3管：VB??1V,VE??0.3V,VC?7V;
答：NPN管，工作在截止状态。
3. 题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区？
2.3V 6V 9.3V 0V
2.3V 3V 5.7V 1.9V 3V 6V 5V 1.6V C A D B 题图3.0.4 答：题图3.0.4所列三极管中，只有图（D）所示的三极管处在放大区。
4. 放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图3.0.5，三极管可能发生的故障是什么？
答：题图3.0.5所示的三极管，B、E极之间短路，发射结可能烧穿。
题图3.0.5
5. 测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的? 为①。
①为60。 ②为61。 ③0.98。 ④无法确定。 6. 只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是 ②b极 。 ①e极 ②b极 ③c极
7. 共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其 ① 。 ①输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。 ②输入和输出均具近似的恒流特性。 ③输入和输出均具有近似的恒压特性。
④输入具有近似的恒流特性，而输出具有恒压特性。
8. 共发射极接法的晶体管，当基极与发射极间为开路、短路、接电阻R时的c，e间的击穿电压分别用V（BR）CEO ，V（BR）CES和V（BR）CER表示，则它们之间的大小关系是 ② 。
①V（BR）CEO＞V（BR）CES＞V（BR）CER。 ②V（BR）CES＞V（BR）CER ＞V（BR）CEO。 ③V（BR）CER＞V（BR）CES＞V（BR）CEO。 ④V（BR）CES＞V（BR）CEO＞V（BR）CER。
9．题图3.0.6所示电路中，用 直流电压表测出VCE≈0V，有 可能是因为 C或D 。
A Rb开路 B Rc 短路 C Rb 过小 D ?过大
题图3.0.6
10. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图3.0.7所示。试判断各三极管的工作状态。
(a)
(b)
题图 3.0.7
(c)
(d)
答：题图3.07所示的各个三极管的工作状态，图（a）为放大， 图（b）为放大 ，图（c）为饱和， 图（d）为C、E极间击穿。
11. 用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图3.0.8示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？
题图3.0.8
答：题图3.07所示的各个三极管的工作状态，图（a）为损坏， 图（b）为放大， 图（c）为放大， 图（d）为截止， 图（e）为损坏，图（f）为饱和（或B、C极间击穿）。 12. 放大电路如题 图3.0.9所示，对于射极电阻Re的变化是否会影响电压放大倍数Av和输
入电阻Ri的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？
甲：当Re增大时，负反馈增强，因此Av?、Ri?。（ ） 乙：当Re增大时，静态电流IC减小，因此Av?、Ri?。（ ）
丙：因电容Ce，对交流有旁路作用，所以Re的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当Re增大时，Av和Ri均无变化。
题图3.0.9
解：本题意在我们要搞清Re，在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看，Re被Ce交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以Re的变化不影响Au和Ri，这是本题容易使我们产生错觉的地方。但我们还必须进一步考虑，尽管Re不产生交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到ICQ，就影响到rbe进而影响Au和Ri。
甲的说法是错误的，原因：因Ce的旁路作用，所以Re不产生交流负反馈，所以甲的观点前提就是错的。
乙的说法是正确的。原因：Re??ICQ(IEQ)??rbe??Au?;
?rbe?,Ri?Rb//rbe,?Ri?
丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说，尽管Re不产生负反馈，但Re增大使
IEQ减小，IEQ的减小必然引起Au减小和Ri的增加。
习题4
客观检测题
一、填空题
1. 场效应管利用外加电压产生的电 场 来控制漏极电流的大小，因此它是电 压 控制器件。 2. 为了使结型场效应管正常工作，栅源间两PN结必须加 反向 电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比MOS管的输入电阻 小 。结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源间的耗尽层承受 反 向电压，才能保证其RGS大的特点。
3. 场效应管漏极电流由 多数 载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极电流 不能 穿过PN结（能，不能）。 4. 对于耗尽型MOS管，VGS可以为 正、负或者零 。
5. 对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为 正 ，并且只能当VGS >VTH 时，才能形有Id。 6. P沟道增强型MOS管的开启电压为 负 值。N沟道增强型MOS管的开启电压为 正 值。 7. 场效应管与晶体管相比较，其输入电阻 高 ；噪声 低 ；温度稳定性 好 ；饱和压降 大 ；放大能力 较差 ；频率特性 较差（工作频率低） ；输出功率 较小 。 8. 场效应管属于 电压 控制器件，而三极管属于 电流 控制器件。
9. 场效应管放大器常用偏置电路一般有 自偏压电路 和 分压器式自偏压电路 两种类型。 10. 由于晶体三极管 是电子、空穴两种载流子同时参与导电 ，所以将它称为双极型的，由于场效应管 只有多数载流子参与导电 ，所以将其称为单极型的。
11. 跨导gm反映了场效应管 栅源电压 对 漏极电流 控制能力，其单位为 ms(毫西门子) 。
12. 若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻 不 会明显变小。
13. 一个结型场效应管的转移特性曲线如题图4.1所示，则它是 N 沟道的效应管，它的夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA 。
题图4.0.1 填空题13图