实验五 APD光电二极管特性测试
一、 实验内容
1、学习掌握APD光电二极管的工作原理 2、学习掌握APD光电二极管的基本特性 3、掌握APD光电二极管特性测试方法 4、了解APD光电二极管的基本应用 二、 实验目的
1、APD光电二极管暗电流测试实验 2、APD光电二极管光电流测试实验 3、APD光电二极管伏安特性测试实验 4、APD光电二极管雪崩电压测试实验 5、APD光电二极管光电特性测试实验 6、APD光电二极管时间响应特性测试实验 7、APD光电二极管光谱特性测试实验 三、 实验器材
1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1台 4、光敏电阻及封装组件 1套 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 9、示波器 1台 四、 实验原理
雪崩光电二极管APD—Avalanche Photodiode是具有内部增益的光检测器,它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。
雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。当PN结上加高的反偏压时,耗尽层的电场很强,光生载流子经过时就会被电场加速,当电场强度足够高(约3x105V/cm)时,光生载流子获得很大的动能,它们在高速运动中与半导体晶格碰撞,使晶体中的原子电离,从而激发出新的电子一空穴对,这种现象称为碰撞电离。碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下同样又被加速,重复前一过程,这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加,电流也迅速增大,这个物理过程称为雪崩倍增效应。
图6-1为APD的一种结构。外侧与电极接触的P区和N区都进行了重掺杂,分别以P+和N+表示;在I区和N+区中间是宽度较窄的另一层P区。APD工作在大的反偏压下,当反偏压加大到某一值后,耗尽层从N+-P结区一直扩展(或称拉通)到P+区,包括了中间的P层区和I区。图4的结构为拉通型APD的结构。从图中可以看到,电场在I区分布较弱,而在N+-P区分布较强,碰撞电离区即雪崩区就在N+-P区。尽管I区的电场比N+-P区低得多,但也足够高(可达2x104V/cm),可以保证载流子达到饱和漂移速度。当入射光照射时,由于雪崩区较窄,不能充分吸收光子,相当多的光子进入了I区。I区很宽,可以充分吸收光子,提高光电转换效率。我们把I区吸收光子产生的电子-空穴对称为初级电子-空穴对。在电场的作用下,初级光生电子从I区向雪崩区漂移,并在雪崩区产生雪崩倍增;而所有的初级空穴则直接被P+层吸收。在雪崩区通过碰撞电离产生的电子-空穴对称为二次电子-空穴对。可见,
I区仍然作为吸收光信号的区域并产生初级光生电子-空穴对,此外它还具有分离初级电子和空穴的作用,初级电子在N+-P区通过碰撞电离形成更多的电子-空穴对,从而实现对初级光电流的放大作用。
图6-1 APD的结构及电场分布
碰撞电离产生的雪崩倍增过程本质上是统计性的,即为一个复杂的随机过程。每一个初级光生电子-空穴对在什么位置产生,在什么位置发生碰撞电离,总共碰撞出多少二次电子一空穴对,这些都是随机的。因此与PIN光电二极管相比,APD的特性较为复杂。 APD的雪崩倍增因子M定义为 M=IP/IP0
式中:IP 是APD的输出平均电流;IP0是平均初级光生电流。从定义可见,倍增因子是APD的电流增益系数。由于雪崩倍增过程是一个随机过程,因而倍增因子是在一个平均之上随机起伏的量,雪崩倍增因子M的定义应理解为统计平均倍增因子。M随反偏压的增大而增大,随W的增加按指数增长。
APD的噪声包括量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声、热噪声和附加的倍增噪声。倍增噪声是APD中的主要噪声。
倍增噪声的产生主要与两个过程有关,即光子被吸收产生初级电子-空穴对的随机性和在增益区产生二次电子-空穴对的随机性。这两个过程都是不能准确测定的,因此APD倍增因子只能是一个统计平均的概念,表示为
由于APD具有电流增益,所以APD的响度比PIN的响应度大大提高,有 R0=
量子效率只与初级光生载流子数目有关,不涉及倍增问题,故量子效率值总是小于1。
APD的线性工作范围没有PIN宽,它适宜于检测微弱光信号。当光功率达到几uw以上时,输出电流和入射光功率之间的线性关系变坏,能够达到的最大倍增增益也降低了,即产生了饱和现象。 、
