模 拟 电 子 技 术 复 习 题
一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。）
第二章
（× ）1. 运算电路中一般引入正反馈。
（ √ ）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 第三章
（× ）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （× ）2. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。 （× ）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。
（√ ）4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （× ）5. 二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。
（√ ）6. PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。 （ × ）7. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 第四章
（√ ）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 （√ ）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。 （× ）3. 晶体管的参数不随温度变化。
（√ ）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。
（ × ）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。
（√ ）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。 （ × ）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（× ）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。 （× ）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。
（× ）10. 只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。 （× ）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。
（ √ ）12. 射极输出器的输入电流是iB，输出电流是iE，因此具有较高的电流放大倍数。 第五章
（ × ）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。 （ √ ）2. MOSFET的输入电阻比BJT高。 第六章
（√ ）1. 运放的共模抑制比KCMR?AVD。 AVC（× ）2. 通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。
（× ）
3.
某差动放大电路的差模电压放大倍数Avd=1000，共模电压放大倍数Avc=10，则其共模抑制比
KCMR=100dB。
（ √ ）4. 在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。
（√ ）5. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
第七章
（√ ）1. 负反馈放大电路可能产生自激振荡。
（× ）2.电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。 （ × ）3. 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（× ）4. 某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定输出电流。 （ × ）5. 要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。 第八章
（√ ）1. 功率放大电路的转换效率??PO。 PV（ × ）2. 在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。 （√ ）3. 通常采用图解法分析功率放大电路。
（√ ）4. 功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。 第九章
（√ ）1. 负反馈放大电路在一定条件下可能转化为正反馈。
（ √ ）2. 欲使振荡电路能自行建立振荡，起振时应满足AF?1的条件。
（√ ）3. RC正弦波振荡电路产生的信号频率可通过改变RC串并联网络中电阻R和电容C的值来调节。 （× ）4. 正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。
（√ ）
5.
在采用正反馈方框图的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为?f，放大电路的相移为?a，那
么只有φa+φf=2nπ，才满足相位平衡条件。
（ √ ）6. 从结构上来看，正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。 第十章
（ √ ）1. 整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。
（√ ）2. 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。
二、填空题
第二章
1. 为使运放电路稳定地工作在线性区，应在电路中引入深度
负 反馈。
断 。
2. 工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均约等于零称为虚第三章
1. 稳压管稳压时是让其工作在
反向击穿 状态。
2. 某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为-10V，-6V，-6.2V，则这只三极管是 PNP型锗管 。 （写出三极管的类型NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管。）
3. 齐纳二极管是一种特殊二极管，常利用它在 反向击穿 状态下的恒压特性来构成简单的稳压电路。 第四章
4. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数ICBO将变 大 （大；小）。
5.放大电路的静态分析，要依据 直流 通路图；放大电路的动态分析，要在 交流 通路图的基础上画出 小信号等效电路 图。
6. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级有载电压放大倍数的 积 ，总的输入电阻等于 第一级放大电路的输入电阻 。
7. 单管共集电极放大电路如下图所示，当Rb太小时，将产生 饱和 失真，其输出电压的___顶部___波形会被削掉。
8. 单管共射放大电路中，若输入电压为正弦波，在中频通带内uo和ui的相位相 反 （同；反）。 9. 放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受 温度 的影响。
10. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数β将变 大 （大；小）。 11. 放大电路静态工作点设置过高输出波形易产生 饱和 失真。
12. 晶体管是温度的敏感元件，如果温度升高三极管的输出特性曲线将向__上__（上；下）移动。 13. 放大电路静态工作点设置过低输出波形易产生 截止 失真。
14. 下图为某放大电路Av的对数幅频特性图，则该电路的上限截止频率为 108HZ ，下限截止频率为102HZ 。
?20lgAv/dB?6040201+20dB/十倍频程-20dB/十倍频程1021041061081010f/HZ
15. 用示波器观察NPN管共射单管放大器的输出电压波形如下图所示，判断该波形属于 截止 失真。 16. 下图是放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它的类型为NPN 型。
题15图 题16图
第五章
1. 下图所示的是某管子的转移特性曲线，则它是 N沟道耗尽型MOSFET 管。
2．
第六章 第七章
NMOS增强型场效应管在放大区的电流控制关系是iD?Kn(vGS?VT)2。
电流源电路的特点是直流电阻小，动态输出电阻 大 。
1. 为减小放大电路的输出电阻，应引入 并联 负反馈。 2. 为了稳定静态工作点，应引入 直流 负反馈。
3. 在反馈电路中，若∣1+AF∣>1，则为___负___反馈；若∣1+AF∣<1时,则为__正____反馈。 4. 下图所示电路的反馈极性是 正反馈 。
5. 为了稳定放大电路的输出电压，应引入 电压 负反馈；为了增大放大电路的输入电阻，应引入 串联 负反馈。 第八章
1. 双电源互补对称电路工作在乙类时，每只BJT的最大允许管耗PCM必须大于 0.2 Pom 。
2. 下图功放电路中VCC＝12V，RL=6Ω，则最大输出功率POM＝ 12 W ，最高转换效率为 78.5% 。 第九章
1. 希望获取频率为100HZ—500HZ的有用信号，应选用 带通 滤波电路。
2. 正弦波振荡电路主要有RC和LC型振荡电路两大类, RC型振荡电路一般用来产生 低 频信号，LC型振荡电路一般用来产生 高 频信号。
3. 在RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络中的电阻均为R，电容均为C，则其振荡频率fo?
