试卷编号 01
……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分):
1. 整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________;滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。
2. 在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的,漂移运动是_______内电场的电场力___
作用下产生的。
3. 放大器有两种不同性质的失真,分别是____线性______失真和非线性__________失真。
4. 在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响;使高频区电压增益下
降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。
5. 在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________;引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失
真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。
6. 正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组
成。
7. 某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__100________,总的放大倍
数为__________。
8. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻Re对__差模输入________信号的放大无影响,对_共模输入_________
信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比KCMR为_差模增益与共模增益_________之比。
9. 某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为____37______dB。
二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、( y )构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、( y )稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、( y )在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、(n )若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、( yn )通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、( n )一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、( y n)根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、( y)要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、( y)在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、( y n)在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分):
1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是( A )
A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻Rb的值( C )。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re( B )。
A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为( C )。
A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是( A )。
A . 交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是( D )。
A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适;
C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是( A )。
A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零; B.输入信号为零时,输出处于零电位; C.频带宽度从零到无穷大; D.开环电压放大倍数无穷大
8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,ICEO=200μA;T2的β=100,ICEO=10μA;T3的β=10,ICEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选( B )
A. T1管; B. T2管; C. T3管 9.交流反馈是指( C )
A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈; B.变压器耦合电路中的负反馈; C.交流通路中的负反馈; D.放大正弦信号时才有的负反馈; 10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和( D )
A. 基本共射放大电路; B. 基本共集放大电路; C. 反相比例运算电路; D. 同相比例运算电路; 四、分析与计算(本题共50分):
1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。
2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值Uo的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容虚焊时;(3)RL开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。
3.(本小题12分) 如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,RL=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱和管压降UCES=0V,Uo=-10V。(1)合理连接反馈电阻R2;(2)设A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率Pom;(3)估算单个三极管的最大集电极耗散功率PCM值。
4.(本小题18分) 电路图5中,C1、C3和CE的容量足够大,晶体管的β=50,rbb’=200Ω,VBEQ=0.7V,RS=2kΩ,RB1=25kΩ,RB2=5kΩ,RC=5kΩ,RL=5kΩ,RE1=1.7kΩ,RE2=300Ω,VCC=12V。计算:(1)电路的静态工作点;(2)电压放大倍数A uS、
输入电阻Ri和输出电阻RO。
图1 图2
图3 图4
图5
试卷编号 02
……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共18分,每空1分):
1.本征半导体中,自由电子浓度___等于_____空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度__小于______空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度_大于_______空穴浓度。 2.放大电路中,测得三极管三个电极1,2,3的电位为U1?3.5V,U2?2.8V,U3?12V;则该三极管是________型,电极1为________,2为________,3为________。
3.射极输出器的特点是:电压放大倍数 近似为1________,输入电阻__大______,输出电阻_小_______。 4.半导体三极管属___电流_____控制器件,而场效应管属__电压______控制器件。 5.正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是
???__1______,φ+φ=____2nπ____。 AFAB6.若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流,应选用_电流串联负反馈_______反馈。
?=__1/3______,7.文氏电桥正弦波振荡器用__RC串并联______网络选频,当这种电路产生振荡时,该选频网络的反馈系数F?F=____0____。
二、简答(本题共10分,每小题5分):
1.什么是零点漂移,产生的原因是什么,抑制零点漂移最有效的方法是什么?
直接耦合放大电路中,前级放大器器件参数随温度发生缓慢变化,使工作点随机漂移,这种漂移被后级逐级放大,从而在输出端产生
零点漂移。抑制零漂最有效的方法是采用差分电路。 2.什么是交越失真,如何克服交越失真?