APD的这种非线性转换的原因与PIN类似,主要是器件上的偏压不能保持恒定。由于偏压降低,使得雪崩区变窄,倍增因子随之下降,这种影响比PIN的情况更明显。它使得数字信号脉冲幅度产生压缩,或使模拟信号产生波形畸变,因而应设法避免。
在低偏压下APD没有倍增效应。当偏压升高时,产生倍增效应,输出信号电流增大。当反偏压接近某一电压VB时,电流倍增最大,此时称APD被击穿,电压VB称作击穿电压。如
果反偏压进一步提高,则雪崩击穿电流使器件对光生载流子变的越来越不敏感。因此APD的偏置电压接近击穿电压,一般在数十伏到数百伏。须注意的是击穿电压并非是APD的破坏电压,撤去该电压后APD仍能正常工作。
APD的暗电流有初级暗电流和倍增后的暗电流之分,它随倍增因子的增加而增加;此外还有漏电流,漏电流没有经过倍增。
APD的响应速度主要取决于载流子完成倍增过程所需要的时间,载流子越过耗尽层所需的渡越时间以及二极管结电容和负载电阻的RC时间常数等因素。而渡越时间的影响相对比较大,其余因素可通过改进结构设计使影响减至很小。 五、 实验准备
1、实验之前,请仔细阅读光电探测综合实验仪说明,弄清实验箱各部分的功能及拨位开关的意义;
2、当电压表和电流表显示为“1_”是说明超过量程,应更换为合适量程; 3、连线之前保证电源关闭。
4、实验过程中,请勿同时拨开两种或两种以上的光源开关,这样会造成实验所测试的数据不准确。
六、 实验过程与现象
1、APD光电二极管暗电流测试 实验装置原理框图如图6-2所示
图6-2
(1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态特性”,将拨位开关S1,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。
(3)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。
(4)按图6-2所示的电路连接电路图,直流电源选择电源1,负载RL选择RL6=1K欧,电流表选择200uA档. (5)打开电源开关,缓慢调节直流电源电位器,直到微安表显示有读数为止,记录此时电压表U和电流表的读数I.I即为APD光电二极管在U偏压下的暗电流.
(注:在测试暗电流时,应先将光电器件置于黑暗环境中30分钟以上,否则测试过程中电压表需一段时间后才可稳定)
(6实验完毕,直流电源调至最小,关闭电源,拆除所有连线。 实验结果:U= V I= UA 2、APD光电二极管光电流测试
(1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态特性”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。
(3)按图6-2所示的电路连接电路图,直流电源选择电源1,负载RL选择RL6=1K欧,电流表选择200uA档.
(4)打开电源,缓慢调节光照度调节电位器,直到光照为300lx(约为环境光照),缓慢调节直流电源电位器,直到微安表显示有读数有较大变化为止,记录此时电压表U和电流表的读数I.I即为APD光电二极管在U偏压下的光电流.
(5)实验完毕,将光照度调至最小,直流电源调至最小,关闭电源,拆除所有连线。 实验结果:U= V I= UA 3、APD光电二极管伏安特性
(1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。
(3)按图6-2所示的电路连接电路图,直流电源选择电源1,负载RL选择RL6=1K欧。 (3)打开电源顺时针调节照度调节旋钮,使照度值为200Lx,保持光照度不变,调节电源电压电位器,使反向偏压为0V、50V,100V、120V、130V、140V、150V、160V、170V、180V时的电流表读数,填入下表,关闭电源。
(注:在测试过程中应缓慢调节电位器,待电压表和电流表稳定后方可读数) 偏压(V) 0 50 100 120 130 140 150 160 170 180 光生电流I(μA) (6)根据上述实验结果,作出200lx光照度下的APD光电二极管伏安特性曲线.
(注:由于APD雪崩光电二极管的个性差异, 不同的APD光电二极管的雪崩电压有~50V差异,测试的数据也有很大差异,属正常现象)
4、APD光电二极管雪崩电压测试
(1)根据实验3伏安特性的测试方法,重复实验3的实验步骤, 分别测出光照度在100lx,300lx,500lx光照度时,反向偏压为0V、50V,100V、120V、130V、140V、150V、160V、170V、180V时的电流表读数,填入下表,关闭电源。 偏压(V) 0 50 100 120 130 140 150 160 170 180 光生电流1(μA) 光生电流2(μA)