1 。 2?RC4. 正弦波振荡器主要由放大电路、反馈网络、 选频 网络和稳压电路四部分组成。 第十章
在电子系统中，经常需要将交流电网电压转换为稳定的直流电压，为此要用整流、 滤波 和稳压等环节来实现。
三、单项选择题（每题2分,共20分） 第一章
1. 要使电压放大器具有较强的带负载能力，应减小放大器的哪个参数（C ）。
A. AV B. Ri C. Ro D. RL 第三章
1．N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。
A. 电子 B. 空穴 C. 三价元素 D. 五价元素 2. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A ）。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 不能确定 3. 晶体二极管具有（A ）特性。
A. 单向导电 B. 集电极电压饱和 C. 双向导电 D. 集电极电流截止 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定
5．
二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（C ）。
nUTU C. IS(enTU A. ISeU B. ISeU－1 )D. IS(eUnUT?1)
6
. 二极管两端加上正向电压后有一段\死区电压\。锗管为（ A ）V伏。
A. 0.1 B.0.3 C.0.4 D.0.7
7. 稳压管稳压是利用它的 特性，所以必须给稳压管外加 电压。（ C ）
A.单向导电，反向 B.反向击穿，正向 C.反向击穿，反向 D.单向导电，正向 8. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ A ）。
A.大 B.小 C.相等 D.无法确定 第四章
1. 在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，在中频通带范围内Vo和Vi的相位（ B ）。
A.同相 B.反相 C.相差90度 D.不确定 2. 晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏
3. 一个三极管放大电路，iB =60μA，iC = 2mA,β值为50，这个三极管工作在（ D ）状态。
A.放大 B. 击穿 C.截止 D. 饱和
4. 电路如图1所示，二极管为理想二极管，对二极管工作状态的判断及输出电压大小的确定均正确的是（ B A. 二极管D截止 Uo1?0V B. 二极管D导通 Uo1?2V C. 二极管D导通 Uo1?0V D. 二极管D截止 Uo1?2V
图1 图2
5. 已知某MOS场效应管的转移特性如图2所示，试判断该场效应管的类型为（ B ）。
A. N沟道增强型MOS场效应管 B. N沟道耗尽型MOS场效应管 C. P沟道增强型MOS场效应管 D. P沟道耗尽型MOS场效应管
6.
当信号频率等于放大电路的fL或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）。
A. 0.5倍 B. 0.7倍 C. 0.9倍 D. 1倍
7. 两级放大电路的带负载电压放大倍数分别是AV1=－10，AV2=－20，则此放大电路总的电压放大倍数应是（A. AV= －30
B. AV = －10 C. AV = 200 D. AV = -200
8. BJT三极管具有光敏性和热敏性的原因是由于（ B ）。
A. 只有一种载流子参与导电 B. 两种载流子参与导电且少子是由本证激发产生的 C. 电子、空穴两种载流子都参与导电 D. 两种载流子参与导电且多子是由本证激发产生的 9. 要使放大器具有较好的频率特性，应选用哪种放大组态（ D ）。
）。
）。 C
A. 共射极 B. 共源极 C. 共集电极 D. 共基极 10. 对于共集放大电路的特点，其错误的结论是（ B ）。
A. 电压放大倍数小于1且近似等于1 B. 电流放大倍数小于1且近似等于1 C. 输出电阻小，且与信号源内阻有关 D. 输入电阻大，且与负载有关
11. BJT三极管放大电路的三种组态中，因其输出电阻小而被用于多级放大电路输出级的是（ B ）。 A. 共射极 B. 共集电极 C. 共基极 D. 共源极
12．
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ B ）。
A. 耦合电容和旁路电容的存在 B. 半导体管极间电容和分布电容的存在
C. 半导体管的非线性特性 D. 放大电路的静态工作点不合适
14．考虑了带负载增益分别为20lgAV1?30dB，20lgAV2?30dB，20lgAV3?20dB的三级放大电路，则总的电压增益为（ B ）dB。
A. 1800 dB B. 80 dB C. 600 dB D. 60 dB
15
．多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是（ A ）。
A. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 增益最高的一级 16．某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为5V，1.3V, 1V,则这只三极管是（ B ）。
A. NPN型的硅管 B. NPN型的锗管 C. PNP型的硅管 D. PNP型的锗管 17.下面各电路器件符号，哪个表示的是晶体三极管？（ C ）。
A. B. C. D.
18.
