运行。PFC开关停止当VSNSMAINS < Vuvp(SNSMAINS)。电源低电压保护也称为断电保护。VSNSMAINS被钳到最小值Vpu (SNSMAINS)快速重启只要电源输出下降后电源输入电压恢复。PFC启动或重启当VSNSMAINS超过启动水平Vstart(SNSMAINS)。
7.7.9 PFC boost overvoltage protection, OVP-boost (SNSBOOST pin)
过压保护电路建立在以防止增压电压在动态加载和电源瞬变过。功率因数校正电路的开关被抑制当电压在SNSBOOST引脚> Vovp(SNSBOOST)。PFC开关恢复当再次VSNSBOOST < Vovp(SNSBOOST)。过电压保护装置也触发当开路在电阻SNSBOOST引脚和地面之间的连接。
7.7.10 PFC short circuit/open-loop protection, SCP/OLP-PFC (SNSBOOST pin)
PFC电路不开始,直到SNSBOOST引脚上的电压超过Vscp(SNSBOOST)。这对提高电压作为短路保护(SCP-boost)。SNSBOOST引脚拉了一个小的输入电流Iprot(SNSBOOST)。如果这引脚断开时会,剩余电流VSNSBOOST拉下来,引发短路保护(SCP-boost)。这种组合创造了一个开环保护(OLP-PFC)。
7.8 HBC controller
HBC控制器将PFC的400 V增加电压转换成一个或多个直流稳压输出电压和驱动两个外部mosfet半桥配置连接到一个变压器。谐振电路的变压器形式结合谐振电容和负载在输出端。变压器有一个漏电感和磁化电感。规定使用频率控制实现。
7.8.1 HBC high-side and low-side driver (GATEHS and GATELS pins)
两个驱动都有一个相同的功能。每个驱动程序的输出连接到外部高压功率MOSFET的门。下边驱动参考PGND引脚和从SUPREG引脚提供。高端驱动程序是浮动的。参考高端驱动程序是HB引脚,连接到外部半桥网格的中点。高端驱动程序从SUPHS引脚提供连接到外部引导电容器C SUPHS。当下部MOSFET开启,引导电容器被充电从使用外部二极管DSUPHS在 SUPREG引脚。
7.8.2 HBC boost undervoltage protection, UVP-boost (SNSBOOST pin)
SNSBOOST引脚上的电压被连续感应防止HBC控制器试图运行在增压输入电压非常低。当VSNSBOOST < Vuvp(SNSBOOST),HBC开关停止下次GATELS运行到高。HBC开关恢复当VSNSBOOST >Vstart(SNSBOOST)。
HBC switch control
HBC开关控制决定当mosfet开启和关闭。它使用的输出从其他几个模块。 ?分压器用于交替切换的高和低面场效电晶体振荡器周期。振荡器的频率是半
桥的两倍的频率。
?控制振荡器决定关断点。
?自适应非重叠时间感应决定接通点。这个功能是自适应非重叠时间。 ?几个保护电路和SSHBC / EN输入指定的状态如果谐振转换器可以开启。 ?在启动GATELS引脚很高。节点HB拉到地面和引导电容器CSUPHS充电。 ?在冲关断时间,GATELS和GATEHS都低。失能mosfet防止谐振回路的放电。
7.8.4 HBC Adaptive Non-Overlap (ANO) time function (HB pin)
7.8.4.1 Inductive mode (normal operation)
谐振变换器的效率高的特点是功率场效应管零电压开关。零电压也被称为软开关。允许软开关,需要小非重叠时间高在端工作时间和下部的场效应管之间。在这非重叠期间,主谐振电流的充电或放电在地和增压电压之间。充电和放电周期后,MOSFET的体二极管开始进行。因为电压MOSFET为零,当MOSFET开关闭合时没有损耗。这个操作模式被称为感性模式。在感性模式切换频率高于谐振频率和谐振回路电感阻抗。HB过渡时间取决于谐振开关启动时电流振幅。之间存在复杂的关系在这个振幅,频率,增压电压和输出电压。理想情况下,IC开启MOSFET 当HB转换完成后。如果它不再等待,HB电压可以掉头,特别是在高输出负载。先进的自适应非重叠时间使它不必要的选择一个固定的死期时间(总是折中的)。这可以节省外部组件。自适应非重叠感应测量HB斜坡一个MOSFET立即关闭。通常,HB斜坡开始(电压开始上升或下降)。HB节点的转换完成后,边坡结束(电压停止上升/下降)。这坡结束检测通过ANO时间且另一个MOSFET是开启。这样,非重叠p时间自动优化即使HB转换不能完全完成,最大限度地减少损失。图11说明了自适应的操作非重叠时间功能归纳模式。
非重叠时间取决于HB斜坡但有上限和下限。一个集成最小非重叠时间(tno(min))在任何情况下防止发生交叉传导。最大非重叠振荡充电时间时间是有限的。如果HB斜坡比振荡充电时间长(1?4 HB转换时期),MOSFET被迫开启。在这种情况下,MOSFET不是软开关。这个限制确保MOSFET工作时间至少1?4 HB的切换时间。
7.8.4.2 Capacitive mode
说明7.8.4.1节正常运行开关频率高于共振频率。发生一个错误条件时(例如输出短,加载脉冲太高)的切换频率低于谐振频率。然后谐振回路电容阻抗。在电容式模式下,HB坡不开始MOSFET开断后。打开另一个MOSFET在这种情况下不推荐。没有软场效应管开关损耗增加。在电容式模式,关闭了MOSFET的体二极管就可以开始导通。打开另一个MOSFET在这一刹那会导致立即场效应管的破坏。TEA1716T先进的自适应非重叠时间 总是等到斜坡在半桥节点开始。它保证安全开关mosfet在所有情况下。图12显示了自适应非重叠时间功能运行电容式模式。在电容模式中,一半的共振周期可以运行在谐振电流回到正确的极性和开始充电半桥节点之前。振荡器是慢了下来,直到半桥节点开始允许这种相对较长的等待时间。看到更多的细节部分7.8.5振荡器。
MOSFET被迫打开,当半桥斜坡未启动和振荡器电压达到Vu(CFMIN)。开关频率增加,消除相关的问题
电容模式操作(参见7.8.11的一节)。
7.8.5 HBC slope controlled oscillator (pin CFMIN)
斜坡控制振荡器决定半桥开关频率。振荡器产生一个三角波形在Vu(CFMIN)和 Vl(CFMIN)外部电容器 Cfmin之间。
两个外部组件确定频率范围: