沟道增强型MOS管构成的共源电路，并说明各元件作用。
解：对于增强型MOS管，不能用自给偏置的方法来设置静态工作点。因为自偏压的栅极－源极之间的电压VGSQ??IDRS。
从表达式可以看出自偏压产生的条件是必须先有ID，但增强型MOS管的开启电压大于0，只有栅极－源极之间的电压达到某个开启电压VT时才有漏极电流ID，因此这类管子不能用自给偏置的方法来设置静态工作点。
增强型MOS管构成放大电路，只能采用分压式自偏压电路，如图4.6.4所示，R1、R2和R3产生栅极偏置电压， R3的大小对放大器的静态工作点无影响，所以可以加大R3值以提高放大器输入电阻。RS和Rd分别是源极电阻和漏极电阻。
图4.6.4
4.6.5 题图4.6.5（a）是一个场效应管放大电路，（b）是管子的转移特性曲线。设电阻
RG?1M?，RD?RL?18k?，电容C1、C2、C3足够大。试问：
(a)
题图4.6.5
(b)
（1）所用的管子属于什么类型？什么沟道？管子的IDSS、VP或VT是多少？ （2）RG、RS、C3的作用是什么？若要求VGS??2V，则Rs应选多大？
解：（1）题图4.6.5(b)图所示的电压转移特性，可知题图4.6.5(a)所示的电路中，所用的管子属于N沟JFET（结型场效应管）。管子的IDSS?5mA，夹断电压VP??4V。
（2）RG的作用是将栅极接至零电位，与RS源极电阻共同产生自给栅压VGSQ，RS是还有稳定静态工作点的作用。C3的作用是旁路电容，在直流通路中RS存在，用来自动产生栅源反向偏压，产生合适的静态工作点；在交流通路中RS被C3旁路而不存在，有利于提高电压放大倍数。
当VGS??2V，由伏安特性曲线可知，ID=2mA，所以 Rs?VGS?2V??1k? ID2mA4.6.6场效应管放大电路如题图4.6.6所示，电路参数 VDD?24V,RD?56k?，
RG?1M?，R2?4k?场效应管的VP??1V，IDSS?1mA；若要求漏极电位
VD?10V，试求R1的值。
解：VD?VDD?IDRD?24?IDRD?10
题图4.6.6
ID?24?1014??0.25mA RD562又有：
?V?IDQ?IDSS?1?GS??VP?2?V??1??1?GS?
?VP?21?VGS???1??,4?VP?V1?1?GS 2VPVGS11?，VGS?VP??0.5?V? VP22VGS?VG?VS?VR2?VS?IDR2?ID?R1?R2???IDR1??0.25mA?R1
R1??VGS?2?k?? 0.254.7.1已知题图4.7.1(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。
（1）利用图解法求解Q点；
?、Ri和Ro 。 （2）利用等效电路法求解AV
题图4.9
解：（1）在转移特性中作直线vGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，VGSQ＝－2V。如图4.7.1（a）所示。
在输出特性中作直流负载线vDS＝VDD－iD（RD＋RS），与VGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，VDSQ≈3V。如图4.7.1（b）所示
（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。 gm?题图4.7.1
?iD?vGSVDS??2VGS(off)IDSSIDQ?1mA/V，
???gR??5 AVmD Ri?Rg?1M? 。
Ro?RD?5k?
?、Ri和4.7.2电路如题图4.7.2所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出AVRo的表达式。
题图4.7.2
题图7.7.3
?、Ri和Ro的表达式分别为 R?R?R∥R解： Ai312uRo?RD???g(R∥R)AumDL。
4.7.3设题图4.7.3电路中场效应管参数VP??4V,IDSS?2mA,gm? 1.2mS，试求放大器的静态工作点Q、电压放大倍数AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro，并画出该电路的微变等效电路（电路中所有电容容抗可略去，rds可看作无穷大）。
解：（1）求静态工作点Q，根据
VGS?R2VDD?IDRSR1?R22?V?ID?IDSS?1?GS?VP??
?VGS?2.38?ID?1?2??VGS? ?ID?2??1??4????求解联立方程可得