注意:习题按以下内容结构给出,
加深理解本课程的内容和结构。
绪论
第一篇 材料的原子结构
第一章 材料的原子结构 第二篇 材料的晶体结构与缺陷
第二章 材料的结构 第三章 晶体结构缺陷
第七章 晶态固体材料中的界面 第三篇 材料的组织结构
第五章 相平衡与相图 第四章 晶态固体中的扩散 第六章 材料的凝固 【综合习题】 绪论 一、填空题
1、材料科学主要研究的核心问题是 和 的关系。 材料的结构是理解和控制性能的中心环节,结构的最微细水平是 ,第二个水平是 ,第三个水平是 。 2. 根据材料的性能特点和用途,材料分为 和 两大类。 根据原子之间的键合特点,材料分为 、 、 和复合材料四大类。 第一篇 材料的原子结构 第一章 材料的原子结构 一、填空题
1. 金属材料中原子结合以 键为主,陶瓷材料(无机非金属材料)以 和 结合键为主,聚合物材料以 和 键为主。
第二篇 材料的晶体结构与缺陷 第二章 材料的结构 一、填空题
1、晶体是 。
2、晶体与非晶体的最根本区别是 。 3、晶胞是 。
4、根据晶体的对称性,晶系有 大晶族, 大晶系, 种布拉菲Bravais点阵, 种点群, 种空间群。
5、金属常见的晶格类型有 、 、 。 6、fcc晶体的最密排方向为 ,最密排面为 ,最密排面的堆垛顺序为 。
7、fcc晶体的致密度为 ,配位数为 ,原子在(111)面上的原子配位数为 。
8、bcc晶体的最密排方向为 ,最密排面为 ,致密度为 ,配位数为 。
9、晶体的宏观对称要素有 、 、 。 10、CsCl型结构属于 ,NaCl型结构属于 ,CaF2型结构属于 。
11、MgO晶体具有 型结构,其对称型是 , 晶族是 ,晶系是 ,晶体的键型是 。 12、硅酸盐晶体结构中的基本结构单元是 。
13、几种硅酸盐晶体的络阴离子分别为[Si2O7]6-、[Si2O6]4-、[Si4O10]4-、[AlSi3O8]1-, 它们的晶体结构类型分别为 , , , 和 。
14、表征晶体中晶向和晶面的方法有 和 法。
二、分析计算
1、(2-3)(1)晶面A在x、y、z轴上的截距分别是2a、3b和6c,求该晶面的米勒指数;(2)晶面B在x、y、z轴上的截距分别是a/3、b/2和c,求该晶面的米勒指数。
2、(2-4)在立方晶系的晶胞中画出下列米勒指数的晶面和晶向,每一组画在同一个晶胞中,并说明每一组晶面和晶向的关系。
????001?与??210?, ?111?与?112?, 110与?111?, 322与?236?, ?, ?100?与?011??11??123?与??, ?110?与??121??1?, ?111?与?110?
??????257?与??111?,
3、写出立方晶系中晶面族{100}、{110}、{111}包含的等价晶面。写出<112>晶向族包含的等价晶向。
4、(2-9)求 (1)晶面(121)和(100)的晶带轴指数;晶面(100)和(010)
的晶带轴指数;(2)晶向[001]和[111]确定的晶面指数;包含[010]和 [100] 晶向的晶面指数。
5、(2-11)(1)a≠b≠c、α=β=γ=90°的晶体属于什么晶族和晶系?(2)a≠b≠c、α≠β≠γ=90°的晶体属于什么晶族和晶系?(3)能否据此确定这2种晶体的Bravis点阵?
6、Ni为面心立方结构,原子半径r=0.1243nm,求Ni的晶格常数和密度。 7、Mo为体心立方结构,晶格常数a=0.3147nm,求Mo的原子半径r 。 8、(2-15)CsCl中铯与氯的离子半径分别为0.167nm、0.181nm。试问(1)在CsCl内离子在<100>或<111>方向是否相接触?(2)每单位晶胞内有几个离子?(3)各离子的配位数是多少?(4)密度 ρ和堆积系数(致密度)K? 9、 (2-16)MgO具有NaCl型结构。Mg2+的离子半径为0.072nm,O2-的离子半径为0.140 nm。试求MgO的密度ρ和堆积系数(致密度)K。 10、(2-24)下列硅酸盐化合物属于什么结构类型? ?MgF?e?2
第三章 晶体结构缺陷 一、填空题
1、按几何组态,晶体中的缺陷分为 、 、 和体缺陷。 2、点缺陷主要包括 、 、 ;线缺陷有 ;面缺陷包括 等。 3、描述位错性质及特征的是 。
4、位错的类型有 、 、和 。 5、位错线与柏氏矢量垂直的位错为 ,位错线与柏氏矢量平行的位错称为 。
6、位错的基本运动方式有 和 。
7、 位错可以滑移和攀移, 位错可以滑移而不攀移,能进行交滑移的位错必然是 。
8、位错滑移一般沿着晶体的 (面)和 (方向)进行。 9、柏氏矢量实际上反应了位错线周围区域 的大小和方向。 10、两平行同号螺位错间的作用力为 (引力或斥力?) 。 11、全位错是 ;不全位错是 。 12、面心立方晶体的不全位错类型主要有 和 ,
柏氏矢量分别为 , 。只能发生攀移运动的位
, Zn4?Si2O7??OH?2,BaTi?Si3O9? ,Be3Al2?Si4O28?,S4i?OCa3?Si3O8?,KCa4?Si4O10?2F8H2O,Ca?Al2Si2O8?,K?AlSi2O6?
错是 。
Shockley 不全位错 Franker不全位错
13、位错间转化(位错反应)要满足的条件有 和 。 14、两个不全位错夹一片层错的位错称为 位错。
二、分析题
1、(3-6)画一个方形位错环,(1)在此平面上画出柏氏矢量,使其平行于位错环的其中一边,任意选择并画出位错线方向,据此指出位错环各段的性质。(2)能否使该位错环处处为刃位错?(3)能否使该位错环处处为螺位错? 2、在滑移面上有一位错环,柏氏矢量为b,位错环的方向和柏氏矢量的方向如图所示。(1)指出位错环各段的性质。(2)能否使该位错环处处为刃位错?(3)能否使该位错环处处为螺位错?(4)该位错环滑移出晶体后,晶体有怎样的滑动(大小和方向)?
3、(3-11)试分析在fcc中,下列位错反应能否进行?并指出其中三个位错的性质类型?反应后生成的新位错能否在滑移面上运动?
4、(3-8)比较刃位错和螺位错的异同点。
第七章 晶态固体材料中的界面
15、表面能来源于 ;一般地,割断的键数 ,表面能越高。 表面,割断的键数 ,表面能最低。因此,晶体的外表面一般为 。
16、根据晶粒取向差的大小,晶界分为 和 。 17、小角晶界分为 和 。倾转晶界由 位错构成,扭转晶界由 位错构成。
18、晶界迁移的驱动力是 。晶界移动的结果是小晶
111??a?111?a?101??a?12126??3