本科生课程设计（论文）

从图中可看出，UC3825功能比较全，外围电路简单，可有效减少PCB的布线与外围元器件，提高了系统的可靠性。

图2.3 高速双路PWM控制器UC3825电路图

2.2.3驱动电路设计

MOSFET的驱动可采用脉冲变压器，它具有体积小，价格低的优点，但直接驱动时，脉冲的前沿与后沿不够陡，影响MOSFET的开关速度。在此，采用了IR2304芯片，它是IR公司新推出的多功能600v高端及低端驱动集成电路，它具有以下优点。

1)芯片体积小(DIP8)，集成度高(可同时驱动同一桥臂的上、下两只开关器件)。 2)动态响应快，通断延迟时间220／220 ns(典型值)、内部死区时间1000ns、匹配延迟时间50ns。

3)驱动能力强，可驱动600v主电路系统，具有61 mA／130mA输出驱动能力，栅极驱动输入电压宽达10～20V。

4)工作频率高，可支持100 kHz或以下的高频开关。

5)输入输出同相设计，提供高端和低端独立控制驱动输出，可通过两个兼容3．3v、5v和15v输入逻辑的独立CMOS或LSTFL输入来控制，为设计带来了很大的灵活性。

6)低功耗设计，坚固耐用且防噪效能高。IR2304采用高压集成电路技术，整合设计既降低成本和简化电路，又降低设计风险和节省电路板的空间，相比于其它分立式、脉冲变压器及光耦解决方案，IR2304更能节省组件数量和空间，并提高可靠性。

7)具有电源欠压保护和关断逻辑，IR2304有两个非倒相输入及交叉传导保护功

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能，整合了专为驱动电机的半桥MOSFET或IGBT电路而设的保护功能。当电源电压降至4．7v以下时，欠压锁定(UVL0)功能会立即关掉两个输出，以防止直通电流及器件故障。当电源电压大于5v时则会释放输出(综合滞后一般为0.3v)。过压(HVIC)及防闭锁CMOS技术使IR2304非常坚固耐用。另外，IR2304还配备有大脉冲电流缓冲级，可将交叉传导减至最低；同时采用具有下拉功能的施密特(Sohmill)触发式输入设计，可有效隔绝噪音，以防止器件意外开通。

如下图所示为IR2304的连线图

图2.4 驱动电路图

可以看出，IR2304具有连线简单，外围元器件少的优点。其中VCC由主电路中OUT自供电，LIN和HIN分别接UC3825的两个输出端，VD要采用快恢复二极管，C1为滤电容，C2为自举电容，最好采用性能好的钽电容，R1和R2为限流电阻。

2.2.4保护电路设计

对于DC／DC电源产品都要求在出现异常情况(如过流、过载)时，系统的保护电路工作，使变换器及时停止工作。UC3825的保护电路设计也比较简单，如图2.5所示。

通过电流互感器得到的采样电流，经过转换后送到UC3825脚9(ILJIM)，当电流超过预定值时，UC3825自动封锁输出脉冲，起到保护作用

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图2.5 保护电路

2.2.5 整体电路设计

为了提高系统的功率因数，整流环节不能采用二极管整流，采用了UC3854A／B控制芯片组成功率因数校正电路。UC3854A／BUnitrode公司一种新的高功率因数校正器集成控制电路芯片，是在UC3854基础上的改进，其特点是采用平均电流控制，功率因数接近1，高带宽，限制电网电流失真≤3％。图2.6是由UC3854A／B控制的有源功率因数校正电路。

图2.6 整体电路图

该电路由两部分组成。UC3854A／B及外围元器件构成控制部分，实现对网

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侧输入电流和输出电压的控制。功率部分由L2，Cs，S等元器件构成Boost升压电路。开关管S选择西门康公司的SKM75GBl23D模块，其工作频率选在35 kHz。升压电感L2为2mH／20A。C5采用两个450V／470μF的电解电容并联。为了提高电路在功率较小时的效率，所设计的PFC电路在轻载时不进行功率因数校正，当负载较大时功率因数校正电路自动投入使用。此部分控制由图1中的比较器部分来实现。R10及R11是负载检测电阻。当负载较轻时，R10及R11上检测的信号输入给比较器，使其输出端为低电平，D5导通，给ENA(使能端)低电平使UC3854A／B封锁。在负载较大时ENA为高电平才让UC3854A／B工作。D6接到SS(软启动端)，在负载轻时D6导通，使SS为低电平；当负载增大要求UC3854A／B工作时，SS端电位从零缓慢升高，控制输出脉冲占空比慢慢增大实现软启动。如图2.7中各图所示即为各种元件在电路中的波形。

图2.7 各种元件的波形图

2.3元器件型号选择

1.输入整流二极管的选择

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