由于三极管存在死区电压,在OCL电路中,工作于乙类时,输入信号在过零时,将产生失真,称为交越失真。克服交越失真的方法是使管子处于微导通状态。
三、分析与计算(本题共72分): 1.(本小题15分) 放大电路如图示1,Rb1?8k?,Rb2?52k?,RC=8.7kΩ,Re=1.3KΩ,rbb?UBE=0.7V,电容容量足够大,求:
⑴静态工作点;⑵电压放大倍数Au;⑶输入电阻Ri和Ro;⑷若RS=1kΩ,求Aus;⑸若Ce开路,求Au。 2.(本小题12分) 电路如图2所示,
?300?,+VCC=+15V,β=20,
Rb1?Rb2?5k?,RC1?RC2?30k?,Re?20k?,T1和T2的性能一致,
?VCC??15V,?VEE??15V;rbe1?rbe2?4k?,?1??2?50;试求:
⑴:求Aud,Rid;⑵:电路改成从T2的集电极与地之间输出时Aud
图1 图2
3.(本小题15分) 电路如图3所示,已知:VCC
?20V,?VCC??20V,RL?8?,输入电压ui?102sinwt(V),T1和T2的性能一致,死区影响和UCES均可忽略。试求:输出功率Po,电源消耗功率PV及能量转换效率η,每管功耗PT。
4.(本小题15分) 反馈电路如图4所示,试回答: ⑴:该电路引入了何种反馈(极性和组态);
⑵:该反馈对输入和输出电阻有何影响(增大或减小); ⑶:在深度负反馈条件下,求电压增益Auf。
图3 图4
5.(本小题15分) 电路如图5所示,集成运放均为理想运放,试写出输出电压Uo1,Uo2,Uo的表达式。
图5
试卷编号 03
……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空(本题共20分,每空1分):
1、构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有 单向导电 和反向击穿 特性。 2、稳压二极管根据击穿机理可以分为 齐纳 击穿和雪崩 击穿。
3、三极管正常工作(起放大作用)必须具备的两个外部条件是 反射级正偏 和 集电极反偏 。
4、多级放大电路内部各级之间常用的耦合方式有 直接 耦合、 变压器 耦合和 阻容 耦合。 5、在集成电路中,高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的 电流源 电路来代替。
6、乙类互补对称功率放大电路的输出波形会出现 交越失真 ,在整个信号周期内,三极管的导通角θ等于 180度 。 7、在集成运放中,一般采用差分放大电路来克服 零点漂移 现象。
8、负反馈放大电路产生自激振荡的主要原因是在低频或高频段的 附加相移 ,要消除它,则必须采用频率补偿 的方法来破坏电路自激振荡的条件。
9、在深度负反馈条件下,闭环增益主要取决于 反馈系数 ,而与开环增益基本无关。
10、正弦波振荡电路主要由 放大电路 、正反馈网络 、 选频网络 和稳幅电路 这四个部分组成。 二、单项选择(本题共20分,每小题2分):
1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将( A )。
A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零
2.当稳压管在正常稳压工作时,其两端施加的外部电压的特点为(C )。
A 反向偏置但不击穿 B 正向偏置但不击穿 C 反向偏置且被击穿 D 正向偏置且被击穿 3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是(C )。
A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4.差动放大电路的主要特点是(A )。
A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号
C有效放大共模信号,有力抑制差模信号;D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。 5.互补输出级采用射极输出方式是为了使( B D)。
A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为( A C )。
A 可获得较高增益 B 可使温漂变小
C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是( B )。
A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适
8.当信号频率等于放大电路的fL和fH时,放大倍数的数值将下降到中频时的( A B)。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 9.在输入量不变的情况下,若引入反馈后( D ),则说明引入的是负反馈。
A输入电阻增大 B输出量增大 C 净输入量增大 D净输入量减小
10. 在RC桥式正弦波振荡电路中,当相位平衡条件满足时,放大电路的电压放大倍数( A D)时电路可以起振。 A 等于1/3 B 等于1 C 等于3 D 略大于3 三、分析与计算(本题共60分):
1.(本小题20分) 如图1所示电路中,设电路中VCC=12V,各个电容的容量足够大,Rb1=Rc=RL=5 kΩ,Rb2=25 kΩ,Re=1 kΩ,Rf=300Ω,晶体管的β=100,UBE=0.7V,rbb’=100Ω。 (1)估算电路静态工作点;
(2)画出简化的h参数等效电路;
(3)计算电压放大倍数A u、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
2.(本小题10分) 电路如图2所示,其中A1、A2、A3、A4均为理想运放,试推导出输出电压uO与输入电压uI1、uI2的关系式。