+VCC Rb2Rc2TC2C1viRb1T1C4vo22C3vo1

图题4.30

解：简化的H参数等效电路下图所示

b1ib1c1e2?2ib2c2viRb1rbe1vo1rbe2ib2b2Rc2vo2?1ib1e1

(1??2)ib2??1ib1

ib2??1ib1 1??2vi?ib1rbe1

vo1??ib2rbe2???1ib1rbe2 1??2vo???2ib2Rc2???1?2ib1Rc2 1??2所以 Av1?vo1?r??1be2 vi1??2rbe1vo2??R??12c2 vi1??2rbe1Av2?

4.31两级阻容耦合放大电路如图题4.31所示。设晶体管T1、T2的参数?1、?2、 rbe1、rbe2及各电阻均为已知量，电容器对交流信号均可视为短路，试写出Av?vovi及Ri、Ro的表达式。

+VCC Rb12C1TRe1Re1RiCeRe2RLRovo1Rc1C2 Rb2T2C3viRb11

图题4.31

解：

??1??2?Re2v??R//R? Av?o?Av1?Av2??1c1i2??virbe1??1??1?Re1rbe2??1??2?Re2?? 式中Ri2?Rb2//?rbe2??1??2?Re2??Re2//RL Re2Ri?Rb11//Rb12//?rbe1??1??1?Re1?

Ro?Re2//rbe2??Rc1//Rb2?

1??2

4.32双电源供电的共集－共基组合放大电路如图题4.32所示，T1、 T2为互补又对称的两只晶体管，且 ??100，rbb??300?，VCC?15V，Rc?500k?，在vi＝0时调整VBB，使ICQ1＝20μA，试估算：

（1）电压放大倍数Av； （2）输入电阻Ri； （3）输出电阻Ro。

+VCC TviVBB T12RcRiVCC Rovo

图题4.32

解：

（1） rbe1?rbe2?rbb???1???26?131.6k?

IEQrbe21??21Av1?

r2rbe1?(1??1)be21??2(1??1)Av2??2Rcrbe2?380

Av?Av1Av2?190

（2）Ri= rbe=263.2 k? （3）Ro= Rc=500 k?

4.33组合放大电路如图题4.33（a）（b）所示。 （1）试判断各个管子构成的基本放大电路组态；

（2）当晶体管参数?、rbe和场效应管参数gm均为已知，设电容对交流信号可视为短路，试分别写出两个放大电路Av?vovi、Ri和Ro的近似表达式。

+VEE+VGGRgC1viRiRcRoRdT1+VCC RovoRbRcRb1T2C2 C1voT2TviRi1Rb2C2 (a)图题4.33

(b)

解：

（1）图（a）：T1为共源（CS）组态，T2为共射（CE）组态； 图（b）：T1为共射（CE））组态， T2为共基（CB）组态。

v?R（2）图（a）： Av?o??gm(Rd//rbe2)(?c)

virbe2 若Rd>> rbe2 则 Av?Ri? Rg Ro= Rc

图（b）： Av?vo??gm?Rc vivo??vo?1rbe21??2?2Rc

rbe1rbe2若?2>>1，则 Av?Ri? Rb// rbe1

Ro= Rc

vo?R??1c vorbe1

4.34由N沟道结型场效应管T1和三极管T2组成的高输入电阻、低输出电阻的放大电路

rbb??300?，如图题4.34所示。已知T1的gm?3mS，T2的?＝100，ICQ＝1mA，电阻Rg＝10M?，Re＝3k?。

（1）画出微变等效电路；

（2）估算电压放大倍数Av、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

+VccTvi1TRgReRi2voRo

图题4.34

解：

（1）微变等效电路如下图所示

gvgsdgmvgsbsibrbec?ibevoviRgRe （2） r?300??1???26?2.9k?

beIEQRi2?rbe?(1??)Re?306k?

Av?vogmRi2(1??)Regm(1??)Re???0.989 vi1?gmRi2Ri21?gmRi2Ri? Rg=10M? rbe?Ro?Re//1gm?32?

1??24.35多级放大电路如图题4.35所示。设电路中各元器件参数均已知，各电容器对交流信号均可视为短路。

（1）T1、T2、T3各组成哪种接法（组态）的放大电路？ （2）画出电路简化微变等效电路； （3）写出Ri、Ro及Av的表达式。

+VCC R3C2TR2 C1Tvi12R4T3C4R6C3RovoR1RiR5

图题4.35

解：

（1）T1为共射电路，T2为共基电路；T3为共集电路。 （2）微变等效电路如下图所示