工作在放大区的三极管，当iB从20μA增大至40μA时，iC从1mA变为2mA，其β值约为（ B ）。
A. 100 B. 50 C.500 D.1000
19.一个放大器输入端输入有效值为50mV的正弦交流电，从输出端测量其有效值电压为1V，则其电压放大倍数为（ D ）。
A. 1000 B.100 C.200 D. 20 20. 一个三极管若放弃集电极不用，那么基极和发射极之间可当作（ B ）器件使用。
A.晶体三极管 B.晶体二极管 C.固定电阻 D.大容量电容
21. 共集电极放大电路的放大倍数 ，而电流放大倍数 。（ C ）
A.≤1,很小 B.≥1,很大 C. ≤1, 很大 D. ≥1,很小
22
. 工作在放大区的三极管，已知值β=100,iB?20μA，iE约为（ B ）mA。
A.1 B.2 C.3 D.4
2324
第五章
. 一个单管放大器电源电压6V，发射结正向偏置后，若Vc约为0.6V，Ve为0.4V,若Vb为1.1V,则该放大器的
三极管可能处于（ B ）状态。
A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿
. BJT放大电路中既能放大电压，也能放大电流的是（ A ）组态放大电路。
A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定
1. 下述管子中输入电阻最高的管子为（ A ）。
A. MOS场效应管 B. BJT三极管 C. 结型场效应管 D. 二级管 2. 已知某MOS场效应管的转移特性如图3所示，试判断该场效应管的类型为（ A ）。
A. N沟道增强型MOS场效应管 B. N沟道耗尽型MOS场效应管
C. P沟道增强型MOS场效应管 D. P沟道耗尽型MOS场效应管
3. 场效应管是一种（ D ）的器件。 A. 电流控制的电流源 B. 电流控制的电压源 C. 电压控制的电压源 D. 电压控制的电流源 4. 结型场效应管利用删源极间所加的（ A ）来改变导电沟道的电阻。
A. 反偏电压 B. 反向电流 C. 正偏电压 D. 正向电流 5. 题13图示电路中，VT?1V，VGSQ?2V，Kn?0.2mAV2，则漏极电流IDQ?（ A ）。
A. 0.2mA B. 0.4mA C. 0.6mA D. 0.1mA 6. 设题14图示电路中漏源之间动态电阻rds??，则图示电路中电压增益Av=（ A ）。
A. ?gmRd B. gmRd C. 7. 题15图示转移特性曲线，则它是（ A ）管。
A. N沟道耗尽型MOSFET B. P沟道耗尽型MOSFET C. N沟道耗尽型JFET D. N沟道增强型JFET
VDDRg1ggmRdgR D. ?md
1?gmRd1?gmRdRddRdVDDiDmACb2svovi
dgCb1viRg2svo42-3-2-10vGSV
题13 图 题14 图 题15 图
第六章
1. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ A ）。
A. 减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 D. 减小放大倍数 2. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ D ）。
A. 可抑制温度漂移 B. 可使输入电阻减小
C. 可获得很大的放大倍数 D. 集成工艺难于制造大容量电容 3. 集成运放的中间级采用复合管放大电路是因为可以（ B ）。
A. 减小温漂 B. 提高放大倍数 C. 展宽通频带 D. 提高带载能力
4.
复合管的电流放大倍数约等于两个管子各自电流放大倍数的（ C ）。
A. 和 B. 差 C. 积 D. 商
5. 某一差动放大电路的输入vi1?10mV,vi2??5mV，则该差放的共模信号vc和差模信号vd分别为（ B ）。
A. 2.5mV，7.5mV B. 2.5mV，15mV C. -7.5mV，-2.5mV D. -15mV，5mV 6.运放的共模电压增益越小，表明运放的（D ）。
A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C..输入电阻越大 D抑制共模信号的能力越强 7. 通用型集成运放的输入级多采用（ D ）。
A. 共基接法 B. 共集接法 C. 共射接法 D. 差分接法 8. 差分放大电路中，当Vi1=300mV，Vi2=280mV，AVD=100，AVC=1时，输出电压为（ D ）。
A. 580mV B. 1.71V C. 2V D. 2.29V 第七章
1. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ D ）。
A. 输入信号中的干扰和噪声 B. 输入信号和放大电路中的干扰和噪声 C. 反馈环外引入的干扰和噪声 D. 产生于反馈环内的干扰和噪声
2.
在输入电量不变的情况下，若引入反馈后（ C ），则说明引入的反馈是正反馈。
A. 输入电阻增大 B. 输出量减小 C. 净输入电量增大 D. 净输入电量减小 3. 提高输入电阻，又可稳定输出电流的反馈组态是（ D ）。
A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流并联负反馈 D. 电流串联负反馈 4. 放大器引入直流负反馈可以（ D ）。
A. 稳定输出电流 B. 稳定输出电压 C. 稳定电压放大倍数 D. 稳定直流工作点 5. 对题9图示电路中交直流反馈的判断正确的是（ B ）。
A. 电压串联负反馈 B. 电压并联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈
6.
在稳定范围内放大电路引入的负反馈越强，则其（ D ）。
A. 放大倍数越大 B. 输入电阻越大 C. 输出电阻越小 D. 放大倍数的稳定性越强。 7. 欲得到一个压控电流源电路，应该引入的反馈类型为（ D ）。
A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈
C. 电流并联负反馈 D. 电流串联负反馈 8．既提高输入电阻，又可稳定输出电压的反馈组态是（ B ）。
A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈 9．放大电路如图1所示，要使静态工作点 Q上移, 应使（ C ）。
A. RL增大 B. RC增大 C. Rb减小 D. C2增大
图1 图2
10．判断图2电路中交流反馈的组态（ B ）。
A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈 11.希望接上负载RL后，Vo基本不变，应引入（ A ）负反馈。
A.电压 B.电流 C.串联 D.并联
12. 放大器引入电流串联负反馈可以（ A ）。
A. 稳定输出电流 B. 降低输入电阻 C. 降低输出电阻 D. 稳定电压放大倍数 13. 负反馈放大电路产生自激振的条件是（ C ）。
A. AF?1 B. AF?0 C. AF??1 D. AF??
14. 某负反馈放大电路的开环增益 A=100000,当反馈系数F =0.0004时,其闭环增益 Af 为（ A ）。
A. 2500 B. 2000 C. 1000 D. 1500
?????????15.
第八章
在反馈放大电路中，如果反馈信号和输出电压成正比，称为（ C ）反馈。
A. 电流 B. 串联 C. 电压 D. 并联
1. 在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中每个功放管的集电极最大功耗约为（ C ）。
A. 1 0W B. 20 W C. 0.2 W D. 0.4 W
2. 若图1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为UCES，则最大输出功率Pom为（ C ）。
1122(V?U)(VCC?UCES)22(V?U)CCCESCCCES(V?UCES)A. CC B. 2 C. 2 D.
