电涡流的轴向贯穿深度h越大。（越大；越小；越小）

47．不同材料的阴极，对同一波长的光，具有 ；同一中阴极材料，对不同波长的光，具有 。（不同的灵敏度；不同的灵敏度）

48．光电管的伏安特性是指 ， 与 的关系。当阳极电压较小时，光电流随 而增加。到 电压以后，光电流 ，这是因为单位时间内发射的光电子全部被阳极收集了。（一定光适量照射下；阴极电压；光电流；阳极电压增加；饱和；饱和；发射的光电子

49．当入射光 不变时，被照物体在单位时间内 与 成正比。（频谱；发射的光电子数；入射光强度）

50. 光电效应分为(1) 效应，相对应的光电器件是 、 (2) 效应,相对应的光电器件是 ， ， ， 。

( 外光电、光电管、光电倍增管；内光电、光敏电阻 、 光敏二极管 、 光

敏晶体管 、光电池)

51. CCD的中文名称是 ，其基本单元是 ,此基本单元又称为 ，CCD的电信号是 。（电荷耦合器件，MOS电容器，光敏元（像素），电荷） 52. CCD的信号电荷产生有 和 两种方法。（光信号注入，电信号注入）

53. 光纤的数值孔径是表征 的重要参数。（光钎集光本领）

54. 光纤的传输损耗主要来源于 、 、 。（材料吸收损耗 、 散射损耗 、 光波导弯曲损耗）

55. 光钎传感器从功能上分为 和 两大类。（功能（传感）型传感器 ，传光型传感器）

56. 光钎传感器从信号调制方法上分为 、 、 三类。（光强调制型传感器 、相位调制型传感器 、偏振调制型传感器 ）

57.物体受到光照以后，物体内部的原子释放出电子，这些电子仍留在物体内部，使物体的 或产生 的现象称为 。（电阻率发生变化；光电动势；内光电效应） 58．在光线的作用下，半导体的 的现象称光导效应。（电导率增加） 59．光照射使半导体原子中的 吸收光子能量激发出 的现象，称本征光导效应；光照射使半导体杂质吸收光子能量激发出 的现象，称非本征光导效应，它的激发比本征光导效应 。（价电子；自由电子同时产生空穴；自由电子；容易）

60．某种半导体能否产生光电效应，决定于照射光的 ，而光的强度只取决于产

生的 。（频率；光子数目的多少）

61．将光敏电阻置于室温、 条件下，经过一定稳定时间后，测得的阻值乘暗电阻；在 条件下，测得的阻值称为 。（无光照全暗；光照；亮电阻） 62．每种光导材料制成的光敏电阻，对入射光的 具有选择性。对不同波长的入射光具有 的灵敏度。（光谱；不同）

63. 把两块 的光栅叠在一起，让他们的刻线之间有 ，这时光栅上会出现若干条明暗相间带状条纹案，称为 。由于此中条纹方向几乎与 ，故又称为 。（栅距相等；较小的夹角时；莫尔条纹；刻线垂直；横向莫尔条纹）

64. 莫尔条纹是由于两块光栅的 与 效应而形成的。（遮光；透光）

65. 石英晶体和压电陶瓷多晶体具有 、 效应，利用它们的 效应制成了电势型传感器。（正；逆压电；正压电）

66. 石英晶体的右旋直角坐标系统中，Z轴称 ，该方向上 压电效应；X轴称 ， 晶面上的压电效应 ；Y轴称 ，沿Y轴方向上的 。（光轴（中性轴）；没有；电轴；垂直于X轴；最显著；机械轴；受力面上不产生电荷）

67. 沿石英晶片X轴加力，在力作用的 上，产生 电荷，承纵向压电效应。

石英晶体压电式传感器中主要用 效应。它的特点是晶面上产生的 与 呈正比，而与 和 无关。（两晶面；异性；纵向压电；电荷密度；作用在晶面上压强；晶片厚度；面积）

68. 若沿石英晶体Y轴方向加压力，在 不出现电荷，电荷出现在 上，只是 相反，称横向压电效应。（受力的两个晶面上；沿X轴加压力的两个晶面；电荷符号；横向压电效应）

69. 压电陶瓷是一种人工制造的 压电材料,它是由无数细微的单晶组成,他们都有自发形成的 。压电陶瓷又叫 。（多晶；单晶；极化方向；铁电体） 70. 极化处理前的压电陶瓷材料对外不显 ，各向 ，不具有 。（极化方向；同性；压电特性）

71.极化处理后的压电陶瓷受到沿 的作用力时，其 随之改变，因而在 的平面上将出现电荷量的 。它的大小与压电陶瓷的 和 的大小成正比。（极化方向；剩余极化强度；垂直于极化方向；变化；压电系数；压力）

