2.17 设图P2.17所示电路所加输入电压为正弦波。试问:
图P2.17
?=U?=U?≈? A?≈? ?/U?/U(1)Aiiu1o1u2o2(2) 画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2 的波形; 解:(1)因为通常β>>1,所以电压放大倍数分别应为
? RcR?-c??1 rbe?(1??)ReRe
(1??)Re??A??1 u2rbe?(1??)Re???Au1(3) 两个电压放大倍数说明 uo1≈-ui,uo2≈ui。波形如理下图所示。
2.18 电路如图P2.18所示,晶体管的?=80,rbe=1kΩ。 (1)求出Q点;
?和Ri; (2)分别求出RL=∞和RL=3kΩ时电路的Au (3)求出Ro。
图P2.18
解:(1)求解Q点:
IBQ?VCC?UBEQRb?(1??)Re?32.3μA
IEQ?(1??)IBQ?2.61mAUCEQ?VCC?IEQRe?7.17V (2)求解输入电阻和电压放大倍数:
RL=∞时
Ri?Rb∥[rbe?(1??)Re]?110k?
??Au(1??)Re?0.996rbe?(1??)Re
RL=3kΩ时
Ri?Rb∥[rbe?(1??)(Re∥RL)]?76k?
?? Au(1??)(Re∥RL)?0.992rbe?(1??)(Re∥RL)
(3)求解输出电阻: Ro?Re∥Rs∥Rb?rbe?37?
1??2.19 电路如图P2.19所示,晶体管的?=60,rbb'=100Ω。
?、Ri和Ro; (1)求解Q点、Au (2)设Us=10mV(有效值),问Ui=?Uo=?若C3开路,则Ui=?Uo=?
图P2.19
解:(1)Q点:
IBQ?VCC?UBEQRb?(1??)Re?31μ A
ICQ?? IBQ?1.86mA UCEQ?VCC?IEQ(Rc?Re)?4.56V?、Ri和Ro的分析: Au rbe?rbb'?(1??)
26mV?952?IEQ
Ri?Rb∥rbe?952???? Au?(Rc∥RL)rbe??95 Ro?Rc?3k? (2)设Us=10mV(有效值),则
Ri?Us?3.2mVRs?Ri ?U?304mV Uo?Aui Ui? 若C3开路,则
Ri?Rb∥[rbe?(1??)Re]?51.3k????Rc∥RL??1.5AuReRiUi??Us?9.6mVRs?Ri?U?14.4mVUo?Aui
1.12 在温度20℃时某晶体管的ICBO=2μA,试问温度是60℃时ICBO≈?
5 解:60℃时ICBO≈ICBO=32μA。 (T=20?C) 1.13 有两只晶体管,一只的β=200,ICEO=200μA;另一只的β=100,ICEO=10μA,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么?
解:选用β=100、ICBO=10μA的管子,因其β适中、ICEO较小,因而温度稳定性较另一只管子好。
1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。
图P1.14
解:答案如解图P1.14所示。
解图P1.14
1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.15
解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表P1.15所示。
解表P1.15 管号 上 中 下 管型 材料
T1 e b c PNP Si T2 c b e NPN Si T3 e b c NPN Si T4 b e c PNP Ge T5 c e b PNP Ge T6 b e c NPN Ge