RLRL2RL2RL
图1 图2
3. 电路图2中D1和D2管的作用是消除（ B ）。
A. 饱和失真 B. 交越失真 C. 截止失真 D. 线性失真 4.理想情况下，乙类双电源互补对称功放电路的最大输出功率为（ A ）。
A.VCC B.VCC C.VCC D.VCC
2RL4RLRL8RL 5. 为了消除交越失真，应当使功率放大电路工作在（ B ）状态。
A. 甲类 B. 甲乙类 C. 乙类 D.丙类 第九章
1．一个实际的正弦波振荡电路的组成为（ D ）。
A. 放大电路和反馈网络 B. 放大电路和选频网络
C. 放大电路、反馈网络和稳频网络 D. 放大电路、反馈网络、选频网络和稳幅环节 2. 有用信号频率高于500Hz，可选用（ B ）滤波电路。
A.低通 B.高通 C.带通 D.带阻。 3. 一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈，则（ C ）。
A. 一定会产生高频自激振荡 B. 有可能产生高频自激振荡 C. 一定不会产生高频自激振荡 D. 无法判定 第十章
10. 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ D ）。
A. 将直流变为交流 B. 将高频变为低频
C. 将低频变为高频 D. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉 9. 串联反馈型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（ B ）。
2222 A. 基准电压 B. 基准电压与采样电压之差
C. 采样电压 D. 基准电压与采样电压之和
12. 单相桥式整流电路中，设V2为变压器副边的有效值，则二极管所承受的最大反向截止电压为（ B ）。
A. V2 B.
2V2 C. 2V2 D. V22
四、作图题
1．电路如下图所示，稳压管为硅管，设其正向导通后其上压降0.7V，且稳定电压UΖ?8V。设U??15sin?tV，试画出输出电压Uo的波形，并标出幅值。
2．电路如下图所示，已知uI?5sin?t（V），二极管为理想二极管，试画出uo的波形并标出其幅值。
3．电路如下图所示，已知ui?5sin?t（V），二极管导通电压uD?0.7V，试画出uo的波形，并标出幅值。
4．电路如下图所示，稳压管的稳定电压uZ?3V，R的取值合适，uI的波形如右图所示。试画出uo的波形。
5．某放大电路Av的对数幅频特性图如下图所示，则该电路的上限截止频率为 108HZ ，下限截止频率为
102HZ 。通带增益为 80 dB。
?
6
．已知某N沟道耗尽型MOS场效应管的转移特性和输出特性如下图所示，由图可知夹断电压VGS= -5 V；
饱和漏极电流IDSS= 2 mA。
7
．某放大电路的直流负载线如图所示，已知 IBQ?20μA，（1）在图中标出Q点位置；（2）由Q点读
出ICQ= 1 mA；
VCEQ? 3 V。
iCmA2.52.01.550μA40μA30μA20μAiB?10μA1.02.03.04.05.06.0vCEV
1.00.50五、计算题 第二章
1. 电路如下图所示，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。
由运放的“虚断”特性有：vP?vi
在运放的同向输入端由虚短”特性有：iR?iRf
vivo?vn? RRf再由“虚短”特性有：vn?vp?vi
?Rvo??1?fR???vi ?2. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求：（1）集成运放A1、A2、A3是否为线性应用？A1、A2、A3分别组成何种运算电路？（2）分别列出VA、VB、Vo1、Vo2的电压方程；（3）求电路输出电压与输入电压的运算关系。
、 (1) 是线性运用；A1、A2为电压跟随器，A3构成求差电路
(2) vo1?vA?R1vi?vi， R?R2 vo2?vB?R1vi?vi
R?R(1??)2??(3) vo?R2R??(vo2?v01)?2vi R1R12(2??)
3. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。（10分）
在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性in?0，有iR1?iR2 即
vi?vnu?nv? M （1）
R1R2在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚短特性有：vn?vp?0 （2） 在M点，有 i2?i4?i3
，即
0?vM0?vMvM?vo?? （3） R2R4R3联立（1）（2）（3）式有vo??R2?R3??R2R3/R4?vi??104vi
R14. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求电路的输出电压与输入电压的运算关系 。
在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性in?0，有iR1?iRf
即
vi1?vnvn?vo? （1） R1Rf 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性ip?0，有
vi2?vPvP?（2） R1Rf 再利用理想运放的虚短特性有：vn?vp （3） 联立（1）（2）（3）式得 vO?Rf(vi2?vi1)?8 (vi2?vi1) R15. 电路如下图所示，假设运放是理想的，电容的初始电压vc?0??0。（1）集成运放A1、A2是否为线性应用？A1、A2分别组成什么运算电路？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系。
（1）集成运放A1、A2是线性应用，运放A1组成差分式运算电路，A2组成积分电路； （2） vO1?(R3RR)(1?f)vi2?f?vi1 R2?R3R1R11?vo1vi3? 集成运放A2组成积分电路： vO??????dt
C?RR4? vO??vi3?Rf1??R1?Rf??R3?v?v?dt ????i2i1???C?RR1?R2?R3?RR1R4?6. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求：（1）集成运放A是否为线性应用？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系。
（1）集成运放A是线性应用。
（2）在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性in?0，有
iR1?iR2?iRf
即
vi1?vnvi2?vnvn?vo?? （1） R1R2Rf 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性ip?0，有vp?vi3
再利用理想运放的虚短特性有：vn?vp?vi3 （2） 将（2）式代入（1）式得
RfRfRfRfvO???vi1??vi2??vi3?vi3?vi3??2vi1?2vi2?5vi3
R1R2R1R2
7. 电路如下图所示，其中R1?R2?40??，Rf?80??，R3?R4?20??，假设运放是理想的，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。
在集成运放1的反相输入端，利用理想运放的虚断特性in1?0，有iR1?iR2?iRf 即
vi1?vn1v?vi2vnn1?1vo?? （1） R1R2Rf 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性iP1?0，
有vP1?R4vi3 （2）
R3?R4 再利用理想运放的虚短特性有：vn1?vp1 （3） 联立（1）（2）（3）式得 vO1??Rf(vi1vi2RfR4?)?(1?)??vi3 R1R2R1∥R2R3?R4 集成运放2组成积分电路： vO?? vO??1vO1dt ?RCvi1vi2RfR114vdt???R(?)?(1?)??v?O1f??RCRCR1R2R∥1R2R?R3?idt3
48. 试求下图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。
在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性ip?0有：
vi1?vPvP?vi3? （1） R2R3 在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性in?0，有
vi1?vnvn?vo? （2） R1Rf 再利用理想运放的虚短特性有：vp?vn （3） 联立（1）（2）（3）式得 vO??RfRR?vi1?f?vi2?f?vi3??10vi1?10vi2?vi3 R1R2R39. 电路如下图所示，假设运放是理想的，电容的初始储能为零。试求电路的输出电压与输入电压的运算关系 。
由运放的虚短特性有：vn?vp?0
在运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性iN?0，有IR1?IC?1vidt??1000?vidt ?R1Cvi R1vo??
