ud=20V，可得U2=119V 2由此可解出100V时的触发角α=128.8。导通角为（180-α）。提示给的是触发角，非导通角。 2) Id?0.9U21?cos?
R2
I2?U2Rsin(2?)??? ?2??得：I2?Idsin(2?)??? ?0.45(1?cos?)2??
λ（α=128.8）=0.36 2RIPI2sin(2?)??? ????2??SU2I2U2/R2??S?U2I2?U2Idsin(2?)??? ?0.45(1?cos?)2??分析知，α在 (0,180) 区间，S单调递增，
S_max=S（α=128.8）=119*42.85（VA） 即为变压器容量。
3．在SCR直流可逆电力拖动系统中，由两组SCR整流/逆变器构成四象限工作方式，说明如何实现四象限工作运行。 参看书本P88-89
4．考虑电源变压器有漏抗，则整流电路会出现什么现象。
解：变压器漏抗的存在，使换流过程不能瞬时完成，存在换相重叠角γ。换相时SCR电压出现缺口，整流输出平均电压Ud降低。
5．SCR全控整流/逆变电路工作在整流状态时与工作在逆变状态时，触发角分别应设定在何范围。
解：整流α<π/2；有源逆变 ?min????2，?min??????'
6．电力电子技术对功率因数的定义与传统电路理论中定义有何不同；即使是阻性负载，理想整流电路的功率因数也可能不为1，这是为什么。 解：功率因数定义不变??P，仍为输出有功与输入视在功率之比。 S但是电力电子电路存在高度非线性的开关元件，电压波形畸变很少，电流波形也可能有很大的畸变。在公用电网中，通常电压畸变很小，不考虑电压畸变。对非正弦电流傅里叶分解知，只有与电网电压同频的基波电流才有可能做功，所以
P?UI1cos? 得??PUI1cos?I1cos?????cos?=基波因数*位移因数 SUII纯阻性负载，位移因数为1；但如果基波因数不是1，λ也不会为1（例如相控整流电流触
发角α不等于0时）。
7．三相半波可控整流电路，负载为大电感性，已知U2?200V,R?30?,??60?，负载端接续流二极管D，画出id，ud，iT及iD的波形，并计算输出电压、电流平均值Ud、Id，晶闸管和续流二极管D电流有效值IT和ID。提示：Ud=135V， 各SCR均导通90，ID= 0
2.25A。
分析：大电感负载加续流二极管，整流输出电压波形同纯阻性负载。α=60，输入电流断续。波形参看书本P52 图2-14，但是电流为矩形波。一个周期内，SCR导通角=180-30-60=90，
二极管导通角=（120-90）*3=90。
8．三相桥式电路，R??0.8?,L??,U2L?230V,，工作于逆变状态，（1）输出电压平均值；（2）输出电流有效值；（3）晶闸管ED??290V,???/6，计算：电流有效值；（4）交流电源端功率因数。提示：Ud=-269V，Id=26.3A,
cosφ=-7.07/8.55=-0.827。 解：大电感，输入端电流连续。 1）Ud?1.35U2Lcos???1.35U2Lcos???269V 2）Id?Ud?Ed?26.25A R?Id3?15.16A
3）IVT?4）??0.955cos???0.955cos???0.827
或根据功率因数定义??UdIdUdP?269?????0.827 S3U2L(2/3Id)2U2L2*2309.单相全控桥式变流电路如图所示，工作于有源逆变状态。β=60°，U2=220V, Ed=-150V,
R=1Ω，L足够大，可使负载电流连续，试完成下列各项：(1)画出输出电压Ud的波形；(2)画出任一晶闸管的电流波形；(3)计算任一晶闸管电流的有效值。(提示: Ud=-99V, IT=36.1A)
分析：参照上题。
10.三相全控桥式有源逆变电路如图所示，变压器二次相电压的有效值U2=220V，回路总电阻R∑=0.5Ω，平波电抗器L足够大，可使负载电流连续，若Ed=-280V，要求电机在制动过程中的负载电流Id=45.2A，试解下列各题：(1)求出此时的逆变控制角β;(2)计算变压器二次的总容量S2。(提示: Ud=-257.4V, β= 60°, I2= 36.9A, S2=24.35(kVA))。
解：1)Ud?Ed?IdR???2.34cos? 得β=π/3
2) I2?2/3Id?2/3*45.2?36.9A
3)
S2?3(3U2)I2?3*220*36.9?24.35KVA
11．在直流电动机负载的整流电路中，串接平波电抗器的意义是什么? 平波电抗器电感量的选择原则是什么?
