端机输出的光功率为P00。

9、代入公式EXT?10lgP00，即得光发射机消光比。 P1110、调节W4，重复7~9步骤，并将所测数据填入下表。

P00(uW) P11(uW) EXT

五．实验记录及结果分析

P(uW) u(V) I(A)

绘制光源P-I特性曲线：

消光比：

P00(uW) P11(uW) EXT

P00(uW) P11(uW) EXT

P00(uW) P11(uW) EXT

实验结果及分析：

1.半导体激光器工作原理是：激励方式，利用半导体物质(既利用电子)在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈、产生光的辐射放大，输出激光。半导体激光二极管（LD）或简称半导体激光器，它通过受激辐射发光，（处于高能级E2的电子在光场的感应下发射一个和感应光子一模一样的光子，而跃迁到低能级E1，这个过程称为光的受激辐射

2.环境温度的改变对半导体激光器P-I特性的影响：随着温度的上升，阈值电流越来越大，功率随电流变化越来越缓慢。

3.以半导体激光器为光源的光纤通信系统中，半导体激光器P-I特性对系统传输性能的影响是：当注入电流较小时，激活区不能实现粒子束反转，自发发射占主导地位。，激光器发射普通的荧光。随着注入电流的增加，激活器里实现了粒子束反转，受激辐射占主导地位。但当注入电流小于阈值电流时，谐振腔内的增益还不足以克服如介质的吸收、镜面反射不完全等引起的谐振腔的损耗时，不能在腔内建立起振荡，激光器只发射较强荧光。只有当注入电流大于阈值电流时才能产生功率很强的激光。

4.阈值电流随着温度的升高而增大，外微分量子效率减小，输出光功率明显下降。 5.当注入电流较小时，激活区不能实现粒子束反转，自发发射占主导地位。激光器发射普通的荧光。随着注入电流的增加，激活器里实现了粒子束反转，受激辐射占主导地位。但当注入电流小于阈值电流时，谐振腔内的增益还不足以克服如介质的吸收、镜面反射不完全等引起的谐振腔的损耗时，不能在腔内建立起振荡，激光器只发射较强荧光。只有当注入电流大于阈值电流时才能产生功率很强的激光。

6.对于数字脉冲光发射机，消光比这个指标很重要，它定义为全“0”时平均光功率p0和全“1”

时平均光功率p1之比，可用EXT表示，定义式如EXT=10lg(p1/p0)(dB) ， 消光比的不足容易引起对码元的误判等一系列问题。

在实际生产中，由于设备及环境差异的问题，消光比很难控制，只能将消光比控制在某一范围。

通过本实验，我学习了解半导体激光器发光原理和激光光源工作原理，掌握了半导体激光器P-I曲线的测试方法， 同时了解数字光发射机平均输出光功率和消光比的指标要求，通过动手操作，掌握了数字光发射机平均输出光功率和消光比的测试方法， 为以后的学习奠定了基础。

实验二

模拟信号光纤传输系统

一、实验目的

1、了解模拟信号（正弦波、三角波、方波等）光纤传输系统。

二、实验器材

1、 主控&信号源模块、25号模块 各一块 2、 双踪示波器 一台 3、 FC型光纤跳线、连接线 若干

三、实验原理

1、实验原理框图