学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
C(pF) C0 22 (2) Cmin 8.16 (1) -17 -9.8 0
VG(V)
解:(1)由图示的C-V曲线可得: C0=Ci=22pF, Cmin=8.16pF 所以,SiO2的厚度为:
A?0?r1.6?10?7?8.85?10?12?3.9?7 d0???2.5?10(m)?250nm ( 2分 ) ?12C022?10⑵ 由于金属和半导体功函数的差别,而引起半导体中的电子的电势能相对于金属提高的数值为:
qVms= Ws -WAl, 则因此引起的平带电压: VFB??Vms?'Wm?Ws??0.1V ( 2分 ) q计算界面固定电荷密度时应该从负偏压的C-V曲线确定VFB,即曲线(1),此时移动电荷已经到Al和SiO2的界面,所以,固定电荷密度为:
Nfc?Ci(Vms?VFB1)Aq22?10?12?(?0.1?9.8) 1.6?10?7?1.6?10?19?8.29?1015(m?2)?8.29?109(cm?2)( 2分 )
⑶ 计算可移动电荷密度,由正负温偏处理后的?VFB来计算,
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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
N0?VFBm?CAq ?22?10?121.6?10?7?1.6?10?19?[?9.8?(?17)] ?6.2?1015(m?2)?6.2?109(cm?2) 4分 )
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