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13、如图所示共射极放大电路中，所有电容均对交流信号视为短路，若晶体管β

=50，R2=R3=5KΩ，RC=RL=4KΩ，RE=4.3kΩ,VCC=15V,VBEQ=0.7V,要求集电极静态电流ICQ=1mA，试求1）R1的值2）UCEQ的值；3）画出微变等效电路。

四、

（一）

1、结型场效应管的栅源之间通常加_____________向偏置电压，因此栅极电流很小。增强型NMOS场效应管栅源极电压VGS=0时，输出电流ID= 。 2，在放大电路中，场效应管应工作在漏极输出特性的 区域。

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3、场效应管属于 控制型器件，而晶体管若用简化的h参数等效电路来分析则可以认为是 控制型器件。

4、从结构上分，场效应管FET分为 和 两大类，其中 均为耗尽类型的FET。

5．图2所示为 沟道 型MOSFET的转移特性，它的 (开启还是夹断)电压的大小为 V。

6、在JFET放大电路的偏置电路中，应保证栅源之间加入_____________向偏置电压。

7、对于增强型绝缘栅场效应管，即使栅—源极间不加电压，也存在导电沟道。( ) （二）

1、VGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。

（A．N沟道JFET B. P沟道JFET C. 耗尽型MOS管 D.增强型MOS管） 2、结型场效应管利用栅-源极间所加的____来改变导电沟道的电阻。 A. 反偏电压 B. 反向电流 C. 正偏电压 D. 正向电流 3、 结型场效应管利用栅-源极间所加的____来改变导电沟道的电阻。 A、反偏电压 B、反向电流 C、正偏电压 D、正向电流 4、乙类互补对称功率放大电路会产生

A、饱和失真 B、截止失真 C、相频失真 D、交越失真 5、N沟道绝缘栅增强型场效应管的电路符号是 。

A.

B.

C.

D.

6．场效应晶体管突出优点是 （ ） A．输入电阻高 B．功耗高 C．制造复杂 D．热稳定性差

7、下列器件不是非线性器件是（ ）

A、二极管 B、三极管 C、场效应管 D、电阻

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（三）

1、右图分别为两种MOSFET的转移特性，分析两种MOS管的管型，说明它们的开启电压VT=？或夹断电压VP=？（图中iD的假定正方向为流进漏极）

2、图示为场效应管的转移特性曲线和输出特性曲线，分别说明其类型。

-3 -2 -1 0

(a)

4 2 -1 0 1 2 V /V GSiD/mA iD/mA -3 VGS /V

(b)

3、一个JFET的转移特性曲线如图所示，试问：

iD(mA) 3 -3

VGS(V)

(a)

(1) 它是N沟道还是P沟道FET？(2)它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？

iD (mA) 3 iD/mA 4 3 2 1 0

-4 0 VGS (V) 4

8

3.5V 3.0V 2.5V 2.0V 12 16 VDS/V VGS=4V

（b）

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4、一个MOSFET的转移特性如图所示（其中漏极电流iD的方向是它

的实际方向）。试问：（1）该管是耗尽型还是增强型？ （2）是N沟道还是P沟道FET？（3）从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP，还是开启电压VT？其值等于多少？

4 iD/mA

2

-4

-2

0

VGS /V

5、某MOSFET的转移特性曲线如图2所示，则其类型为 MOSFET。

（A．P沟道增强型， B．N沟道耗尽型， C．P沟道耗尽型 D．N沟道增强型）

iD (mA) 3

-3 VGS (V) 图2

当场效应管工作于放大区时，耗尽型场效应管ID的数学表达式为：________

A、

B、

C、