10. 电路如下图所示，（1）试求u?的表达式; （2）试求uo与uI1、uI2、uI3的运算关系。
在运放A4的反相输入端，利用理想运放的虚断特性in4?0，有vn4?R31vo?vo
R3?R431A1、A2、A3的输出电压分别为vI1、vI2、vI3。 在集成运放A4的同相输入端，利用理想运放的虚断特性
iP4?0有：
vI1?vP4vI2?vP4vI3?vP4vP4??? （1） R1R1R1R2由运放的虚短特性有：vn4?vp4?联立（1）（2）式得： vO?1vo （2） 31R4(vI1?vI2?v)I3?10 (v?v ) I 3 I1v?I2 R1第三章
1.
已知下图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。（1）
分别计算UI为10V、15V两种情况下输出电压Uo的值；（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
（1）当VI＝10V时，若Vo＝VZ＝6V，则稳压管的电流为小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故 VO?RL?VI?3.33V R?RL?10?6?V?4mA1K?，
当VI＝15V时，若Vo＝VZ＝6V，则流过限流电阻的电流为
?15?6?V?9mA1K?，流过电阻RL的电流为
6V?12mA 500?稳压管中的电流IZ?9mA-12mA=-3mA ，所以稳压管未被反向击穿，没工作在稳压状态。……1分 所以VO?RL?VI=5V R?RL （2）IDZ?(VI?VZ)R?29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
2
. 已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。试求下图所示电路中
电阻R的取值范围。
稳压管的最大稳定电流
IZM＝PZM/VZ＝25mA
电阻R的电流为IZM～IZmin
所以其取值范围为 R?
VI?VZ?0.36～1.8k? IZ3. 下图所示为恒流源电路，已知稳压管工作在稳压状态，试求（1）uN??；（2）负载电阻RL中的电流。
在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性iP?0有： vP?VZ?6V 由运放的虚短特性有：vN?vP?VZ?6V
在运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性iN?0，有
IL?IR2?vN6V??0.6mA R210k?第四章
1
.
VCC电路计算题1图示，已知：Rb1?5??，Rb2?25??，Re?1??,Rf?300??12V，Rc?RL?5??，
晶体管的??100，rbb'?100?。（1）求VBQ、IEQ、IBQ、VCEQ；（2）画出小信号等效模型；（3）
求AV、Ri和Ro。（4）若电容Ce开路，则Av、Ri如何变化。
(1)静态分析：
VBQ?Rb1?VCC?2V Rb1?Rb2IEQ?VBQ?VBEQRf?ReIEQ1???1mA
IBQ?VCEQ?VCC?IEQ(Rc?Rf?Re)?5.7V
?10 μA
(2)小信号等效电路为：
(3)动态分析：
rbe?rbb'?(1??)26mV?2.73k? IEQAv???(Rc∥RL)??7.7
rbe?(1??)RfRi?Rb1∥Rb2∥[rbe?(1??)Rf]?3.7k? Ro?Rc?5k?
(4) Ri增大；Av减小
2.
已知晶体管的?＝80，rbe=1kΩ。（1）求出Q点；（2）求RL＝3kΩ时电
?和R；路的AVi（3）求出Ro。
（1）求解Q点：
IBQ?VCC?VBEQRb?(1??)Re?32.3μA
IEQ?(1??)IBQ?2.61mAVCEQ?VCC?IEQRe?7.17V （2）求解输入电阻和电压放大倍数： RL＝3kΩ时
? Ri?R∥b[rb?e(1?)∥(ReRL)?] 7? 6 k Av?(1??)(Re∥RL)?0.992 ……3分
rbe?(1??)(Re∥RL) （3）求解输出电阻：Ro?Re∥Rs∥Rb?rbe?37?
1??3. 放大电路如下图所示，已知：VCC?10V，Rb1?15??，Rb2?20??，Rc?2??，Re?2??,RL?2??
电流放大系数??100。电路中电容容量足够大，要求：（1）求静态值IB，IC，UCE；（2）画出放大电路的小信号等效电路；（3）求电压放大倍数AV ，输入电阻Ri，输出电阻Ro 。
（1）静态分析 VBQ?Rb1VCC?4.3V
Rb1?Rb2 ICQ?I VCVBQ?V?EQReBEQ A ?1.8mEQ?VC?CI?CQ R??cR2?.e8 VIBQ?ICQ??18μA
（2）放大电路的小信号等效电路如下：
（3）动态分析：
rbe?rbb'?(1??)26mV?1.66k?
IEQAv????Rc//RL?rbe??60
Ri?Rb1∥Rb2∥rbe?1.39
Ro?Rc?2k?
