模拟电子技术试题汇编

3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A ），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（ C ）。

A．截止 B．放大 C．饱和 D．损毁 4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。 A．前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏 C．前者正偏、后者也正偏 D．前者反偏、后者也正偏

5、双极型晶体管工作时有（ A ）和（ B ）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（ A ）的流动。

A．多子 B．少子 C．自由电子 D.空穴

UB（A ）UE。6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为UC（A ）

A． > B． < C． = D． ≤ 7、对二极管正向电阻rZ和反向电阻rF的要求是（ C ） A．rZ、rF都大 B．rZ、rF都小 C．rZ很小，rF很大 D．rZ大，rF小

8、稳压二极管动态电阻rZ（ B ），稳压性能愈好。 A．愈大 B． 愈小 C．为任意值 9、 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。 A． 放大 B． 截止 C． 饱和 D． 无法确定 10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（ A、D ） A．自给偏压电路 B．外加偏压电路 C．无须偏置电路

D．栅极分压与源极自偏结合

11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ），而少数载流子的浓度与（ B ）有很大关系。

A．温度 B．掺杂工艺 C．杂质浓度 D．晶体管缺陷

12、场效应管属于（ B ）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（ C ）控制型器件。

A．电荷 B．电压 C．电流

- 4 -

模拟电子技术试题汇编

13、当PN节外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（D ）。 A．大于 B．小于 C．等于 D．变宽 E．变窄 F．不变 14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ D ）。 A．左移，下移 B．右移，上移 C．左移，上移 D．右移，下移 15、PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ A ）。

A．变窄 B．基本不变 C．变宽 D.先变窄，后变宽

16、 在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流Is≈0.1pA，则在35oC时，下列哪组数据可能正确：（ D ）。 A Uth≈0.575V，Is≈0.05pA B Uth≈0.575V，Is≈0.2pA C Uth≈0.475V，Is≈0.05pA D Uth≈0.475V，Is≈0.2pA

17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN或PNP）与三个电极时，最为方便的测试方法为（ B ）。 A．测试各极间电阻 B．测试各极间、对地电压 C．测试各极电流

三、判断题

1、 三极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。 （ ╳ ） 2、 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （

╳

）

3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（ √ ）

4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ╳ ） 5、有人测得晶体管在UBE=0.6V时，IB=5?A，因此认为在此工作点上的rbe大约为

26mv?5.2K?。 （ √ ） IB6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（ √ ）

- 5 -

模拟电子技术试题汇编

7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。 （ ╳ ）

8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（√ ） 9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ╳ ） 10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ╳ ） 11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（ √ ）

12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过。（ ╳ ）

13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（ ╳ ）

14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ ╳ ）

15、有人测试晶体管的rbe，方法是通过测得晶体管的UBE?0.7，IB?20mA，推算出rbe?UBE/IB?0.7V/20mA?35K? 。 （ ╳ ）

四、综合题

1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分） 管脚（各电极）电位 电极(e或b或c) NPN或PNP 材料（Si或Ge） 3V e NPN Si 晶体管1 3.7V 6V b c 晶体管2 -4V -1.2V -1.4V c b e PNP Ge 2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分） 管子类型 各电极电位（V） 状态 NPN PNP NPN PNP Ue Ub Uc Ue Ub Uc Ue Ub Uc Ue Ub Uc 2 1.7 6 -0.1 -0.3 -3 0 4 6 1.3 1.1 1.2 c b d a 3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算UX和UY的值（共9分）

- 6 -

模拟电子技术试题汇编

+10VRUYDUX2R +10V2RUYDUXR

（a） 答案：（a） D正偏导通 10?0.7I=

3R10?0.7Ux?2RI==6.2V

3Uy?6.2?0.7?6.9V

（b）

（b）

D仅偏截止 I=0

UX=0 Uy=10V

4、如下图，设硅稳压管VDZ1、VDZ2的稳压值分别为6V和9V， 求Uo为多少？（共3分）

1KVD1VD220V1K.Uo.

答：U0=9-6=3V

5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

- 7 -