复习题四（二极管的伏安特性和参数）

一、填空题：

1、 和 间的关系称为二极管的伏安特性。

2、从二极管的伏安特性曲线可以看出，二极管的电压和电流深化呈 关系，其内阻 （填“是”或“不是”）常数，所以二极管属于 器件。 3、当二极管的正向电压较小时，二极管的电阻很 ，基本上处于 状态，这个区域称为正向特性的死区，硅管的死区电压约为 ，锗管约为 。（死区电压又称为 电压或 电压）

4、硅二极管的导通电压约为 ，锗管的导通电压约为 。 5、反向截止区：二极管加反向电压时，二极管的电阻很 ，二极管处于 状态，这时会有反向电流流过二极管，称为 。二极管的反向漏电流很 ，且基本 （填“随”或“不随”）反向电压的变化而变化。 6、硅管的反向漏电流比锗管 。 7、反向击穿区：当加到二极管两端的反向电压超过某一规定数值（此电压值称为 ）时，反向电流突然急剧增大，这种现象称为 ，反向击穿电压用字母 表示。 8、整流二极管的主要参数有：最大整流电流：是二极管通话通过的 ，用字母 表示，如果实际工作时的正向电流平均值超过此值，二极管会 ；最高反向工作电压是二极管允许承受的 ，用字母 表示，为了留有余地，通常标定的最高反向工作电压是向向击穿电压的 。 二、判断题：

1、二极管的伏安特性说明：二极管两端加正向电压就导通，加上反向电压就截止。（ ） 2、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。（ ） 3、晶体二极管击穿后立即烧毁。（ ）

4、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，当反向电压大于反向击穿电压时，反向电流会迅速增大。（ ） 5、当二极管两端的正向电压超过死区电压后，二极管的电阻变得很小，二极管导通。（ ） 6、二极管被反向击穿后就不能再用了。（ ）

7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流胡电压的增加而基本不变。（ ） 三、选择题：

1、当晶体二极管的正向电压大于其门槛电压时，它相当于（ ） A阻值很大的电阻 B阻值很小的电阻 C接通的开关 D以上都不对 2、当硅二极管加上0.4V的正向电压 时，二极管相当于（ ） A阻值很小的电阻 B断开的开关 C闭合的开关 D以上都不对 3、当二极管两端正向电压大于（ ）电压时，二极管才能导通。 A击穿 B饱和 C门坎 D以上都不对

4、二极管两端的反向电压增大时，在达到（ ）电压以前，通过的电流很小。 A击穿 B饱和 C门坎 D以上都不对

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复习题五（二极管的测试）

一、填空题：

1、使用万用电表测试二极管时应使用 档，一般用 或 这两档。R*1档 太大，R*10K挡 太大，都容易使被测管损坏。 2、当万用电表拨至欧姆挡时，其红表笔接内电源的 极，黑表笔接内电源的 极。 3、用万用电表测试二极管时，用红黑表笔分别接二极管的两极测试一次，将红黑表笔对调再测一次，若两次所测阻值一次大，一次小，则说明二极管 ，测得阻值较大的一次是 电阻，阻值较小的一次是 电阻，此时与 表笔接触的是二极管的正极。若两次阻值都很大，说明二极管 。若两次阻值都很小，说明二极管 。 4、由于发光二极管的正向导通电压一般在1.5V以上，所以检测时必须用万用表的 挡，当正向电阻小于 ，反向电阻大于 时，发光二极管为正常的。 二、判断题：

1、二极管的正向电阻大于反向电阻。（ ）

2、用万用表测试所有的二极管都应该用R*100或R*1K挡。（ ）

3、用万用表测某晶体二极管的反向电阻是，红表笔所连接的是二极管的阳极，黑表笔接的是二极管的阴极。（ ） 三、选择题：

1、如果用万用表测得二极管的正反向电阻都很小，则二极管（ ） A特性良好 B已被击穿 C内部开路 D功能正常

2、在用万用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的挡位测出的正向电阻不同，主要原因是（ ）

A万用表在不同的挡们，其内阻不同 B二极管具有非线性的伏安特性 C被测二极管质量很差 D二极管已被损坏 四、问答题：

1、有人在没一个二极管反向时，为了使万用表的表笔与管脚接触良好，她用两手把两端接触处捏紧，结果发现管子的反向电阻比较小，认为不合格，但接入电路时却正常工作，这是什么原因？

2、测量电流时为保护线圈式电表的脆弱转动部件，不致因接错直流电源的极性或通过电流太大而损坏，常在表头处串联或并联一个二极管，如下图所示，试分别说明这两种接法的二极管各起什么作用。

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综合复习题一（二极管）

一、填空题：

1、导电能力介于 和 之间的物体称为半导体。

2、在N型半导体中 为多数载流子， 为少数载流子。 3、从半导体二极管内部的PN结的 区引出的电极叫二极管的正极，从 区引出的电极叫二极管的负极。给二极管正极加高电位，负极加低电位时，叫给二极管加 电压。给二极管正极加低电位，负极加高电位时，叫给二极管加 偏电压。 4、当加在硅二极管上的正向电压超过 伏时，二极管进入导通状态。 5、根据是否掺入杂质，半导体可分为 半导体和 半导体两大类。

6、二极管的特性是 。具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。

7、常用二极管以材料分类，可分为 二极管和 二极管；以PN结面积大小分类，又可分为 接触型和 接触型。

8、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管__ ___；若两次读数都接近零，则此二极管_______ ______；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。

9、设如右图电路中, D1为硅二极管, D2为锗二极管，则D1处于 状态, D2处于 状态, 输出电压Uo为 伏。 10、图11电路中，设所有二极管均为理想的。 当开关Ｓ打开时，Ａ点定位

ＶA＝ 伏，此时流过电阻Ｒ1中的电流I1＝ 毫安；当开关Ｓ闭合时，Ａ点定位ＶA＝ 伏，此时流过电阻Ｒ1的电流Ｉ1＝ 毫安。（提示：开关Ｓ打开时，Ｖ３管优先导通）

12、在图12路中，Ｖ为理想二极管，则当开关Ｓ打开时，Ａ点定位ＶA＝ 伏；开关Ｓ闭合时，ＶA＝ 伏。

13、在下左图所示电路中，二极管是硅管时V＝ 毫安，若二极管是锗管，此时V＝ 毫安。

14、晶体二极管因所加 电压过大而 ，并且出现 的现象，称为热击穿。 15、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的三价元素，可形成P型半导体，又称 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。 16、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 _____7

后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 17、图下所示各电路中，如电源均为3V，输入电压VI分别为+6V，0V，-6V，求各电路的输出电压VO。（1）VO= V（2）VO= V （3）VO= V

18、如图，这是 材料的二极管的___ 曲线，在正向电压超过 V后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约为 V。当反向电压增大到 V即称为 电压时，反向电流会急剧增大，该现象为 。若反向电压继续增大， 容易发生 现象。其中稳压管一般工作在 区。

19、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，

20、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测量时指针偏转幅度都较小，则表明二极管内部 ；若两次测量时指针偏转幅度都较大，则表明二极管内部 。两次两次测量时指针偏转幅度相差越大，则说明二极管的 。

21、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。

12、如上左图，V1、V2为理想二极管。V1状态 ，V2状态 。 VAB= V 23、如上右图，V为理想二极管。V状态 ，VAB= V

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