4. 放大电路如下图所示，设??80，VBE?0.6V，ICEO，VCES可忽略不计，试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时。BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流IC。
（1）S与A相连时：IB??12?0.6?V?0.0003A
40?103
而IBS?ICSVCC?RC???0.038mA
故此时BJT工作在饱和区
IC?VCC?3mA RC S与B相连时：IB12?0.6?V???0.000023A=0.023mA500?103
有IB?IBS，故此时BJT工作在放大区，IC??IB?1.84mA。
S与C相连时, BJT工作在截止区，IC?0。
5. 放大电路如图所示，已知：VCC?18V，Rb1?16??，Rb2?56??，Rc?6??，Re?3.3??,
RL?6?? ，电流放大系数??100，UBE?0.7V,UCES?0.7V。电路中电容容量足够大，要求：
（1）求静态值IB，IC，UCE；（2）用图解法求静态工作点Q；并画出交流负载线；（3）信号增大过程中，输出首先出现何种失真？怎样消除？（4）画出放大电路的小信号等效电路；（5）求电压放大倍数 AV ，输入电阻Ri，输出电阻Ro 。
（1）静态分析
Rb1VBQ??VCC?4V RRb1VBQ??Rb2b1?VCC?4V Rb1?Rb2VBQ?VBEQIEQ??U1mAUBQ?BEQ?1mA IEQ?Re ReIIBQ?EQ?I10 μA 1???EQ?10 μA IBQ1??VCEQ?VCC?IEQ(Rc?Rf?Re)?8.7VVCEQ?VCC?IEQ(Rc?Rf?Re)?8.7V
（2）作出交、直流负载线如下：
（3）信号增大过程中，输出首先出现截止失真；为消除截止失真可使Q点上移，减小Rb1可达到此目的。 （4）放大电路的小信号等效电路如下：
（5）动态分析：
rbe?rbb'?(1??)26mV?2.7k? IEQAv???(Rc∥RL)rbe??111
Ri?Rb1∥Rb2∥rbe?2.2k? Ro?Rc?6k?
6. 设右图所示电路所加输入电压为正弦波。试问：
?=U?=U?/U?/U?≈? A?≈? （1）Au1o1u2o2ii（2）由输入电压ui波形画出输出电压uo1、uo2 的波形。
（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为
Av1??? RcR?－c??1
rbe?(1??)ReReAv2?(1??)Re?1
rbe?(1??)Re（2）两个电压放大倍数说明vo1??vi，vo2?vi。波形如右图所示。
7. 电路如图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。（1）利用图解法求出RL＝∞时的静态工作点；（2）Rb开路时用直流电压表测晶体管的集电极电位应为多少？。
（1）由IBQ?VBB?VBEQRb得IBQ＝20μA
利用图解法作出直流负载线求得ICQ＝2mA，VCEQ＝6V；
（2）Rb开路时用直流电压表测晶体管的集电极电位应为12V。
8.
（1）画出下图所示电路的直流通路和交流通路，设所有电容对交流信号均可视为短路；（2）试写出求所示
?、Ri和Ro 的表达式。 电路Q点的表达式、Au（1）所示电路的直流通路和交流通路如下图所示：
直流通路 交流通路 （2）Q点为
VCC?VBEQIBQ? R1?R2?(1??)R3 ICQ?? IBQ
VCEQ?VCC?(1??)IBQRcAv、Ri和Ro的表达式分别为
Av???R2∥R3 rbe Ri?rbe∥R1
Ro?R2∥R3
9
.已知下图所示电路中晶体管的? ＝100，rbe=1kΩ。（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；（2）
?的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？ ?和U若测得Uoi （1）求解Rb
ICQ?VCC?VRcICQCEQ?2mA
IBQ???20μA
Rb?（2）求解RL：
Av?VCC?VBEQIBQ?565k?
vo??100 vi Av??'? RLrbe =-100
' RL?1k?
11??1 RL?1.5k? RcRL10.
在下图所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图（a）、（b）、（c）
所示，试说明电路分别产生了什么失真？在不改变输入信号的条件下如何消除？
（a）饱和失真; 增大Rb;减小Rc（b）截止失真; 减小Rb（c）同时出现饱和失真和截止失真; 增大VCC
11
. 某放大电路的交流通路如下图所示，（1）试画出该放大电路的小信号等效
?、Ri和Ro 的表达式。 模型；（2）试求该放大电路的Au（1）该放大电路的小信号等效模型如下：
（2）Av、Ri和Ro的表达式分别为：
Av???R2∥R3 rbe Ri?rbe∥R1
Ro?R2∥R3
第六章
1.
电路如下图所示，图中两管子参数相同。其中VCC?15V，R?14.3?，VBE?0.7V，求IC2。
T1、T2组成镜像电流源，
V?VBE15V?0.7V??1mA IC2?IREF?CCR14.3k?
第七章
1. 电路如下图所示，（1）判断图示电路中级间交流反馈的组态?（2）计算闭环反馈系数Fg和深度负反馈时闭环电压增益Avf。
(1) 电压并联负反馈 (2) Fg?ifvo??1R2
深度负反馈时，满足虚短和虚断，因此，
R2 R1vi0?vo? R1R2所以Avf??