分析：电枢回路串接平波电抗器，增大直流电动机工作的电流连续区，改善电机的工作特性。电感量的选择原则为在电动机工作电流为额定电流的5%-10%时，仍能工作于连续状态。 12．整流电路中出现换相重叠角γ的根本原因是什么；换相重叠角γ与什么参数有关。 分析：根本原因是变压器存在漏感，使换相过程不能瞬时完成。γ与Id、XB、α、U2有关，详见书本P61 公式2-36。 第3章部分:
一，教材P.111中的全部习题。
提示：对第3．题，因本题的L为有限值，故要首先判断电感电流即负载电流是否连续。先假设电感电流连续，Iomax?ILmax?Io??I/2?30.2(A) 。
二，补充题：
1．分别绘出BUCK式、BOOST式、BUCK-BOOST式DC/DC斩波电路图，绘出其电感电流连续与不连续下的等效电路图，并在理想条件下分别导出它们在电感电流连续下的输出电压、电流表达式。
分析：电路图参看书本相关部分。理想条件下输出电压与输入电压的关系可利用小纹波近似，通过列写L的伏秒平衡方程（稳态时，一个工作周期L的电压平均值为0）求得。 2．电子设备用BUCK式 DC/DC电路，已知：理想条件下的输出电压为5V，输入电压为10~25V，输出电流为0.1A~10A，工作频率为100kHz，采用PWM控制方法使输出电压恒定，试解；（1）导出输出电压的表达式，并求出输入电流Ii的大小范围；（2）开关管的占空比D与导通时间Ton的范围；（3）指出电路中各开关器件应选择何种器件，并指出这些器件各要承受的最大电压与流过的最大电流；（4）计算使其电感器工作在连续电感电流模式所需的最小电感量。
解：分别考虑电流连续模式（CCM）和电流断续模式（DCM）工作情况。 1）CCM
电压传输比 M?Uo?D
Ui由功率守恒 Po?Pi 有I?UoIo 所以Ii?[0.02,5]A
iUi由M的上述关系式 D?Uo
UiD?[0.2,0.5]
ton?[2,5]?s
电感电流工作在CCM所需的最小电感量，即为临界模式（BCM）时的电感量 此时?i?2I?Uo(1?D) L?Uo(1?D)
LoLfs2IofsLmin(D?0.2)?Uo(1?0.2)?200?H
2Io_minfs2）DCM
此时电感的电流如右图所示，主开关管在下一个周期 开通前电流已下降到0，电流下降的时间为toff_1。 对电感L列写伏秒平衡方程
(Ui?Uo)D?UoD1 D1与toff_1对应，得
toff_1iLtonM?UoD ——（1）
?UiD?D1由L的平均电流即为负载电流有
1IL?Io?(D?D1)iL_max ——（2）
2又 iL_max?UoD1 ——（3）
LfsTst 1联立（1）（2）（3）得 M?Uo? 令IG_max?Ui
8Lfs2LfsIoUi1?D2UiM?Uo?Ui1?1 ——（4） Io4D2IG_maxD?UoIo 据根据Ui、Io范围可得D、ton范围（与L有关）。
4IG_max(Ui?Uo)由于工作频率为100k，主开关管应选MOSFET，二极管为快恢复二极管（FRD）。 要承受的最大电压为输入最大电压25V，最大电流如式（3）。
3．绘出BUCK式、BOOST式DC/DC主电路图，分别绘出电感器上的电压、电流波形，标明相应量值。
4．即使工作频率很低，为什么一般也不用SCR作为的功率开关器件。
分析：SCR为半控型器件，驱动电路一般只能控制开通时刻，要控制关断必须另加强迫换流电流。DC/DC变换电路通常采用PWM或PFM控制方式，需要能同时控制开通和关断的全控型器件。
