③Vp测量（条件：IDS=10μA，VDS=10V）

利用负栅压时的输出特性曲线，从最上面一条曲线向下数，每两条曲线之间的间隔对应一定的栅压值（例如-0.2V），一直数到IDS=10μA（对应于VDS=10V处，）便可得到VP值。IDS=10μA是一个小的值，可以通过改变Y轴上电流的量程读取。

④BVDS测量

将峰值电压旋钮转回原始位置，电压范围改为0~200V，x轴集电极电压改为5V/度，或10V/度，加大功耗电阻，再调节峰值电压，最下面一条输出特性曲线的转折点处对应的x轴电压，即为BVDS值。

5BVGS测量 ○

对MOS管而言，栅源击穿是一种破坏性击穿，此处不测量。若样品袋中包含JFET，则需测量该电压。若样品袋中含有JFET，需加测此内容。

2）、调出转移特性曲线，记下各参数偏置情况并保存曲线结果

转移特性曲线测量的是IDS与VGS的关系，因而需注意另一管脚（漏极）的偏置，此处将VDS偏置为10V（也可试着改变该值，看所测结果是否变化）。

调整方法：将x轴扳回到集电极电压2V/度，光点移至坐标左下角，然后调节峰值电压，便得到输出特性曲线，使VGS=0的最上面一条曲线向右延伸至10V即可。再将X轴作用扳回“基极电流”（注意此时必须伴有串联电阻，否则被击穿），光点移回右下角，即可得图2-4中VGS≤0部分的曲线，注意在测量过程中，不要再调节峰值电压旋钮。否则VGS=10V的测量条件将改变。

根据上述的转移特性曲线，可测得IDSS、Vp及gm的值（曲线与坐标右侧线VGS=0的交点为IDSS，曲线斜率为gm，IDS=10μA时对应的VGS值为VP--此时可将Y轴集电极电流拨到0.01mA/度，以便于准确测量VP值（一般用转移特性测量开启电压与夹断电压比较准确、方便）。

将上述结果与1）中获得的结果进行比较，分析异同点。

然后，将阶梯极性转为正，将Y轴集电极电流增大为0.5mA/度，同时将光点移至坐标底线的中点，便得到正栅压时的转移特性。将栅压分别为负、为正时的曲线合并，便得图2-4所示总的转移特性曲线。注意，功耗电阻取得较大时，正栅压转移特性会出现变平现象。这是因为管子进入可调电阻区的缘故。

图2-3 n沟耗尽型MOS管的测量接线示意图 图2-4 n沟耗尽型MOS管的转移特性曲线

由于漏极、源极在工艺结构上接近对称，因而场效应管的漏、源可以倒接，而且与正接时曲线相象，各主要参数也接近相等。因此，可以通过倒接，适当调节和选择场效应管的参数值。倒接测量时，只须将S、D管脚互换，其余不变。

实验后将测试条件与测试结果列表，并填上具体数据；然后画出输出与转移特性曲线； 根据定义，分析耗尽型、增强型MOS管测量方法的异同点。

问题：

1、以N-JFET为例说明各管脚的偏置极性（正或负），及如此偏置的原因。 2、以P-JFET为例，在栅极加负电压时，JFET的输出特性曲线与栅极加正偏时相似（只是电流较大，同时表现得类似于增强型FET），曲线形状“较理想”，但实际应用中通常不采用这种偏置，试说明原因。

3、采用图示仪测量MOS管，阶梯信号采用电流档时，为何需在G、S间外接一电阻？

4、说明MOS管中体二极管的产生原因及管脚偏置要求。