2. 电路如下图所示，（1）判断电路中级间交流反馈的组态；并定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响；（2）求反馈系数Fv；（3）试求在深度负反馈下，放大电路的增益AVF。
（1）电路引入中的反馈组态为电压串联负反馈；
引入反馈后，使输入电阻增大，输出电阻减小。
（2）反馈系数Fv?vfR1?； voR1?R2vovo1R???1?2 vivfFR1（3）在深度负反馈下，放大电路的增益 Avf?3. 电路如下图所示，（1）判断电路中级间反馈的组态；并定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响； （2）求反馈系数Fg； （3）试求在深度负反馈下，放大电路的增益Arf、Avf。
（1）电路引入中的反馈组态为电压并联负反馈；
引入反馈后，使输入电阻减小，输出电阻减小。
（2）反馈系数Fg?if1??； voR4（3）在深度负反馈下，放大电路的增益Arf?vovvR?o?o??4 viiiR1ifR1R1vovo1????R4 iiifFAvf?4. 电路如下图所示：（1）判断电路中级间反馈的组态；定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响；（2）试求反馈
系数FV；（3）在深度负反馈下，试求放大电路电压增益Avf的表达式。
（1）电路引入中的反馈组态为电压串联负反馈；
引入反馈后，使输入电阻增大，输出电阻减小。
（2） 反馈系数Fv?vfR4?； voR4?R7vovo1R???1?7 vivfFvR4（3）在深度负反馈下，放大电路的增益 Avf?5. 电路如下图所示，（1）判断电路中级间反馈的组态；并定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响；（2）求反馈系数FV；（3）试求在深度负反馈下，放大电路的增益AVF。
（1）电路引入中的反馈组态为电压串联负反馈；
引入反馈后，使输入电阻增大，输出电阻减小。
（2）反馈系数Fv?R1；
R1?R4R1?1?4 FR1（3）在深度负反馈下，放大电路的增益Avf?
6. 电路如下图所示，（1）判断电路中级间反馈的组态；并定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响；（2）求反馈系数；（3）试求在深度负反馈下，放大电路的增益AVF。
(1) 电压串联负反馈；引入该组态负反馈后使输入电阻增大和输
出电阻减小
(2) Fv?vfR1? voR1?R2深度负反馈时，有vi?vf， 所以Avf?
7. 电路如下图所示，（1）判断电路中级间反馈的组态；并定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响；（2）求反馈系数Fi；（3）试求在深度负反馈下，放大电路的增益AIF。
（1）电路引入中的反馈组态为电流并联负反馈；
引入反馈后，使输入电阻减小，输出电阻增大。
（2）反馈系数Fi?R5if?； ioR2?R5ioio1R???1?2 iiifFiR5vovoR??1?2 vivfR1（3）在深度负反馈下，放大电路的增益Aif?
8. 电路如下图所示，（1）电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还
是负反馈；（2）如果去掉电容，判断电路中反馈的组态；并定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响；（3）在去掉电容的情况下，试求在深度负反馈下，放大电路的互阻增益Arf、Avf。
（1）电路中引入了反馈，直流反馈，负反馈； （2）电路引入中的反馈组态为电压并联负反馈；
引入反馈后，使输入电阻减小，输出电阻减小。
（3）在深度负反馈下，放大电路的增益Arf?uouo1?????R2?R3? iiifFgAvf??R?R3? vovov??o??2viiiR1ifR1R19. 电路如下图所示，（1）判断电路中反馈的组态；并定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响；（2）求反馈系数Fg；（3）试求在深度负反馈下，放大电路的增益Arf。
（1）电路引入中的反馈组态为电压并联负反馈；
引入反馈后，使输入电阻减小，输出电阻减小。
（2）求反馈系数Fg?if1?? voRf （3）在深度负反馈下，放大电路的增益Arf?vovo1????Rf iiifFg 第八章
1. OTL互补对称功放如下图所示，设电容C足够大，三极管的饱和电压降VCES=1V, VCC?12V，RL?8?。问：(1)按功放分类电路中T1、 T2的工作方式为甲类、乙类、甲乙类中的哪一类？(2)静态时，电容C2两端电压应是多少？(3)动态时，输出电压出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调节？
(1)电路中T1、T2的导通角?
(3) 动态时，输出电压出现交越失真，应调整电阻R2,应增大R2。
2.
OTL互补对称功放如下图所示，设电容C足够大，三极管的饱和电压降VCES=1V, Vcc?15V，RL?6.5?。问：
(1)功率放大电路中T1、 T2的工作方式为甲类、乙类、甲乙类中的哪一类；(2)电阻R2和D1、D2的作用；(3)试求负载RL上得到的最大不失真输出功率Pomax。
(1)电路中T1、T2的导通角?
(2)为T1、T2管提供静态偏置电压，动态情况下可消除 Vi幅度较小时小于三极管的死区电压而引起的交越失真； (3)最大不失真输出功率为：
P0max1VCC?VCES(2)2?1VCC?VCES2??2RL2RL?2?3.25W
3. 已知电路如下图所示，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝3V，VCC＝15V， RL＝8Ω，（1）试分析电路中D1和D2管的作用；（2）求静态时，晶体管发射极电位UEQ；（3）求最大输出功率POM。
（1）电路中D1和D2管的作用是消除交越失真；
（2）静态时，晶体管发射极电位VEQ=0； （3）最大输出功率Pom
4. 下图所示电路中，已知二极管的导通电压VD＝0.7V，晶体管导通时的VBE＝0.7V，T2和
VCC?VCES???2RL2?9W。
T4管发射极静态电位VEQ=0V，试求：（1）T1、T3和T5管基极的静态电位各为多少？（2）R3、D1、D2在电路中的作用是什么？（3）设R2?10k?，若T1和T3管基极的静态电流可忽略不计，则T5管集电极静态电流为多少？
（1）T1、T3和T5管基极的静态电位分别为：VB1＝1.4V VB3＝－0.7V
BB5＝－17.3V；
（2）R3、D1、D2在电路中的作用是消除交越失真； （3）静态时T5管集电极电流为： ICQ?VCC?VR2B1?1.66mA
5.