5．说明与晶闸管相控技术相比，晶体管斩控技术有什么主要特点，会出现主要新问题是什么。
分析：与相控相比，斩控工作于高频开关状态，谐波只含与开关频率有关的高频分量，有助于功率因数的提高和滤波；系统的动态响应速度快。由此带来的问题是器件的开关频率限制和开关损耗的增大。
6. 对理想条件下的BOOST DC/DC电路，已知输出电压为24V，输入电压为15V，输出电流为0.1A~10A，工作频率为100kHz，采用PWM控制方法使输出电压恒定，试解；（1）导出输出电压的表达式，并求出输入电流Ii的大小范围；（2）开关管的占空比D与导通时间T（3）指出电路中各开关器件应选择何种器件，并指出这些器件各要承受的最大on的范围；
电压与流过的最大电流；（4）计算使其电感器工作在连续电感电流模式所需的最小电感量。
解：分别考虑电流连续模式（CCM）和电流断续模式（DCM）工作情况。 1）CCM
电压传输比 M?Uo?Ui11?D
由功率守恒 Po?Pi 有I?UoIo?1.6I 所以Ii?[0.16,16]A
ioUi由M的上述关系式 D?Uo?Ui
Ui
ton?D ?3.75?sfs电感电流工作在CCM所需的最小电感量，即为临界模式（BCM）时的电感量 此时?i?2I?UiD L?UiD
LiLfs2IifsLmin?UiD?175.78?H
2Ii_minfs2）DCM
此时电感的电流如右图所示，主开关管在下一个周期 开通前电流已下降到0，电流下降的时间为toff_1。 对电感L列写伏秒平衡方程
UiD?(Ui?Uo)D1 D1与toff_1对应，得
toff_1iLtonM?UoD?D1 ——（1）
?UiD1Is11?[(D?D1)]iL_max ——（2） MM2由功率守恒有
Io?tTs 又 iL_max?UiD ——（3）
Lfs2UDUi 令Ui o联立（1）（2）（3）得 M??1?IG_max?8LfsUi2LfsIo4D2IG_maxUo ——（4） M??1?UiIo代入数据得 D?3Io 根据Io范围可得D、ton范围（与L有关）。
20IG_max由于工作频率为100k，主开关管应选MOSFET，二极管为快恢复二极管（FRD）。 要承受的最大电压为输出电压24V，最大电流如式（3）。
7．作出 H桥可逆斩波器带直流电机负载的四象限工作状态图，并在图中表示电压、电流的方向。
分析：参考书本P109。 第4章部分:
一，教材P.131中的第3.---7. 题习题。
二，补充题：
1．电力电子开关在感性电路与容性电路中应用各有什么要求。
答：在正常工作时，应保证电力电子开关在开关过程中，流过电感的电流和电容两端的电压不突变，以免产生过大的电压或电流使得电力电子开关器件击穿或烧坏。 第5章部分:
一，教材P.149中的第1.---6. 题习题。
二，补充题：
1．在理想条件下，分别写出输入电压为Vi，输出功率为PO的单相推挽式、半桥式、全桥式方波逆变器电路中主开关管的耐压值，电流最大值；并画出这些逆变器电路的电压、电
流波形。 答： 单相推挽 单相半桥 单相全桥 主开关管承受电压最大值 主开关管承受电流最大值 2Vi Vi Vi Po/Vi 2Po/Vi Po/Vi 注：最大电流值按纯阻性负载计算。
2．画出单相推挽式、半桥式、全桥式方波逆变器电路图。(P135~138) 3．用具体电路为例，说明SCR器件常用的换流方式。（P133-134） 4．电压源多管逆变电路中发生共态导通现象的原因是什么。
