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x/r<0.3 ,线收缩率小于0.06 。

烧结中期:(1) 烧结中期,颈部进一步扩大,颗粒变形较大,气孔由不规则的形状逐渐变成由三个颗粒包围的,近似圆柱形的气孔,且气孔是联通的。

(2) 晶界开始移动,颗粒正常长大。与气孔接触的颗粒表面为空位源,质点扩散以体积扩散和晶界扩散为主而扩散到气孔表面,空位返乡扩散而消失。 (3)坯体气孔率降为5%左右,收缩达90%。

烧结末期：(1) 进入烧结末期,气孔封闭,相互孤立,理想情况为四个颗粒包围,近似球状。

(2) 晶粒明显长大,只有扩散机理是重要的,质点通过晶界扩散和体积扩散,进入晶界间近似球状的气孔中。

(3) 收缩率达90~100%, 密度达理论值的95% 以上。

3.解： a,d能使烧结体强度增大,而不会产生肧体宏观上的收缩。应为这两种物质传递仅涉及肧体表面形状的变化,而并没有涉及到肧体内部气孔体积的变化。这样,陪体表面颗粒间接触面积增大,粘附力增加,从而使烧结体强度增大,但不产生肧体宏观上的收缩。 4.解：粉料立方体1mm=10-4cm

1cm3压块中有1/（10-4）3=1012个颗粒

最初表面能=6*（10-4）2*1000erg/cm3*1012个/cm3=6*107erg/cm3

最后晶界能=1/2*6 *（10-4）2*550erg/cm3*1012个/cm3=1.65*107 erg/cm3 推动力D=6*107erg/cm3-1.65*107erg/cm3 =5.35*107 erg/cm3 5.解： 推动力来源 质中的能量 推动力大小 在陶瓷系统中影响不大 重要性 关键 尽量避免 小 0.5~1cal/g 较大 很大 初次再结晶 基质塑性变形而储存于基晶界过剩的界面能 晶粒长大 二次再结晶 6.解：延长烧结时间一般都为不同程度地促使烧结完成,但对粘性流动机理的烧结较为明显,而对体积扩散和表面扩散机理影响较小。对体积扩散和表面扩散,低温下以表面扩散为主,高温下以体积扩散为主,而表面扩散并不改变为肧体的致密度,因此,可适当延长高温

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烧结时间。另外,在烧结后期,不合理的延长烧结时间,有时会加剧二次再结晶作用,反而得不到充分致密的制品。 7.解：△P=g(1/r1+1/r2) △P=0.8大气压 g=280达因/厘米 r1=5μm 求r2

9.解：线收缩率：

1200℃,对NiO和Cr2O3粉末,其

则可求出K1473,同理,可求出 K1673,代入上式,即可求出 式中g=600erg/cm2,ó=0.59? T=1473K,1673K,r=0.5μm

10.解:(1) 晶粒的大小取决于起始晶粒的大小,烧结温度和烧结时间 (2) 防止二次再结晶引起的晶粒异常长大

11.解：二次再结晶发生后,由于个别晶粒异常长大,气孔进入晶粒内部,成为孤立闭气孔,不易排除,使烧结速率降低甚至停止,肧体不再致密；加之大晶粒的晶界上有应力存在,使其内部易出现隐裂纹,继续烧结时肧体易膨胀而开裂,使烧结体的机械,电学性能下降。 12.解：常规烧结过程主要是基于颗粒间的接触与键合,以及在表面张力推动下物质的传递过程。其总体的推动力由系统表面能提供。这就决定了其致密化是有一定限度的。常规条件下坯体密度很难达到理论密度值。对于特种烧结,它是为了适应特种材料对性能的要求而产生的。这些烧结 过程除了常规烧结中由系统表面能提供的驱动力之外,还由特殊工艺条件增加了系统烧结的驱动力,因此提高了坯体的烧结速率,大大增加了坯体的致密化程度。例如热压烧结,它是加压成型与加压烧结同时进行的一种烧结工艺。由于同时加温加压,有利于粉末颗粒的接触、扩散和流动等传质过程,降低了烧结温度和烧结时间,抑制了晶粒的长大。其容易获得接近理论密度、气孔率接近零的烧结体。

13.解：(1) 对 FeO,易形成负离子过剩型非化学计量化合物,其缺陷反应式为：

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另外,在MgO的烧结中是正离子起扩散起控制作用的烧结过程,因而氧气氛和氧分压较高是有利的。

(2) 烧结氧化铝Al2O3时,由于氢原子半径很小,扩散系数较大,易于扩散而有利于闭气孔的清除；而原子半径大的氮则由于其扩散系数较小难于扩散而阻碍烧结。 14.解：由D0=0.1μm 和t=30min,D=3D0=0.3μm可得： D2-D02=kt K=0.08/30μm2/min D=1μm,12-(0.1)2=kt=0.08/30t ∴ t=371.25min

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