在下图所示电路中，已知VCC＝16V，RL＝4Ω，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V，输入电压足够大。试问：
（1）最大输出功率Pom和效率η各为多少？（2）每个晶体管的最大功耗PTmax为多少？（3）为了使输出功率达到Pom，输入电压的有效值约为多少？
（1）最大输出功率和效率分别为 Pom?(VCC?V2RL???2CES)?24.5W
πVCC?VCES?69.8%
4VCC（2）晶体管的最大管耗
PTmax?0.2PoM20.2?VCC??6.4W2RL
（3）输出功率为Pom时的输入电压有效值
vi?vom?VCC?VCES2?9.9V
第九章
1. 已知RC串并联网络的幅频特性如(a)图所示，相频特性如(b)图所示，（1）判断下图所示电路是否可能产生正弦波振荡，并简述理由；（2）写出振荡时应满足的相位平衡条件；（3）为改变振荡电路产生的信号频率可通过改变哪些元件
的值来调节？
（a） （b）
所示电路有可能产生正弦波振荡；因为放大电路输出电压和输入电压同相（?a?0o），且图中RC串并联网络
在信号频率为0到无穷大时相移范围为-90?～+90?，因此存在使相移为0?（?f?0o）的频率，即存在满足正弦波振荡相位条件的频率f0 （此时?a??f?0o）；且在f＝f0时有可能满足起振条件AF＞1，故可能产生正弦波振荡。
振荡时应满足的相位条件为：?a??f?2n? n=0,1,2…； 可通过改变电阻R或电容C的值来调节产生信号的频率。
2. 已知RC串并联网络的幅频特性如(a)图所示，相频特性如(b)图所示。（1）判断下图所示电路是否可能产生正弦波振荡；如果能产生正弦波振荡，写出振荡频率的表达式；（2）写出起振时应满足的幅值条件；（3）起振时Rf与R1应满足何种关系？
（a） （b） （1）所示电路有可能产生正弦波振荡；
振荡频率为fo?（2）起振时应满足幅值条件：AF（3）起振时：Rf?2R1。
3. 电路如下图所示，试求解：（1）满足起振条件时RW的下限值；（2）振荡频率的调节范围。
''＞2R，RW＞2kΩ。 （1）根据起振条件AF?1，有 Rf?RW1 ； 2?RC???1。
故RW的下限值为2kΩ。 （2）振荡频率的最大值和最小值分别为
f0max?f01?1.6kHz 2 πR1C1?145Hz
2 π(R1?R2)Cmi?n振荡频率的调节范围为：f0min?f?fomax
第十章
1. 直流稳压电源电路如下图所示，（1）说明电路的整流电路、滤波电路、采样电路各由哪些元件组成；（2）在图上标出集成运放的同相输入端和反相输入端；（3）写出输出电压的范围。
(1)整流电路D1～D4；滤波电路C1，C2；采样电路R1、R2、R3。 (2)采样输入端为负，基准电压输入端为正
R?R2?R3(3)
VOmin?1VZ1R2?R1VOmax?R1?R2?R3VZ1R4
?R3??R2?2. 电路如下图所示，设V32?V??，试证明Vo?V????1?R??。 ?R?R???4??1??3由电路可得 VREF?R1?Vo R1?R2R3V?? R3?R4VREF?由以上公式可得
VO?R3?R2??1???V??
R3?R4?R3?3. 设W7812的输出为UREF，试求：（1）下图所示电路输出电压Uo与UREF的关系式；（2）求输出电压Uo的最大值及最小值。
W7812的输出为VREF，设电阻R2由上端部分电阻为R2?，由电路可得
VREFR2??R1??Vo R1?R2?R3输出电压的表达式
Vo?R2?R1?R3?VREF ?R?R12Vomax?R2?R1?R3?VREF R1Vomin?R2?R1?R3?VREF
R1?R2输出电压的取值范围为
R1?R2?R3R?R2?R3?VREF?VO?1?VREF
R1?R2R14. 直流稳压电源电路如下图所示，试求:
（1）写明整流电路、滤波电路、基准电压电路、比较放大电路、采样电路、调整电路等部分各由哪些元件组成； （2）计算输出电压的最大值和最小值。
（1）D1~D4为整流电路；C1、C2为滤波电路；DZ1和R2为基准电路；A为比较放大电路； R3、R4、RP为采样电路；
T1、T2为调整电路。 （2）输出电压的最大值为 VOmaxR3?RP?R4??VDZ1?18V
R4R3?RP?R4?VDZ1?6V 输出电压的最小值为 VOmin?R4?RP5. 设W7812的输出为UREF，试求（1）下图所示电路输出电压Uo与UREF的关系式；（2）求输出电压的最大值及最小值。
W7812的输出为VREF，基准电压
VR2?R2?VREF
R1?R2 VR3?R3???Vo R3?R4?R53 利用运放的“虚短”特性有：VR2?VR?
则输出电压
的表达式为
Vo?R3?R4?R5R2.?VREF R?R?R312VOmax?R3?R4?R5R2.?VREF
R3R1?R2VOmin?R3?R4?R5R2.?VREF
R3?R4R1?R26.
在下图所示电路中， (1)调整管为 T1 ，采样电路由 R1、R2、R3 组成，基准电压电路由R、DZ 组成， 比较放大电路由T2、Rc 组成， 保护电路由 R0、T3 组成；(2) 设稳压管DZ的稳压值为UZ，设滑动
电阻R2的下部分电阻值为R2?，T2 管发射极上压降可忽略不计，求输出电压Uo的表达式。
(2) 忽略T2 管发射极上压降有：VO?R1?R2?R3?VZ。
R2??R3（求解过程略）