答：上下桥臂开关管的驱动信号没设死区时间或设置得不够长。 5．简要说明电压源逆变电路与电流源逆变电路的主要特点分别是什么。 （电压型逆变P135，电流型逆变P140） 第6章部分:
一，教材P.169中的第1.---8. 题习题。
二，补充题：
1. 在电压源方波逆变器电路中，控制信号改为PWM信号，电路性能又何变化。 答：在电压源方波逆变器电路中，控制信号改为PWM信号，电路性能变化主要有以下两点：
（1）输出电压中，低次谐波被消除，高次谐波含量可能大些（但高次谐波易于滤
除）。
（2）输出电压的基波分量大小可控（可通过调节调制比M实现），但直流电压利
用率有所下降。
2．在上题中用什么样的控制信号最优。
3．用单片机编程来获得SPWM控制信号，应当采用什么方法。
答：用单片机编程来获得SPWM控制信号进而控制开关管的开通和关断，开关管的开通和关断时刻是由计算得来的，规则采样法的计算方法相对简单，能够在实时控制中实现在线计算，因此可采用规则采样法。 第7章部分:
一，教材P.178中的第1.---2. 题习题。
二，补充题：
1．软开关技术有什么意义，何谓零电压软开关与零电流软开关。
答：意义：软开关技术可以减小甚至消除开关管的开关损耗和开关噪声。P171 2．在器件上加接缓冲电路与使用软开关技术有什么本质上的不同。 答：缓冲电路是有损电路；软开关技术属于无损电路。
3．DC/DC斩波电路工作在电感电流不连续模式下，可控开关相当于为零电流开通开关，为什么。
答：电感电流不连续，则开关管每次开通前电感电流为零，当开关管开通时，电感与开关管串联，初值为零且延缓电流的上升速率，降低了开通损耗，相当于为零电流开通开关。
第8章部分:
一，教材P.191中的第8.---12. 题习题。
二，补充题：
1．画出单相推挽式、半桥式、全桥式DC/DC开关变换器电路，在理想条件下求出其电感电流连续下的输出电压表达式。（P187~189）
2．画出单端正激变换器主电路，指出其中变压器各绕组在电路中的作用。 答：图在P185。
N1绕组：变压器一次绕组，为变压器的励磁绕组，为变压器能量传递的输入端。 N2绕组：变压器二次绕组，为变压器能量传递的输出端，经整流滤波后将能量传
递给负载。
N3绕组：磁复位绕组，当开关管关断时，磁复位绕组与磁复位二极管共同组成了
磁复位回路，实现变压器的磁芯复位。
3. 对单端正激变换器的电路要求之一是应保证其高频变压器的磁通能复位，为什么？ 答：若未能实现高频变压器的磁芯能复位，则磁通便会在每个周期中进行积累而最后使得磁芯达到饱和，开关管导通时，电流急剧增大导致开关管烧坏。
4．画出单端反激式变换器主电路，在理想条件下绘出其电感电流连续下的主控开关器件电压、电流波形，标明相应量值。
5．在理想条件下，导出式单端反激式DC/DC的输出电压表达式。 答：参考P186图8-19。（思路：可由变压器一次绕组N1上的伏秒平衡关系来推导）
当电路工作在CCM模式时，设S导通时间为ton，则VD导通时间为T-ton，设为t
off。
S导通时，N1上的电压为Ui，时间为ton；
S阻断时，VD导通，变压器二次侧电压等于输出电压Uo，则N1上的电压为(N1/N
2)Uo,时间为toff。
由变压器一次绕组N1上的伏秒平衡原理得：Ui?ton?(N1N2)?Uo?toff 整理得：Uo?N2tonND??Ui?2??Ui N1toffN11?D6．在理想条件下，单相推挽式、半桥式与全桥式DC/DC开关变换器电路的输入电压为30
