，那么锁模后的强度比没有锁模时大约大 倍？

28。众所周知，YAG激光器谐振腔的两个反射镜之间的距离为1米，反射率为98%，增益大于损耗 的带宽为15千兆赫。问:

(1)激光输出激光束的纵向模式间隔 是多少？

(2)可以输出多少个纵向模式？锁模后

(3)的强度比没有锁模时大多少倍？(4)每个纵模的相干长度是多少？ 第10章练习 1。一束每秒 个光子的光波(波长

)照射到光电探测器上，每秒产生

个电子的电流。光电探测器的量子效率是多少？回复率是多少？ 2。光电探测器可以探测介质中一个光子的波长辐射。这个光电探测器的最小探测功率是 ？

3。如果光电倍增器光电阴极的量子效率是o 8，那么倍增电极的增益是4，总共有8级光电倍增管

输出端的负载电阻为100kω。当功率为0.1 mW(平均波长 )的可见光入射时，

获得的信号电压是多少？

4。光电倍增管的阴极量子效率为0.8，倍增电极增益为4，共10级负载电阻为1Mω，

如果可检测的最小电压为1 μV，光电倍增管可检测的最小光强为每秒几个光子。( 知道电子的电荷 。)

电导率变化为 ，其中

5。将光电导检测器的电阻设为Rc，当光功率入射到检测器上时，电导率为

P，A和K为已知常数该检测器与负载电阻R1和电压为v的电源串联，形成一个环路。试着推断RL两端的电压变化，认为 与p成正比？

与p的关系，在什么条件下才能达到 6。尝试比较各种光电探测器的优缺点

7。半导体激光器、半导体发光二极管和半导体光敏二极管异同简介8.尝试计算以下半导体探测器的长波极限。已知它们的禁带宽度是硅(硅)，Eg = 1.1 eV；Ge，

eg = 0.6 ev；锑化铟(InSb)，Eg = 0.17 eV；Ge:Hg，Eg = 0.088 eVGe:铜，Eg = 0.041eV