72．压电陶瓷的压电系数比石英晶体的 。所以采用压电陶瓷制作的压电是传感器，其 较高。但石英晶体的 性是其他压电材料无法比的。（大得多；灵敏度；稳定） 73．压电元件是一个电压很大的信号源，它可以等效一个 和一个 并联的等效电路。测量中要求与其它配接的放大器具有 和 。（电荷源；电容；高输入阻抗；低输出阻抗）

74．电荷放大器十一个 ，高放大倍数的 ，其输出电压至于压电元件 和 有关，而与配接的 无关。（电容负反馈；运算放大器；产生的电荷；反馈电容；电缆分布电容）

75．压电式传感器中，常把两片 的压电片叠在一起，其并联法是两压电片的 粘贴在一起， 在两边电极， 增加一倍，电容也增加一倍；其串联接法是两压电片的 粘在一起，因而上、下两极板的电荷量与 相同，总容量为 一半，输出电压 。（同型号；负极；正电极；电荷量；正极和负极；单片；单片时；增大一倍）

76．压电式传感器不能测量 被测量，更不能测量 。目前多用于 和动态的力或压力的测量。（频率太低的；静态量；加速度）

77．当磁场中静止载流导体的 方向与 不一致时， 的平行于 和 方向上的两个面上产生 的现象称为霍尔效应。它是导体中的 再磁场中受到 作用发生 的结果。（电流；磁场；栽流导体；电流；磁场；电动势；载流子；洛仑兹力；横向漂移）

78．霍尔元件是 型半导体制成 形状的 敏元件。（N；扁平长；磁） 79．当霍尔元件处于 中，且 方向与霍尔元件 方向一致时，霍尔电势与 和 乘积成正比。其数学式为 。（均匀磁场；磁场；扁平面法线；激励电流；磁感应强度；UH=KHBI）

80．霍尔元件的灵敏度表示在 和 下，产生 的大小。它与半导体材料的 和霍尔片的 成反比。（单位激励电流；单位磁感应强度；霍尔电势；电荷密度；d）

81．霍尔元件外部有两对电极。一对用来施加 ，叫 电极；另一对用来引出霍尔电势，叫 电极。（激励电流；控制；霍尔电势；霍尔）

82．霍尔常数RH的大小与导体的载流子密度成反比。金属因自由电子 而不宜制作霍尔元件。霍尔电势与导体 成反比，因而霍尔元件制作成 状。（载

流子密度；密度大于半导体；厚度；薄片）

83．不等位电势是指激励电流为 时，霍尔元件所处位置又是 条件下，霍尔电极间的 ，主要是由于两个霍尔电极安装时 而引起的。（额定电流；B=0；空载UH；不在同一电位面上）

84．保持霍尔元件 为恒值，让磁场中某个方向上的磁感应强度 变化，则霍尔元件在该方向上移动时， 的变化放映霍尔元件的 。用这个原理可以进行 的测量。（激励电流；线性；霍尔电势；位移；位移）

85．磁电式传感器利用 原理，将 转换成线圈中的 输出。它的特点是工作时不 电源，而是直接从 吸取机械能转换成 输出，是典型的 型传感器。（电磁感应；运动速度；感应电动势；需要；被测物体；电信号；电动势）

86．磁电式传感器有两种类型，一种是 式，另一种是 式。他们结构上都分成两大部分： 和 。（变磁通；恒磁通；磁路系统；工作线圈）

87．变磁通式传感器的工作原理是将 作为永久磁铁磁路的一部分。当齿轮转动时，引起磁路中 的变化，因而与 的线圈产生 信号输出，该信号的 和 与转速成正比。（齿轮的齿；磁组；磁通相链；感应电动势；频率；幅值）

88．恒磁通式传感器的工作原理是永久磁铁磁路中有 ，工作线圈置于 内。当 相对 有运动时，产生磁 信号输出，该信号与线圈的 成正比。（工作线圈；气隙；线圈；气隙磁场；感应电动势；直线运动速度）

89．动圈磁电式传感器用于振动测量时，可以测量振动速度。若配接的测量电路接有微分电路或 ，还可以测量振动体的a或 。（积分电路；振幅） 90．气敏元件属于以化学物质 为检测参数的化学敏感元件。（成分）

91．气敏电阻接触被测气体时，产生的 引起半导体中多数载流子 的变化，使气敏电阻 发生变化，从而感知被测气体。（化学吸附；浓度；数值）

92．气敏电阻常温下吸附气体主要是 。为了达到气敏电阻的 ，需要对元件本身加热到适当温度，所以气敏元件多数自备 。（物理吸附；化学吸附；电阻加热器）

93．气敏电阻种类很多，按制造工艺上分，主要有 ， 和 。他们大