0V，最大输出功率为1200W，各开关管的开关占空比为0.4，分别解：（1）主开关管的耐压为多少，电流最大值为多少。（2）画出两个串联主控开关管的电压波形。 答：（1）
单相推挽 单相半桥 电压最大值（V） 600 300 电流最大值（A） 5 10 单相全桥 300 5 （2）参考课本P187~189。 7．某人设计一个工作频率为20D1D1 T1T1Uo+0kHz、功率为100W的隔离型反
** **RoNpNsNpNsCo激式DC/DC电路，如下图a所示，
V i但是通电试验时不能工作，请指V i 出该电路设计错误之处（包括元
VT1 VT1 ????????器件设计是否合适），说明理由
μ??· μ??·并在保持电路类型不变条件下
为他改正电路错误之处。提示：
附图b 附图a 有2处错误。 答：（1）变压器同名端有错；
（2）开关管选择错误，不应选 用GTR，从工作频率和功率两方面考虑，应选用功率MOS管。
8．某人设计一个工作频率为200 kHz、功率为100W的隔离型单端正向式DC/DC电路，如下图b所示，但是通电试验时不能工作，请指出该电路设计错误之处（包括元器件设计是否合适），说明理由并在保持电路类型不变条件下为他改正电路错误之处。提示：有3处错误。 答：（1）需加入续流二极管，为电感L提供续流回路； （2）需加入磁复位回路（包括磁复位绕组和磁复位二极管）；
（3）开关管选择错误，不应选 用GTR，从工作频率和功率两方面考虑，应选用功率MOS管。
LCoUo+Ro附录 SCR负载类Ud 最大移相范围 单相 电阻 全桥 导通角 最大正、反压 SCR电流平均值、有效值 输入变压器最大功率S（α=0） 整流 型 0.9U21?cos?2 π ??? 2U22 Idvt?0.45U1?cos?R2 22U2U2(P?,??1) RR2U2 大电感 Ivt?Usin2?????2??2R Ivt0.9U2cos? 同电阻负载 ? 2同电阻负载 π 2U2 同电阻负载 IdvtI?d2?Id2 220.9U20.92U2(P?,??0.9) RR大电感+续流二极管 同电阻负载 Idvt????Id 2?Ivt?三相 电阻 半波 ???Id 2?Id3 23U2R2U21 (P?,??R31.17U2cos? ,α0.675U2[1?cos(α>π/6 ≤π/6 5? 62?,α≤π32U2 6U2 Idvt?) ?6??)], /6 5???6α>π/6 , Ivt?Id3 大电感 1.17U2cos? ? 22? 32.45U2 IdvtI?d3 Ivt?Id3 21.173U2R 大电感+续流二极管 同电阻负载 同电阻负载 同电阻负载 同电阻负载 α≤π/6，同上；α>π/6 Idvt?2?/3??Id 2?21.172U21.17(P?,??) R3Ivt?三相 电阻 全桥 2?/3??Id 2?23U2R23U2 (P?,??1) R2.34U2cos?,α2.34U2[1?cos(α>π/3 ≤π/3 2? 3?,α≤π/3 3?3??)] 5???6? 2同电阻负载 6U22α≤π/3，参考P56 图2-19 α>π/3 ，参考P57 图2-21 计算 ,α>π/3 6U2 6U2 同电阻负载 大电感 2.34U2cos? 同电阻负载 ? 3同电阻负载 IdvtI?d3 Ivt?Id3 222.342U22.346U2(P?RR, 大电感+续流二极管 α≤π/3，同上；α>π/3 Idvt2?/3?2??Id 2???2.346?0.955) Ivt?
2?/3?2?Id 2?